Спосіб вирощування кристалів твердих розчинів галій-індій-сурма

Номер патенту: 31909

Опубліковано: 25.04.2008

Автори: Кожемякін Геннадій Миколайович, Рубан Роман Володимирович

МПК: C30B 29/32, C30B 15/00

Мітки: розподілом, кристалів, розчинів, спосіб, однорідним, галію, галій-індій-сурма, твердих, вирощування, кристала, уздовж

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів твердих розчинів галій-індій-сурма з однорідним розподілом галію уздовж кристала, який полягає в тому, що живлення розплаву здійснюють шляхом введення в розплав зливка підживлення, який відрізняється тим, що зливок підживлення хімічної сполуки галію-сурми, що має площу поперечного перерізу від 2,5 до 50 % від площі поперечного перерізу кристала, вводять у розплав галій-індій-сурма зі швидкістю, що відрізняється...

Номер патенту: 6610

Опубліковано: 16.05.2005

Автори: Луцький Денис Валерійович, Кожемякін Геннадій Миколайович

МПК: C30B 15/00

Мітки: твердих, кристала, розчинів, вісмуту, регульованим, спосіб, уздовж, сурма-вісмут, кристалів, неоднорідним, розподілом, вирощування

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування кристалів твердих розчинів сурма-вісмут з регульованим неоднорідним розподілом вісмуту уздовж кристала, який полягає у тому, що живлення розплаву здійснюють шляхом введення в розплав зливка підживлення, який відрізняється тим, що зливок вісмуту вводять у розплав сурми зі швидкістю від 0,1 до 0,3 мм/хв, при цьому рівень розплаву в тиглі не змінюють, а температуру на фронті кристалізації в процесі росту зменшують від...

Номер патенту: 46511

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Налівкін Михайло Олексійович, Кожемякін Геннадій Миколайович

МПК: C30B 29/32, C30B 15/00

Мітки: уздовж, кристалів, компонентів, розподілом, неоднорідним, зливка, спосіб, сплавів, вирощування, вісмут-сурма

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів сплавів вісмут-сурма з неоднорідним розподілом компонентів уздовж зливка, у якому живлення розплаву здійснюють шляхом введення у розплав зливка сурми, який відрізняється тим, що розплав підживлюють твердою сурмою із змінною швидкістю від 0,56 до 0,5 мм/хв., концентрацію сурми у розплаві змінюють від 0,1 до 6,62 ат. %, а температуру на фронті кристалізації підвищують від 272°С до 300°С.

Номер патенту: 33016

Опубліковано: 10.06.2008

Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Бучковський Іван Аполінарійович, Величук Денис Дмитрович

МПК: H01L 35/32, B28D 5/00

Мітки: кристалів, процес, bi-te-se-sb, твердих, розчинів, обробки

Формула / Реферат:

Процес обробки кристалів твердих розчинів Bi-Te-Se-Sb, що включає етапи розташування кристалів на станку, орієнтування за допомогою автоколіматора та наступного різання, який відрізняється тим, що етап орієнтування кристалів на автоколіматорі виконують безконтактним методом індуктивним кільцевим датчиком з розрізом, в якому розміщена вставка з діамагнітного високопровідного матеріалу, при цьому датчик жорстко зафіксований відносно площини...

Номер патенту: 61223

Опубліковано: 17.11.2003

Автори: Просвірнін Андрій Леонідович, Світанько Микола Вікторович, Кудрявцев Дмитро Петрович, Оселедчик Юрій Семенович

МПК: C30B 17/00

Мітки: вирощування, спосіб, sr4b14o25, кристалів, стронцію, борату

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів борату стронцію Sr4B14O25, який включає приготування шихти з SrO і В2O3, розплавлення її з наступним охолодженням і вирощування монокристалів на орієнтовану затравку з обертанням і програмованим витягуванням, який відрізняється тим, що в шихту вводять В2О3 у кількості 64 - 65 mol%.