H01L 33/26 — матеріали світловипромінюючих області
Напівпровідникова гетероструктура
Номер патенту: 66595
Опубліковано: 10.01.2012
Автори: Демінський Петро Віталійович, Масол Ігор Віталійович, Осінський Володимир Іванович, Ляхова Ніна Олегівна
МПК: H01L 33/26
Мітки: гетероструктура, напівпровідникова
Формула / Реферат:
1. Напівпровідникова гетероструктура, що містить монокристалічний шар, електричні контакти, яка відрізняється тим, що напівпровідникова гетероструктура виготовлена із нітриду галію (GaN) на підкладці Аl2О3, де між підкладкою (Аl2О3) та шаром нітриду галію (GaN) розташовано наноструктурований в площині підкладки шар карбіду кремнію (SiC) заданої структурної орієнтації (політипу).2. Напівпровідникова гетероструктура, за п. 1, яка...
Спосіб виготовлення світлодіода на основі органічного напівпровідникового матеріалу
Номер патенту: 58198
Опубліковано: 11.04.2011
Автори: Готра Зенон Юрійович, Волинюк Дмитро Юрійович, Черпак Владислав Володимирович, Возняк Леся Юріївна, Костів Наталія Володимирівна, Стахіра Павло Йосипович
МПК: H01L 33/26
Мітки: напівпровідникового, основі, матеріалу, виготовлення, органічного, спосіб, світлодіода
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення світлодіода на основі органічного напівпровідникового матеріалу, згідно з яким на підкладці з електропровідним покриттям оксиду індію наносять дірково транспортний шар, зверху наносять органічну напівпровідникову плівку трихінолінат алюмінію та поверх якої формують алюмінієвий електрод, який відрізняється тим, що дірково транспортний шар виконаний з органічного напівпровідникового матеріалу фталоціаніну нікелю.
Світловипромінююча напівпровідникова гетероструктура
Номер патенту: 57157
Опубліковано: 10.02.2011
Автори: Брус Віктор Васильович, Ковалюк Захар Дмитрович, Мар'янчук Павло Дмитрович
МПК: H01L 33/26
Мітки: гетероструктура, напівпровідникова, світловипромінююча
Формула / Реферат:
Світловипромінююча напівпровідникова гетероструктура, що містить монокристалічний шар фосфіду галію n-типу провідності, епітаксійний шар фосфіду галію n-типу провідності, тиловий та фронтальний електричні контакти, яка відрізняється тим, що на епітаксійний шар фосфіду галію нанесена плівка діоксиду титану n-типу провідності, на якій розташований фронтальний електричний контакт, а тиловий електричний контакт розташований на монокристалічному...