Герасименко Андрій Спартакович
Монокристалічний матеріал на основі селеніду кадмію, легованого іонами хрому
Номер патенту: 102557
Опубліковано: 10.11.2015
Автори: Капустник Олексій Костянтинович, Коваленко Назар Олегович, Герасименко Андрій Спартакович
МПК: C30B 11/00
Мітки: легованого, іонами, матеріал, селеніду, монокристалічний, кадмію, основі, хрому
Формула / Реферат:
Монокристалічний матеріал на основі селеніду кадмію, легованого іонами хрому, який відрізняється тим, що додатково містить акцепторну домішку срібла у концентрації 1÷8×10-3 мас. %.
Спосіб визначення фотоактивних центрів в кристалічних матеріалах
Номер патенту: 78882
Опубліковано: 10.04.2013
Автори: Чугай Олег Миколайович, Абашин Сергій Леонідович, Герасименко Андрій Спартакович, Олійник Сергій Володимирович, Комарь Віталій Корнійович, Новохатська Тетяна Миколаївна, Полубояров Олексій Олександрович, Сулима Сергій Віталійович
МПК: G01N 13/00
Мітки: центрів, спосіб, фотоактивних, кристалічних, визначення, матеріалах
Формула / Реферат:
Спосіб визначення фотоактивних центрів в кристалічних матеріалах шляхом вимірювання прирощення ефективних значень діелектричної проникності та коефіцієнта діелектричних втрат в залежності від довжини хвилі монохроматичного світла з...
Спосіб отримання спектрометричного детектора на основі сполуки cdznte
Номер патенту: 71652
Опубліковано: 25.07.2012
Автори: Христьян Володимир Анатолійович, Герасименко Андрій Спартакович, Коваленко Назар Олегович, Загоруйко Юрій Анатолійович
МПК: H01L 21/302
Мітки: основі, спосіб, спектрометричного, cdznte, детектора, сполуки, отримання
Формула / Реферат:
Спосіб отримання спектрометричних детекторів на основі сполуки CdZnTe, який включає механічну обробку поверхні, промивання, просушування, видалення порушеного приповерхневого шару шляхом опромінення поверхні зразків послідовністю лазерних імпульсів з довжиною хвилі випромінювання менше 790 нм, тривалістю імпульсів не більше 1,0 мкс, середньою щільністю потужності імпульсів 10...70 МВт/см2, дозою опромінення 0,25...3,0 Дж/см2, нанесення...
Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього іч діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку
Номер патенту: 65066
Опубліковано: 25.11.2011
Автори: Христьян Володимир Анатолійович, Комарь Віталій Корнійович, Коваленко Назар Олегович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Загоруйко Юрій Анатолійович, Герасименко Андрій Спартакович
МПК: C30B 11/00
Мітки: середнього, кристалічний, діапазону, матеріал, основі, елементів, селеніду, цинку, активних, частоти, перестроюванням, лазерів
Формула / Реферат:
Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого двовалентними іонами хрому і заліза, який відрізняється тим, що додатково містить домішку магнію і створює твердий розчин заміщення Cr2+:Fe2+:Zn1-xMgxSe при 0,13<х<0,60.
Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього іч діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого іонами заліза
Номер патенту: 95882
Опубліковано: 12.09.2011
Автори: Пузіков В'ячеслав Михайлович, Герасименко Андрій Спартакович, Христьян Володимир Анатолійович, Комарь Віталій Корнійович, Коваленко Назар Олегович, Загоруйко Юрій Анатолійович
МПК: C30B 29/10, C30B 29/46, C30B 11/00 ...
Мітки: лазерів, іонами, кристалічний, елементів, заліза, активних, перестроюванням, легованого, основі, селеніду, цинку, частоти, середнього, діапазону, матеріал
Формула / Реферат:
Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого іонами заліза, який відрізняється тим, що додатково містить домішку магнію, вміст якої складає 0,11<х<0,60 і створює твердий розчин заміщення Fe2+:Zn1-хMgxSe.
Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього іч діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого хромом
Номер патенту: 94142
Опубліковано: 11.04.2011
Автори: Коваленко Назар Олегович, Комарь Віталій Корнійович, Федоренко Ольга Олександрівна, Загоруйко Юрій Анатолійович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Герасименко Андрій Спартакович
МПК: C30B 29/46, C30B 29/10, C30B 11/00 ...
Мітки: цинку, матеріал, легованого, частоти, лазерів, активних, перестроюванням, селеніду, діапазону, основі, елементів, кристалічний, хромом, середнього
Формула / Реферат:
Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого хромом, який відрізняється тим, що матеріал додатково містить домішку магнію і створює твердий розчин заміщення Zn1-xMgxSe:Cr2+ при 0,22<х<0,6, де х - частка домішкових іонів магнію в катіонній підрешітці.
Спосіб вимірювання питомого електроопору високоомних твердих розчинів напівпровідників
Номер патенту: 90037
Опубліковано: 25.03.2010
Автори: Комарь Віталій Корнійович, Олійник Сергій Володимирович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Морозов Дмитро Сергійович, Чугай Олег Миколайович, Сулима Сергій Віталійович, Абашин Сергій Леонідович, Герасименко Андрій Спартакович
МПК: G01R 31/26
Мітки: твердих, напівпровідників, питомого, електроопору, високоомних, спосіб, розчинів, вимірювання
Формула / Реферат:
Спосіб вимірювання питомого електроопору високоомних твердих розчинів напівпровідників шляхом вимірювання тангенса кута діелектричних втрат вимірювального конденсатора, який утворений за допомогою плоских електродів діелектричних шарів та досліджуваного зразка, у залежності від частоти змінного електричного поля в низькочастотній області, який відрізняється тим, що вимірюють електроємність вимірювального конденсатора, а питомий електроопір rs...
Спосіб отримання спектрометричного детектора на основі сполуки cdznte
Номер патенту: 40036
Опубліковано: 25.03.2009
Автори: Христьян Володимир Анатолійович, Коваленко Назар Олегович, Загоруйко Юрій Анатолійович, Комарь Віталій Корнійович, Сулима Сергій Віталійович, Федоренко Ольга Олександрівна, Герасименко Андрій Спартакович
МПК: H01L 21/302
Мітки: детектора, основі, сполуки, cdznte, отримання, спосіб, спектрометричного
Формула / Реферат:
Спосіб отримання детекторів на основі кристалів CdZnTe, який включає механічну обробку поверхні, видалення порушеного шару шляхом хімічного травлення поверхні, просушування, отримання захисного шару на поверхні, нанесення електричних контактів на протилежні поверхні кристала, який відрізняється тим, що спочатку наносять електричні контакти на вказані поверхні, після чого отримують захисний шар шляхом опромінювання УФ випромінюванням у...