Патенти з міткою «фотоактивних»
Спосіб визначення фотоактивних центрів в кристалічних матеріалах
Номер патенту: 78882
Опубліковано: 10.04.2013
Автори: Полубояров Олексій Олександрович, Новохатська Тетяна Миколаївна, Чугай Олег Миколайович, Герасименко Андрій Спартакович, Комарь Віталій Корнійович, Абашин Сергій Леонідович, Сулима Сергій Віталійович, Олійник Сергій Володимирович
МПК: G01N 13/00
Мітки: визначення, фотоактивних, спосіб, кристалічних, матеріалах, центрів
Формула / Реферат:
Спосіб визначення фотоактивних центрів в кристалічних матеріалах шляхом вимірювання прирощення ефективних значень діелектричної проникності та коефіцієнта діелектричних втрат в залежності від довжини хвилі монохроматичного світла з...
Спосіб визначення фотоактивних центрів в кристалічних матеріалах
Номер патенту: 77464
Опубліковано: 15.12.2006
Автори: Абашин Сергій Леонідович, Сулима Сергій Віталійович, Чугай Олег Миколайович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Мигаль Валерій Павлович, Комарь Віталій Корнійович
МПК: G01J 1/10, G01N 21/63
Мітки: кристалічних, фотоактивних, спосіб, визначення, центрів, матеріалах
Формула / Реферат:
1. Спосіб визначення фотоактивних центрів в кристалічних матеріалах шляхом вимірювання залежності ефективної діелектричної проникності і коефіцієнта діелектричних втрат зразка від довжини хвилі фотозбудження та побудови відповідних діаграм в комплексній площині з використанням вимірювання при планарній та об'ємній схемах розміщення електродів на зразку, визначення значень довжини хвилі λі фотозбудження як таких, що відповідають...
Спосіб визначення фотоактивних центрів в кристалічних матеріалах
Номер патенту: 66107
Опубліковано: 15.04.2004
Автори: Мигаль Валерій Павлович, Комарь Віталій Корнійович, Сулима Сергій Віталійович, Абашин Сергій Леонідович, Чугай Олег Миколаєвич
МПК: G01N 13/10
Мітки: визначення, центрів, кристалічних, фотоактивних, матеріалах, спосіб
Формула / Реферат:
1. Спосіб визначення фотоактивних центрів в кристалічних матеріалах шляхом вимірювання залежності ефективних діелектричної проникності і коефіцієнта діелектричних втрат зразка від довжини хвилі фотозбудження та побудови відповідних діаграм в комплексній площині, який відрізняється тим, що вимірювання послідовно виконують при поверхневій та об'ємній схемах розміщення електродів на зразку та його збудження, граничні довжини хвиль