Патенти з міткою «bi2se3»
Спосіб одержання напівпровідникових матеріалів з феромагнітними властивостями при кімнатній температурі на основі шаруватих кристалів bi2se3, bi2te3
Номер патенту: 118064
Опубліковано: 25.07.2017
Автори: Боледзюк Володимир Богданович, Ковалюк Захар Дмитрович
МПК: C30B 29/68
Мітки: температури, спосіб, кімнатний, bi2se3, напівпровідникових, шаруватих, властивостями, феромагнітними, основі, bi2te3, одержання, матеріалів, кристалів
Формула / Реферат:
Спосіб одержання напівпровідникових матеріалів, які мають феромагнітні властивості при кімнатній температурі, що базується на методі електрохімічного інтеркалювання іонів кобальту Со2+ у міжшаровий простір монокристалів шаруватих напівпровідників Bi2Se3, Ві2Те3, який відрізняється тим, що процес впровадження іонів кобальту відбувається у зразки, які розташовані в постійному магнітному полі, направленому паралельно базовій площині кристалу та...
Термоелектричний матеріал на основі евтектичного композиту системи snse2 -bi2se3
Номер патенту: 56815
Опубліковано: 25.01.2011
Автори: Переш Євген Юлійович, Беца Володимир Васильович, Барчій Ігор Євгенійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Козьма Антон Антонович, Цигика Володимир Васильович
МПК: H01L 35/00
Мітки: snse2, термоелектричний, системі, композиту, основі, матеріал, евтектичного, bi2se3
Формула / Реферат:
Термоелектричний матеріал, який містить станум (IV) селенід SnSe2, який відрізняється тим, що додатково містить бісмут (III) селенід Bi2Se3, а утворений на їх основі евтектичний композит (SnSe2)0,67(Bi2Se3)0,33 у температурному інтервалі 365-600 К проявляє вище значення коефіцієнта термо-ЕРС порівняно з вихідними сполуками.