Ляхова Ніна Олегівна

Номер патенту: 66595

Опубліковано: 10.01.2012

Автори: Демінський Петро Віталійович, Осінський Володимир Іванович, Ляхова Ніна Олегівна, Масол Ігор Віталійович

МПК: H01L 33/26

Мітки: гетероструктура, напівпровідникова

Формула / Реферат:

1. Напівпровідникова гетероструктура, що містить монокристалічний шар, електричні контакти, яка відрізняється тим, що напівпровідникова гетероструктура виготовлена із нітриду галію (GaN) на підкладці Аl2О3, де між підкладкою (Аl2О3) та шаром нітриду галію (GaN) розташовано наноструктурований в площині підкладки шар карбіду кремнію (SiC) заданої структурної орієнтації (політипу).2. Напівпровідникова гетероструктура, за п. 1, яка...

Номер патенту: 66594

Опубліковано: 10.01.2012

Автори: Осінський Володимир Іванович, Ляхова Наталія Миколаївна, Ляхова Ніна Олегівна, Масол Ігор Віталійович

МПК: H01L 21/00, H01L 33/00

Мітки: пристрій, вирощування, гетероструктур, епітаксійного, напівпровідникових

Формула / Реферат:

1. Пристрій для епітаксійного вирощування напівпровідникових гетероструктур, що містить підкладки, камеру, трубчаті канали, який відрізняється тим, що камера виконана у вигляді реактора з керованою системою нагріву підкладок, розташованих на підставці, трубчатих каналів подачі газів-носіїв в реактор, причому в трубчаті канали введені газорозрядні комірки з електродами із алюмінію або галію, або індію, або їх сплавів без або з легуючими...