Сусліков Леонід Михайлович

Номер патенту: 100189

Опубліковано: 26.11.2012

Автори: Бучук Роман Юрійович, Неймет Юрій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Сусліков Леонід Михайлович, Пономарьов Вадим Євгенович, Мінець Юрій Васильович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: твердоелектролітичного, нанокристалічного, джерела, йодид-пентатіофосфату, матеріалу, суперіонної, основі, кераміки, енергії, міді, застосування, cu6ps5i

Формула / Реферат:

Застосування суперіонної кераміки на основі нанокристалічного йодид-пентатіофосфату міді Сu6РS5І як матеріалу, що має високу іонну електропровідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 98864

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Панько Василь Васильович, Сусліков Леонід Михайлович, Пономарьов Вадим Євгенович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01M 6/18

Мітки: спосіб, міді, cu6ps5cl, хлорид-пентатіофосфату, одержання, полікристалічного, композиту, основі

Формула / Реферат:

Спосіб одержання композиту на основі полікристалічного хлорид-пентатіофосфату міді Cu6PS5Cl, який включає синтез сполуки Cu6PS5Cl, який відрізняється тим, що синтезовану сполуку Cu6PS5Cl подрібнюють до стану мікрокристалічного порошку з середнім діаметром частинок 50 мкм, який змішують з полівінілацетатом, пресують під тиском 150 МПа в таблетки діаметром 8 мм та товщиною 0,2-2 мм і висушують при кімнатній температурі протягом 15 годин з...

Номер патенту: 64541

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Неймет Юрій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Пономарьов Вадим Євгенович, Сусліков Леонід Михайлович, Бучук Роман Юрійович, Мінець Юрій Васильович

МПК: H01M 6/18

Мітки: нанокристалічного, йодид-пентатіофосфату, енергії, джерела, cu6ps5i, основі, суперіонної, кераміки, застосування, міді, твердоелектролітичного, матеріалу

Формула / Реферат:

Застосування суперіонної кераміки на основі нанокристалічного йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу, що має високу іонну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 60128

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Пономарьов Вадим Євгенович, Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович, Сусліков Леонід Михайлович

МПК: H01M 6/18

Мітки: матеріалу, cu6ps5cl, застосування, джерела, полікристалічного, твердоелектролітичного, композиту, хлорид-пентатіофосфату, міді, енергії

Формула / Реферат:

Застосування полікристалічного хлорид-пентатіофосфату міді Cu6PS5Cl як матеріалу композиту, що має високу іонну електропровідність та низьку енергію активації провідності, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 43566

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Сусліков Леонід Михайлович, Краньчец Младен

МПК: G01K 17/00

Мітки: напівпровідникового, пристроїв, розчину, функціональних, основі, галію-індію, монокристалів, селеніду, твердого, оптоелектроніки, матеріал

Формула / Реферат:

Матеріал для функціональних пристроїв оптоелектроніки на основі монокристалів напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію, який відрізняється тим, що як активний елемент використаний монокристал напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0.4In0.6)2Se3.

Номер патенту: 87210

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Сусліков Леонід Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Краньчец Младен

МПК: G02F 1/29

Мітки: розчину, основі, оптоелектроніки, селеніду, матеріал, твердого, функціональних, напівпровідникового, пристроїв, галію-індію

Формула / Реферат:

Матеріал для функціональних пристроїв оптоелектроніки на основі напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію, який відрізняється тим, що як матеріал використовують монокристал напівпровідникового твердого розчину складу, що відповідає формулі (Ga0.2In0.8)2Se3.

Номер патенту: 86114

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Краньчец Младен, Сусліков Леонід Михайлович

МПК: H01S 3/10, G02F 1/01

Мітки: монокристалів, оптоелектроніки, пристроїв, селеніду, напівпровідникового, матеріал, функціональних, твердого, розчину, основі, галію-індію

Формула / Реферат:

Матеріал для функціональних пристроїв оптоелектроніки на основі монокристалів напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію, який відрізняється тим, що як активний елемент використаний монокристал напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Gа0.1In0.9)2Sе3.

Номер патенту: 34945

Опубліковано: 26.08.2008

Автори: Краньчец Младен, Студеняк Ігор Петрович, Сусліков Леонід Михайлович

МПК: G01K 17/08

Мітки: матеріалу, твердого, монокристала, функціональних, ga0.3in0.7)2se3, селеніду, пристроїв, галію-індію, оптоелектроніки, напівпровідникового, розчину, застосування

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0,3Іn0,7)2Sе3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки.

Номер патенту: 30108

Опубліковано: 11.02.2008

Автори: Сусліков Леонід Михайлович, Краньчец Младен, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01K 17/00

Мітки: напівпровідникового, застосування, монокристала, ga0,2in0,8)2se3, галію-індію, розчину, твердого, матеріалу, пристроїв, селеніду, оптоелектроніки, функціональних

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію  як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки.

Номер патенту: 26301

Опубліковано: 10.09.2007

Автори: Сусліков Леонід Михайлович, Краньчец Младен, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01K 17/08

Мітки: галію-індію, оптоелектроніки, селеніду, матеріалу, твердого, функціональних, 0,9)2se3, напівпровідникового, розчину, застосування, пристроїв, монокристала

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію - індію (Ga0.1In0.9)2Se3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки.

Номер патенту: 18898

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Гадьмаші Золтан Павлович, Хазітарханов Юрій Альбертович, Сливка Володимир Юлійович, Сусліков Леонід Михайлович

МПК: G01N 21/21

Мітки: спосіб, двопроменезаломлення, вимірювання, дисперсії

Формула / Реферат:

Способ измерения дисперсии двулучепреломления, заключающийся в том, что свет от источника направляют через монохроматор и поляризатор на исследуемый кристалл и анализатор и регистрируют блоком регистрации оптическую разность хода перпендикулярно поляризованных компонент, отличающийся тем, что свет направляют на кристалл под углами φ1 и φ2 к направлению его оптической оси, а целью часть оптической разности хода перпендикулярно...