Сулима Сергій Віталійович

Спосіб визначення фотоактивних центрів в кристалічних матеріалах

Завантаження...

Номер патенту: 78882

Опубліковано: 10.04.2013

Автори: Полубояров Олексій Олександрович, Олійник Сергій Володимирович, Новохатська Тетяна Миколаївна, Герасименко Андрій Спартакович, Абашин Сергій Леонідович, Сулима Сергій Віталійович, Комарь Віталій Корнійович, Чугай Олег Миколайович

МПК: G01N 13/00

Мітки: фотоактивних, центрів, визначення, кристалічних, матеріалах, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб визначення фотоактивних центрів в кристалічних матеріалах шляхом вимірювання прирощення ефективних значень діелектричної проникності  та коефіцієнта діелектричних втрат  в залежності від довжини хвилі монохроматичного світла  з...

Спосіб вимірювання потужності експозиційної дози електромагнітного випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 76301

Опубліковано: 25.12.2012

Автори: Сулима Сергій Віталійович, Яцина Юрій Анатолійович, Олійник Сергій Володимирович, Полубояров Олексій Олександрович, Комарь Віталій Корнійович, Чугай Олег Миколайович, Охрімовський Андрій Михайлович, Терзін Ігор Сергійович

МПК: G01T 1/24

Мітки: електромагнітного, спосіб, випромінювання, дози, потужності, експозиційної, вимірювання

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання експозиційної дози електромагнітного випромінювання шляхом подачі електричної напруги на пластину з високоомного напівпровідника, який відрізняється тим, що пластину виготовляють з твердого розчину високоомного напівпровідника, а електроди створюють на обох поверхнях пластини; на пластину подають змінну електричну напругу, вимірюють частотні залежності електроємності

Спосіб вимірювання питомого електроопору високоомних твердих розчинів напівпровідників

Завантаження...

Номер патенту: 76300

Опубліковано: 25.12.2012

Автори: Олійник Сергій Володимирович, Сулима Сергій Віталійович, Полубояров Олексій Олександрович, Терзін Ігор Сергійович, Комарь Віталій Корнійович, Новохатська Тетяна Миколаївна, Чугай Олег Миколайович, Шматко Олександр Олександрович

МПК: G01R 31/26

Мітки: напівпровідників, вимірювання, спосіб, розчинів, твердих, електроопору, високоомних, питомого

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання питомого електроопору високоомних твердих розчинів напівпровідників шляхом вимірювання в низькочастотній області тангенса кута діелектричних втрат  та електроємності  вимірювального конденсатора, який утворено за допомогою плоских електродів, діелектричних шарів та досліджуваного зразка;...

Спосіб визначення розподілу електрофізичних неоднорідностей в кристалічних матеріалах

Завантаження...

Номер патенту: 92595

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Абашин Сергій Леонідович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Сулима Сергій Віталійович, Олійник Сергій Володимирович, Комарь Віталій Корнійович, Чугай Олег Миколайович

МПК: G01N 27/22, G01J 5/50

Мітки: спосіб, неоднорідностей, електрофізичних, кристалічних, розподілу, матеріалах, визначення

Формула / Реферат:

Спосіб визначення розподілу електрофізичних неоднорідностей в кристалічних матеріалах шляхом переміщення електродів відносно поверхні зразка з одночасним вимірюванням в змінному електричному полі їх електрофізичних параметрів, який відрізняється тим, що на плоскому електроді розміщують еталонний зразок товщиною  з pівномірним розподілом діелектричної проникності

Спосіб вимірювання часу життя нерівноважних носіїв струму у напівпровідниках

Завантаження...

Номер патенту: 90369

Опубліковано: 26.04.2010

Автори: Сулима Сергій Віталійович, Олійник Сергій Володимирович, Чуйко Олексій Сергійович, Терзін Ігор Сергійович, Комарь Віталій Корнійович, Абашин Сергій Леонідович, Чугай Олег Миколайович, Пузіков В'ячеслав Михайлович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: спосіб, носіїв, вимірювання, струму, нерівноважних, часу, напівпровідниках, життя

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання часу життя нерівноважних носіїв струму у напівпровідниках шляхом одержання частотної залежності фотопровідності, зумовленої дією прямокутних імпульсів світла, який відрізняється тим, що вимірюють амплітуду першої гармоніки сигналу фотопровідності, одержують залежність її розкладу у ряд Фур’є від частоти слідування імпульсів фотозбудження і з цієї залежності визначають час життя нерівноважних носіїв струму.

Спосіб вимірювання питомого електроопору високоомних твердих розчинів напівпровідників

Завантаження...

