Патенти з міткою «нематичного»

Номер патенту: 115898

Опубліковано: 10.01.2018

Автори: Бендак Андрій Васильович, Пал Юрій Олександрович, Тімко Мілан, Ковальчук Олександр Васильович, Копчанський Петер, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G02F 1/13

Мітки: кристала, композита, 6св, спосіб, основі, одержання, рідкого, нематичного

Формула / Реферат:

Спосіб одержання композита на основі нематичного рідкого кристала 6СВ, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал вносять наночастинки суперіонного провідника.

Номер патенту: 111241

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Тімко Мілан, Студеняк Ігор Петрович, Копчанський Петер, Бендак Андрій Васильович, Ковальчук Олександр Васильович, Студеняк Віктор Ігорович

МПК: G01R 3/00, G02F 1/13

Мітки: нематичного, 6снвт, cu6ps5i, рідкого, кристалу, підвищення, суперіонного, електричної, нього, провідника, внесення, шляхом, наночастинок, спосіб, провідності

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення електричної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу 6СНВТ, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал 6СНВТ вносять наночастинки суперінного провідника Cu6PS5I, внаслідок чого отриманий композит має електричну провідність, яка перевищує електричну провідність нематичного рідкого кристалу 6СНВТ без наночастинок майже на порядок.

Номер патенту: 106745

Опубліковано: 10.05.2016

Автори: Бендак Андрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Копчанський Петер, Тімко Мілан, Пал Юрій Олександрович, Ковальчук Олександр Васильович

МПК: G02F 1/13

Мітки: шляхом, нематичного, рідкого, суперіонного, електричної, наночастинок, спосіб, нього, внесення, кристалу, провідності, провідника, підвищення

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення електричної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал вносять наночастинки суперінного провідника, внаслідок чого отриманий композит на основі рідкого кристалу має електричну провідність, яка перевищує електричну провідність вихідного рідкого кристалу без наночастинок більш ніж на порядок.

Номер патенту: 99100

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Ковальчук Олександр Васильович, Копчанський Петер, Томашовічова Наталія, Завісова Власта, Тімко Мілан, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G02F 1/13

Мітки: рідкого, нематичного, провідності, спосіб, композита, іонної, кристалу, основі, підвищення

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення іонної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал вносять домішки наночастинок магнетиту та вуглецевих нанотрубок, потім їх диспергують у ПВА, внаслідок чого отриманий композит має іонну провідність, яка перевищує іонну провідність композиту без наночастинок на 5 порядків.