Патенти з міткою «оптоелектроніки»

Номер патенту: 43566

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Сусліков Леонід Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Краньчец Младен

МПК: G01K 17/00

Мітки: оптоелектроніки, твердого, основі, функціональних, матеріал, розчину, пристроїв, селеніду, галію-індію, напівпровідникового, монокристалів

Формула / Реферат:

Матеріал для функціональних пристроїв оптоелектроніки на основі монокристалів напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію, який відрізняється тим, що як активний елемент використаний монокристал напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0.4In0.6)2Se3.

Номер патенту: 87210

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Краньчец Младен, Сусліков Леонід Михайлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G02F 1/29

Мітки: основі, пристроїв, твердого, галію-індію, розчину, матеріал, функціональних, селеніду, оптоелектроніки, напівпровідникового

Формула / Реферат:

Матеріал для функціональних пристроїв оптоелектроніки на основі напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію, який відрізняється тим, що як матеріал використовують монокристал напівпровідникового твердого розчину складу, що відповідає формулі (Ga0.2In0.8)2Se3.

Номер патенту: 86114

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Сусліков Леонід Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Краньчец Младен

МПК: G02F 1/01, H01S 3/10

Мітки: пристроїв, розчину, оптоелектроніки, селеніду, функціональних, матеріал, напівпровідникового, твердого, галію-індію, монокристалів, основі

Формула / Реферат:

Матеріал для функціональних пристроїв оптоелектроніки на основі монокристалів напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію, який відрізняється тим, що як активний елемент використаний монокристал напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Gа0.1In0.9)2Sе3.

Номер патенту: 34945

Опубліковано: 26.08.2008

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Сусліков Леонід Михайлович, Краньчец Младен

МПК: G01K 17/08

Мітки: матеріалу, твердого, селеніду, оптоелектроніки, розчину, пристроїв, ga0.3in0.7)2se3, галію-індію, застосування, напівпровідникового, функціональних, монокристала

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0,3Іn0,7)2Sе3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки.

Номер патенту: 30108

Опубліковано: 11.02.2008

Автори: Краньчец Младен, Сусліков Леонід Михайлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01K 17/00

Мітки: матеріалу, розчину, галію-індію, ga0,2in0,8)2se3, напівпровідникового, монокристала, пристроїв, функціональних, оптоелектроніки, твердого, селеніду, застосування

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію  як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки.

Номер патенту: 26301

Опубліковано: 10.09.2007

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Краньчец Младен, Сусліков Леонід Михайлович

МПК: G01K 17/08

Мітки: селеніду, функціональних, монокристала, 0,9)2se3, напівпровідникового, оптоелектроніки, матеріалу, пристроїв, галію-індію, твердого, розчину, застосування

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію - індію (Ga0.1In0.9)2Se3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки.

Номер патенту: 77498

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Сиромятніков Володимир Георгійович, Савченко Ірина Олександрівна, Давиденко Ірина Іванівна, Давиденко Микола Олександрович

МПК: C09B 45/00, G03C 1/73, G11B 7/24 ...

Мітки: середовище, електромагнітооптичне, оптоелектроніки

Формула / Реферат:

Електромагнітооптичне середовище для оптоелектроніки, яке містить тверду прозору підкладку та світлочутливий шар на основі полімеру з азобензольними групами, яке відрізняється тим, що як світлочутливий шар використана  плівка полікомплексу 4-метакрилоїлокси-(4'-карбокси-3'-оксі)азобензолу з металом ыз структурною формулою , де М - іон дворазово іонізованого...

Номер патенту: 69674

Опубліковано: 15.09.2004

Автори: Шевченко Денис Вячеславович, Давиденко Микола Олександрович, Давиденко Ірина Іванівна, Кокозей Володимир Миколайович

МПК: G11B 27/19, G02F 1/01, H01L 31/00 ...

Мітки: середовище, оптоелектроніки, оптичне, фотопровідне

Формула / Реферат:

Фотопровідне оптичне середовище для оптоелектроніки, що складається з твердої прозорої підкладки з послідовно нанесеними прозорим електропровідним шаром та світлочутливим шаром на основі олігомеру полі-N-епоксипропілкарбазолу (ПЕПК) з домішкою сполуки перехідного металу, яке відрізняється тим, що як домішка у світлочутливий шар введена гетерометалічна координаційна сполука [NiL][MnCl4] (L - 4,6,6-триметил-1,9-діаміно-3,7-діаза-нона-3-єн) при...