Патенти з міткою «гетероструктура»

Номер патенту: 66595

Опубліковано: 10.01.2012

Автори: Демінський Петро Віталійович, Осінський Володимир Іванович, Масол Ігор Віталійович, Ляхова Ніна Олегівна

МПК: H01L 33/26

Мітки: гетероструктура, напівпровідникова

Формула / Реферат:

1. Напівпровідникова гетероструктура, що містить монокристалічний шар, електричні контакти, яка відрізняється тим, що напівпровідникова гетероструктура виготовлена із нітриду галію (GaN) на підкладці Аl2О3, де між підкладкою (Аl2О3) та шаром нітриду галію (GaN) розташовано наноструктурований в площині підкладки шар карбіду кремнію (SiC) заданої структурної орієнтації (політипу).2. Напівпровідникова гетероструктура, за п. 1, яка...

Номер патенту: 57157

Опубліковано: 10.02.2011

Автори: Мар'янчук Павло Дмитрович, Ковалюк Захар Дмитрович, Брус Віктор Васильович

МПК: H01L 33/26

Мітки: світловипромінююча, напівпровідникова, гетероструктура

Формула / Реферат:

Світловипромінююча напівпровідникова гетероструктура, що містить монокристалічний шар фосфіду галію n-типу провідності, епітаксійний шар фосфіду галію n-типу провідності, тиловий та фронтальний електричні контакти, яка відрізняється тим, що на епітаксійний шар фосфіду галію нанесена плівка діоксиду титану n-типу провідності, на якій розташований фронтальний електричний контакт, а тиловий електричний контакт розташований на монокристалічному...