Студеняк Віктор Ігорович

Номер патенту: 114865

Опубліковано: 10.08.2017

Автори: Мікула Маріан, Ізай Віталій Юрійович, Студеняк Віктор Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Куш Петер, Рибак Стефан Олександрович

МПК: C23C 14/35, H01M 6/18

Мітки: основі, твердоелектролітичного, тонких, міді, енергії, йодид-пентатіофосфату, одержання, матеріалу, cu6ps5i, спосіб, високопровідних, джерела, плівок

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання високопровідних тонких плівок на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії, який відрізняється тим, що напилення здійснюють одночасно з двох магнетронів, в одному з яких використовують мішень з суперіонного матеріалу пресованого порошку Cu6PS5I, а в іншому мішень з чистої міді.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що величину електропровідності тонких...

Номер патенту: 112612

Опубліковано: 26.12.2016

Автори: Рибак Стефан Олександрович, Ізай Віталій Юрійович, Мікула Маріан, Студеняк Віктор Ігорович, Куш Петер, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01M 6/18, C01G 3/00, H01M 4/28 ...

Мітки: cu6ps5i, твердоелектролітичного, енергії, спосіб, джерела, матеріалу, основі, йодид-пентатіофосфату, плівок, високопровідних, одержання, тонких, міді

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання високопровідних тонких плівок на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії, який відрізняється тим, що напилення здійснюють одночасно з двох магнетронів, в одному з яких використовують мішень з суперіонного матеріалу Cu6PS5I (пресований порошок), а в іншому - мішень з чистої міді.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що величину електропровідності тонких...

Номер патенту: 111241

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Копчанський Петер, Ковальчук Олександр Васильович, Бендак Андрій Васильович, Студеняк Віктор Ігорович, Тімко Мілан, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G02F 1/13, G01R 3/00

Мітки: нематичного, електричної, cu6ps5i, 6снвт, суперіонного, рідкого, внесення, нього, підвищення, провідника, спосіб, наночастинок, провідності, кристалу, шляхом

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення електричної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу 6СНВТ, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал 6СНВТ вносять наночастинки суперінного провідника Cu6PS5I, внаслідок чого отриманий композит має електричну провідність, яка перевищує електричну провідність нематичного рідкого кристалу 6СНВТ без наночастинок майже на порядок.

Номер патенту: 112727

Опубліковано: 10.10.2016

Автори: Мікула Маріан, Машіко Владислав Володимирович, Студеняк Віктор Ігорович, Куш Петер, Ізай Віталій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Бендак Андрій Васильович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: міді, cu6ps5br, матеріалу, тонкої, основі, бромід-пентатіофосфату, плівки, джерела, застосування, твердоелектролітичного, енергії

Формула / Реферат:

Застосування бромід-пентатіофосфату міді Cu6PS5Br як матеріалу для тонкої плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 106746

Опубліковано: 10.05.2016

Автори: Студеняк Віктор Ігорович, Машіко Владислав Володимирович, Ізай Віталій Юрійович, Мікула Маріан, Бендак Андрій Васильович, Куш Петер, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: тонкої, плівки, твердоелектролітичного, матеріалу, бромід-пентатіофосфату, cu6ps5br, міді, основі, енергії, застосування, джерела

Формула / Реферат:

Застосування бромід-пентатіофосфату міді Cu6PS5Br як матеріалу для тонкої плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 111020

Опубліковано: 10.03.2016

Автори: Ямковий Олександр Олександрович, Студеняк Ігор Петрович, Студеняк Віктор Ігорович, Гуранич Павло Павлович, Демко Павло Юрійович

МПК: H01M 6/18

Мітки: аморфної, міді, плівки, твердоелектролітичного, cu6pse5i, застосування, йодид-пентаселенофосфату, енергії, джерела, матеріалу, основі

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентаселенофосфату міді Cu6PSe5I як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 97430

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Гуранич Павло Павлович, Демко Павло Юрійович, Ямковий Олександр Олександрович, Студеняк Віктор Ігорович

МПК: H01M 6/08

Мітки: застосування, йодид-пентаселенофосфату, міді, основі, джерела, матеріалу, аморфної, cu6pse5l, твердоелектролітичного, плівки, енергії

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентаселенофосфату міді Cu6PSe5І як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.