C30B 29/68 — кристали з шаруватою структурою, наприклад “сверхструктурой”
Спосіб одержання напівпровідникових матеріалів з феромагнітними властивостями при кімнатній температурі на основі шаруватих кристалів bi2se3, bi2te3
Номер патенту: 118064
Опубліковано: 25.07.2017
Автори: Боледзюк Володимир Богданович, Ковалюк Захар Дмитрович
МПК: C30B 29/68
Мітки: bi2se3, шаруватих, матеріалів, bi2te3, температури, кристалів, властивостями, феромагнітними, напівпровідникових, спосіб, основі, кімнатний, одержання
Формула / Реферат:
Спосіб одержання напівпровідникових матеріалів, які мають феромагнітні властивості при кімнатній температурі, що базується на методі електрохімічного інтеркалювання іонів кобальту Со2+ у міжшаровий простір монокристалів шаруватих напівпровідників Bi2Se3, Ві2Те3, який відрізняється тим, що процес впровадження іонів кобальту відбувається у зразки, які розташовані в постійному магнітному полі, направленому паралельно базовій площині кристалу та...
Спосіб отримання нанокомпозитних напівпровідникових матеріалів з феромагнітними властивостями на основі шаруватих кристалів inse, in2se3, inte
Номер патенту: 106400
Опубліковано: 25.04.2016
Автори: Ковалюк Захар Дмитрович, Боледзюк Володимир Богданович, Цибуленко Юрій Михайлович
МПК: C30B 29/68
Мітки: inse, нанокомпозитних, in2se3, феромагнітними, напівпровідникових, отримання, основі, кристалів, матеріалів, властивостями, спосіб, шаруватих
Формула / Реферат:
Спосіб отримання нанокомпозитних напівпровідникових матеріалів, які мають феромагнітні властивості при кімнатній температурі, ґрунтується на методі електрохімічного впровадження (інтеркалювання) іонів кобальту у міжшаровий простір монокристалів шаруватих напівпровідників InSeб In2Se3, InTe, який відрізняється тим, що процес впровадження іонів кобальту відбувається у зразки, які розташовані в градієнтному магнітному полі, направленому...
Спосіб одержання грані, колінеарної кристалографічній осі с, в шаруватих кристалах inse і gase
Номер патенту: 101001
Опубліковано: 25.02.2013
Автори: Катеринчук Валерій Миколайович, Товарницький Мірча Васильович, Дуплавий Василь Йосипович, Ковалюк Захар Дмитрович, Заслонкін Андрій Володимирович
МПК: C30B 11/00, C30B 1/00, C30B 29/46 ...
Мітки: кристалах, шаруватих, одержання, грані, кристалографічній, осі, спосіб, колінеарної
Формула / Реферат:
Спосіб одержання грані, колінеарної кристалографічній осі с, в шаруватих кристалах InSe і GaSe, який відрізняється тим, що вирощують шаруватий кристал в кварцовій ампулі, в якій перед вирощуванням розміщують кварцову пластину, орієнтовану співвісно з віссю ампули, після чого в ампулу поміщають попередньо синтезований матеріал.
Спосіб одержання феромагнітного напівпровідникового матеріалу
Номер патенту: 70598
Опубліковано: 25.06.2012
Автори: Шевчик Віталій Васильович, Боледзюк Володимир Богданович, Ковалюк Захар Дмитрович
МПК: C30B 29/68
Мітки: одержання, матеріалу, спосіб, напівпровідникового, феромагнітного
Формула / Реферат:
Спосіб одержання феромагнітного напівпровідникового матеріалу, який ґрунтується на методі електрохімічного впровадження (інтеркалювання) іонів кобальту у міжшаровий простір монокристалів шаруватого напівпровідника GaSe, який відрізняється тим, що процес впровадження іонів кобальту відбувається у зразки, які розташовані в постійному магнітному полі, направленому перпендикулярно напрямку електричного струму.