Патенти з міткою «підкладинках»

Спосіб створення поверхневої наноструктури на підкладинках cd1-xmnxte (0,04<=x<=0,45)

Завантаження...

Номер патенту: 119883

Опубліковано: 10.10.2017

Автори: Сльотов Олексій Михайлович, Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 21/477

Мітки: cd1-xmnxte, поверхневої, спосіб, наноструктури, створення, 0,04<=x<=0,45, підкладинках

Формула / Реферат:

Спосіб створення поверхневої наноструктури на підкладинках Cd1-xMnxTe (0,04≤x≤0,45), що включає механічне і хімічне полірування підкладинок та їх відпал на повітрі, який відрізняється тим, що відпал підкладинок проводять при температурі 650±20 °C протягом часу, який визначають за емпіричним виразом tв=35+1,3·x, хв.

Спосіб виготовлення монокристалічних плівок селеніду кадмію гексагональної структури на підкладинках шаруватих кристалів gаsе

Завантаження...

Номер патенту: 76617

Опубліковано: 10.01.2013

Автор: Кудринський Захар Русланович

МПК: H01G 4/06

Мітки: gаsе, структури, кадмію, монокристалічних, гексагональної, плівок, спосіб, селеніду, шаруватих, виготовлення, підкладинках, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення монокристалічних плівок селеніду кадмію гексагональної структури на підкладинках шаруватих кристалів GaSe, що включає їх відпал у парі кадмію, який відрізняється тим, що як підкладинки використовуються шаруваті кристали моноселеніду галію.

Склофріта для ізоляційних покрить на сталевих та тітанових підкладинках

Завантаження...

Номер патенту: 8553

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Козирєва Тетяна Іванівна, Голеус Віктор Іванович, Звонарьова Олена Яківна, Марченко Анатолій Володимирович, Різун Василь Іванович, Максимович Світлана Іллівна, Осечкін Сергій Іванович

МПК: C03C 8/02

Мітки: титанових, покрить, ізоляційних, сталевих, підкладинках, склофріта

Формула / Реферат:

Стеклофритта для изоляционных покрытий на стальных и титановых подложках, включающая SiO2, В2О3, CaO, MgO, отличающаяся тем, что, с целью повышения прочности сцепления, она до­полнительно содержит CoO и МnО при следующем соотношении компонентов, мас.%: SiO2 16,8-33,8; В2О3 8,1-26,1; CaO 25,4-45,8; MgO 12,2-29,9; CoO 0,1-1,4; МnО 0,1-1,4.