Номер патенту: 90037

Опубліковано: 25.03.2010

Автори: Сулима Сергій Віталійович, Герасименко Андрій Спартакович, Морозов Дмитро Сергійович, Олійник Сергій Володимирович, Абашин Сергій Леонідович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Чугай Олег Миколайович, Комарь Віталій Корнійович

МПК: G01R 31/26

Мітки: високоомних, розчинів, питомого, вимірювання, твердих, електроопору, спосіб, напівпровідників

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання питомого електроопору високоомних твердих розчинів напівпровідників шляхом вимірювання тангенса кута діелектричних втрат вимірювального конденсатора, який утворений за допомогою плоских електродів діелектричних шарів та досліджуваного зразка, у залежності від частоти змінного електричного поля в низькочастотній області, який відрізняється тим, що вимірюють електроємність вимірювального конденсатора, а питомий електроопір rs...

Спосіб отримання спектрометричного детектора на основі сполуки cdznte

Завантаження...

Номер патенту: 40036

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Загоруйко Юрій Анатолійович, Коваленко Назар Олегович, Христьян Володимир Анатолійович, Герасименко Андрій Спартакович, Сулима Сергій Віталійович, Комарь Віталій Корнійович, Федоренко Ольга Олександрівна

МПК: H01L 21/302

Мітки: cdznte, спосіб, основі, сполуки, детектора, спектрометричного, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання детекторів на основі кристалів CdZnTe, який включає механічну обробку поверхні, видалення порушеного шару шляхом хімічного травлення поверхні, просушування, отримання захисного шару на поверхні, нанесення електричних контактів на протилежні поверхні кристала, який відрізняється тим, що спочатку наносять електричні контакти на вказані поверхні, після чого отримують захисний шар шляхом опромінювання УФ випромінюванням у...

Спосіб визначення фотоактивних центрів в кристалічних матеріалах

Завантаження...

Номер патенту: 77464

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Сулима Сергій Віталійович, Чугай Олег Миколайович, Мигаль Валерій Павлович, Абашин Сергій Леонідович, Комарь Віталій Корнійович, Пузіков В'ячеслав Михайлович

МПК: G01N 21/63, G01J 1/10

Мітки: кристалічних, матеріалах, центрів, визначення, фотоактивних, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб визначення фотоактивних центрів в кристалічних матеріалах шляхом вимірювання залежності ефективної діелектричної проникності і коефіцієнта діелектричних втрат зразка від довжини хвилі фотозбудження та побудови відповідних діаграм в комплексній площині з використанням вимірювання при планарній та об'ємній схемах розміщення електродів на зразку, визначення значень довжини хвилі λі фотозбудження як таких, що відповідають...

Спосіб визначення фотоактивних центрів в кристалічних матеріалах

Завантаження...

Номер патенту: 66107

Опубліковано: 15.04.2004

Автори: Комарь Віталій Корнійович, Абашин Сергій Леонідович, Чугай Олег Миколаєвич, Сулима Сергій Віталійович, Мигаль Валерій Павлович

МПК: G01N 13/10

Мітки: визначення, кристалічних, фотоактивних, спосіб, центрів, матеріалах

Формула / Реферат:

1. Спосіб визначення фотоактивних центрів в кристалічних матеріалах шляхом вимірювання залежності ефективних діелектричної проникності і коефіцієнта діелектричних втрат зразка від довжини хвилі фотозбудження та побудови відповідних діаграм в комплексній площині, який відрізняється тим, що вимірювання послідовно виконують при поверхневій та об'ємній схемах розміщення електродів на зразку та його збудження, граничні довжини хвиль

Спосіб вимірювання приповерхневого електростатичного потенціалу в напівпровіднику

Завантаження...

Номер патенту: 65426

Опубліковано: 15.03.2004

Автори: Сулима Сергій Віталійович, Чугай Олег Миколайович, Комарь Віталій Корнійович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Мигаль Валерій Павлович, Олійник Сергій Володимирович

МПК: G01N 13/10

Мітки: спосіб, приповерхневого, електростатичного, потенціалу, напівпровіднику, вимірювання

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання приповерхневого електростатичного потенціалу в напівпровіднику, що включає отримання залежності від довжини хвилі фотозбудження приросту ефективних значень діелектричної проникності і коефіцієнта діелектричних втрат зразка, побудову в комплексній площині відповідних діаграм, з яких визначається характеристична довжина хвилі λi та глибина залягання відповідного енергетичного рівня відносно верхньої межі валентної зони...

Спосіб акустичної обробки п’єзоелектричних кристалічних матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 62757

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Фомін Олександр Сергійович, Сулима Сергій Віталійович, Чугай Олег Миколайович, Клименко Ігор Андрійович, Мигаль Валерій Павлович

МПК: H01L 21/00, H01L 21/263

Мітки: кристалічних, акустичної, матеріалів, п'єзоелектричних, спосіб, обробки

Формула / Реферат:

Спосіб акустичної обробки п'єзоелектричних кристалічних матеріалів шляхом послідовного збудження найбільш нестабільних власних пружних коливань та вимірювання при цьому їх частоти, амплітуди та стабільності в часі, який відрізняється тим, що в кристалічному зразку збуджують високочастотні власні пружні коливання, які промодульовані прямокутними імпульсами при одночасному монохроматичному підсвічуванні з області максимуму домішкової...