Патенти з міткою «світловипромінююча»
Світловипромінююча структура
Номер патенту: 110543
Опубліковано: 12.01.2016
Автори: Гродзюк Галина Ярославівна, Карачевцева Людмила Анатоліївна, Сапельнікова Олена Юріївна, Раєвська Олександра Євгеніївна, СТРОЮК ОЛЕКСАНДР ЛЕОНІДОВИЧ, КУЧМІЙ СТЕПАН ЯРОСЛАВОВИЧ, Стронська Олена Йосипівна, Литвиненко Олег Олександрович
МПК: B82B 3/00, G02B 5/00, B82B 1/00 ...
Мітки: світловипромінююча, структура
Формула / Реферат:
Світловипромінююча структура на основі кремнієвої матриці з макропорами у вигляді паралельно розташованих циліндрів, на поверхні яких міститься світловипромінюючий шар нанокристалів, яка відрізняється тим, що світловипромінюючий шар виконаний з нанокристалів CdS в поліетиленіміні, який нанесено на додатковий шар SiO2 товщиною 10÷20 нм.
Світловипромінююча комірка
Номер патенту: 77613
Опубліковано: 25.02.2013
Автори: Зайцев Роман Валентинович, Хрипунов Геннадій Семенович, Кіріченко Михайло Валерійович, Копач Володимир Романович
МПК: H01L 21/66, G01R 31/26
Мітки: світловипромінююча, комірка
Формула / Реферат:
Світловипромінююча комірка, яка складається зі світлодіодів з безперервним спектром випромінювання в діапазоні довжин хвиль 0,38-1,10 мкм, розміщених по концентричній окружності на рівних відстанях один від одного у порядку чергування, яка відрізняється тим, що матричні світлодіоди розміщено на компактній системі охолодження, інтегровану систему керування спектральним складом їх випромінювання розміщено безпосередньо у світловипромінюючій...
Світловипромінююча напівпровідникова гетероструктура
Номер патенту: 57157
Опубліковано: 10.02.2011
Автори: Брус Віктор Васильович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Ковалюк Захар Дмитрович
МПК: H01L 33/26
Мітки: гетероструктура, світловипромінююча, напівпровідникова
Формула / Реферат:
Світловипромінююча напівпровідникова гетероструктура, що містить монокристалічний шар фосфіду галію n-типу провідності, епітаксійний шар фосфіду галію n-типу провідності, тиловий та фронтальний електричні контакти, яка відрізняється тим, що на епітаксійний шар фосфіду галію нанесена плівка діоксиду титану n-типу провідності, на якій розташований фронтальний електричний контакт, а тиловий електричний контакт розташований на монокристалічному...