Абашин Сергій Леонідович
Спосіб визначення фотоактивних центрів в кристалічних матеріалах
Номер патенту: 78882
Опубліковано: 10.04.2013
Автори: Абашин Сергій Леонідович, Олійник Сергій Володимирович, Новохатська Тетяна Миколаївна, Герасименко Андрій Спартакович, Полубояров Олексій Олександрович, Комарь Віталій Корнійович, Чугай Олег Миколайович, Сулима Сергій Віталійович
МПК: G01N 13/00
Мітки: фотоактивних, спосіб, матеріалах, центрів, кристалічних, визначення
Формула / Реферат:
Спосіб визначення фотоактивних центрів в кристалічних матеріалах шляхом вимірювання прирощення ефективних значень діелектричної проникності та коефіцієнта діелектричних втрат в залежності від довжини хвилі монохроматичного світла з...
Спосіб визначення розподілу електрофізичних неоднорідностей в кристалічних матеріалах
Номер патенту: 92595
Опубліковано: 25.11.2010
Автори: Пузіков В'ячеслав Михайлович, Абашин Сергій Леонідович, Сулима Сергій Віталійович, Чугай Олег Миколайович, Комарь Віталій Корнійович, Олійник Сергій Володимирович
МПК: G01N 27/22, G01J 5/50
Мітки: кристалічних, визначення, розподілу, електрофізичних, неоднорідностей, спосіб, матеріалах
Формула / Реферат:
Спосіб визначення розподілу електрофізичних неоднорідностей в кристалічних матеріалах шляхом переміщення електродів відносно поверхні зразка з одночасним вимірюванням в змінному електричному полі їх електрофізичних параметрів, який відрізняється тим, що на плоскому електроді розміщують еталонний зразок товщиною з pівномірним розподілом діелектричної проникності
Спосіб вимірювання часу життя нерівноважних носіїв струму у напівпровідниках
Номер патенту: 90369
Опубліковано: 26.04.2010
Автори: Сулима Сергій Віталійович, Чуйко Олексій Сергійович, Олійник Сергій Володимирович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Чугай Олег Миколайович, Терзін Ігор Сергійович, Комарь Віталій Корнійович, Абашин Сергій Леонідович
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Мітки: нерівноважних, часу, вимірювання, спосіб, життя, носіїв, напівпровідниках, струму
Формула / Реферат:
Спосіб вимірювання часу життя нерівноважних носіїв струму у напівпровідниках шляхом одержання частотної залежності фотопровідності, зумовленої дією прямокутних імпульсів світла, який відрізняється тим, що вимірюють амплітуду першої гармоніки сигналу фотопровідності, одержують залежність її розкладу у ряд Фур’є від частоти слідування імпульсів фотозбудження і з цієї залежності визначають час життя нерівноважних носіїв струму.
Спосіб вимірювання питомого електроопору високоомних твердих розчинів напівпровідників
Номер патенту: 90037
Опубліковано: 25.03.2010
Автори: Сулима Сергій Віталійович, Морозов Дмитро Сергійович, Чугай Олег Миколайович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Абашин Сергій Леонідович, Герасименко Андрій Спартакович, Комарь Віталій Корнійович, Олійник Сергій Володимирович
МПК: G01R 31/26
Мітки: електроопору, спосіб, вимірювання, розчинів, напівпровідників, твердих, питомого, високоомних
Формула / Реферат:
Спосіб вимірювання питомого електроопору високоомних твердих розчинів напівпровідників шляхом вимірювання тангенса кута діелектричних втрат вимірювального конденсатора, який утворений за допомогою плоских електродів діелектричних шарів та досліджуваного зразка, у залежності від частоти змінного електричного поля в низькочастотній області, який відрізняється тим, що вимірюють електроємність вимірювального конденсатора, а питомий електроопір rs...
Спосіб визначення фотоактивних центрів в кристалічних матеріалах
Номер патенту: 77464
Опубліковано: 15.12.2006
Автори: Пузіков В'ячеслав Михайлович, Абашин Сергій Леонідович, Сулима Сергій Віталійович, Комарь Віталій Корнійович, Чугай Олег Миколайович, Мигаль Валерій Павлович
МПК: G01J 1/10, G01N 21/63
Мітки: спосіб, визначення, матеріалах, центрів, кристалічних, фотоактивних
Формула / Реферат:
1. Спосіб визначення фотоактивних центрів в кристалічних матеріалах шляхом вимірювання залежності ефективної діелектричної проникності і коефіцієнта діелектричних втрат зразка від довжини хвилі фотозбудження та побудови відповідних діаграм в комплексній площині з використанням вимірювання при планарній та об'ємній схемах розміщення електродів на зразку, визначення значень довжини хвилі λі фотозбудження як таких, що відповідають...
Спосіб визначення фотоактивних центрів в кристалічних матеріалах
Номер патенту: 66107
Опубліковано: 15.04.2004
Автори: Абашин Сергій Леонідович, Мигаль Валерій Павлович, Чугай Олег Миколаєвич, Сулима Сергій Віталійович, Комарь Віталій Корнійович
МПК: G01N 13/10
Мітки: фотоактивних, визначення, кристалічних, матеріалах, центрів, спосіб
Формула / Реферат:
1. Спосіб визначення фотоактивних центрів в кристалічних матеріалах шляхом вимірювання залежності ефективних діелектричної проникності і коефіцієнта діелектричних втрат зразка від довжини хвилі фотозбудження та побудови відповідних діаграм в комплексній площині, який відрізняється тим, що вимірювання послідовно виконують при поверхневій та об'ємній схемах розміщення електродів на зразку та його збудження, граничні довжини хвиль