Патенти з міткою «gаsе»
Застосування напівпровідникового кристала gаsе як термометричної речовини для термометра на основі ядерного квадрупольного резонансу
Номер патенту: 84872
Опубліковано: 11.11.2013
Автори: Раранський Микола Дмитрович, Саміла Андрій Петрович, Балазюк Віталій Назарович, Хандожко Віктор Олександрович, Ковалюк Захар Дмитрович
МПК: G01N 24/00
Мітки: gаsе, термометра, термометричної, ядерного, резонансу, речовини, квадрупольного, застосування, основі, напівпровідникового, кристала
Формула / Реферат:
Застосування напівпровідникового кристала GaSe як термометричної речовини для термометра на основі ядерного квадрупольного резонансу.
Спосіб виготовлення монокристалічних плівок селеніду кадмію гексагональної структури на підкладинках шаруватих кристалів gаsе
Номер патенту: 76617
Опубліковано: 10.01.2013
Автор: Кудринський Захар Русланович
МПК: H01G 4/06
Мітки: кадмію, підкладинках, монокристалічних, виготовлення, кристалів, плівок, gаsе, гексагональної, шаруватих, спосіб, селеніду, структури
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення монокристалічних плівок селеніду кадмію гексагональної структури на підкладинках шаруватих кристалів GaSe, що включає їх відпал у парі кадмію, який відрізняється тим, що як підкладинки використовуються шаруваті кристали моноселеніду галію.