Бендак Андрій Васильович

Номер патенту: 115898

Опубліковано: 10.01.2018

Автори: Тімко Мілан, Ковальчук Олександр Васильович, Пал Юрій Олександрович, Студеняк Ігор Петрович, Бендак Андрій Васильович, Копчанський Петер

МПК: G02F 1/13

Мітки: основі, рідкого, кристала, спосіб, нематичного, одержання, композита, 6св

Формула / Реферат:

Спосіб одержання композита на основі нематичного рідкого кристала 6СВ, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал вносять наночастинки суперіонного провідника.

Номер патенту: 121570

Опубліковано: 11.12.2017

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Бендак Андрій Васильович, Куцик Михайло Михайлович, Ізай Віталій Юрійович, Куш Петер, Соломон Андрій Михайлович

МПК: G01T 1/00

Мітки: основі, йодид-пентаселенофосфату, рентгенівського, реєстрації, випромінювання, застосування, тонкої, плівки, міді, матеріалу, cu6pse5i

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентаселенофосфату міді Cu6PSe5I як матеріалу для тонкої плівки, що проявляє чутливість до рентгенівського випромінювання, для сенсора рентгенівського випромінювання.

Номер патенту: 121566

Опубліковано: 11.12.2017

Автори: Куш Петер, Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович, Ізай Віталій Юрійович, Мікула Маріан, Бендак Андрій Васильович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: тонкої, застосування, cu6ps5i, плівки, йодид-пентатіофосфату, реєстрації, основі, випромінювання, рентгенівського, матеріалу, міді

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу для тонкої плівки, що проявляє чутливість до рентгенівського випромінювання, для сенсора рентгенівського випромінювання.

Номер патенту: 120377

Опубліковано: 25.10.2017

Автори: Бендак Андрій Васильович, Соломон Андрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Ізай Віталій Юрійович

МПК: G01T 5/10, G01T 7/02

Мітки: cu7ges5i, міді, плівки, матеріалу, реєстрації, застосування, тонкої, основі, рентгенівського, йодид-пентатіогерманату, випромінювання

Формула / Реферат:

Застосування тонкої плівки на основі йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для реєстрації рентгенівського випромінювання.

Номер патенту: 111241

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Тімко Мілан, Студеняк Віктор Ігорович, Бендак Андрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Ковальчук Олександр Васильович, Копчанський Петер

МПК: G02F 1/13, G01R 3/00

Мітки: провідності, наночастинок, електричної, нього, шляхом, cu6ps5i, кристалу, внесення, 6снвт, рідкого, спосіб, провідника, суперіонного, підвищення, нематичного

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення електричної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу 6СНВТ, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал 6СНВТ вносять наночастинки суперінного провідника Cu6PS5I, внаслідок чого отриманий композит має електричну провідність, яка перевищує електричну провідність нематичного рідкого кристалу 6СНВТ без наночастинок майже на порядок.

Номер патенту: 112727

Опубліковано: 10.10.2016

Автори: Куш Петер, Ізай Віталій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Бендак Андрій Васильович, Машіко Владислав Володимирович, Мікула Маріан, Студеняк Віктор Ігорович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: плівки, матеріалу, бромід-пентатіофосфату, основі, міді, твердоелектролітичного, cu6ps5br, застосування, джерела, енергії, тонкої

Формула / Реферат:

Застосування бромід-пентатіофосфату міді Cu6PS5Br як матеріалу для тонкої плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 106746

Опубліковано: 10.05.2016

Автори: Машіко Владислав Володимирович, Ізай Віталій Юрійович, Куш Петер, Мікула Маріан, Студеняк Ігор Петрович, Бендак Андрій Васильович, Студеняк Віктор Ігорович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: бромід-пентатіофосфату, тонкої, енергії, твердоелектролітичного, міді, cu6ps5br, плівки, джерела, застосування, матеріалу, основі

Формула / Реферат:

Застосування бромід-пентатіофосфату міді Cu6PS5Br як матеріалу для тонкої плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 106745

Опубліковано: 10.05.2016

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Бендак Андрій Васильович, Ковальчук Олександр Васильович, Копчанський Петер, Пал Юрій Олександрович, Тімко Мілан

МПК: G02F 1/13

Мітки: спосіб, рідкого, наночастинок, провідності, нематичного, внесення, кристалу, нього, суперіонного, підвищення, електричної, шляхом, провідника

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення електричної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал вносять наночастинки суперінного провідника, внаслідок чого отриманий композит на основі рідкого кристалу має електричну провідність, яка перевищує електричну провідність вихідного рідкого кристалу без наночастинок більш ніж на порядок.

Номер патенту: 111018

Опубліковано: 10.03.2016

Автори: Гуранич Павло Павлович, Бендак Андрій Васильович, Біланчук Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Ізай Віталій Юрійович, Кохан Олександр Павлович

МПК: H01M 6/18

Мітки: йодид-пентатіогерманату, застосування, міді, матеріалу, енергії, cu7ges5i, твердоелектролітичного, аморфної, основі, плівки, джерела

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 98739

Опубліковано: 12.05.2015

Автори: Бендак Андрій Васильович, Ізай Віталій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Гуранич Павло Павлович, Біланчук Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович

МПК: H01F 1/00, H01M 6/00

Мітки: основі, енергії, застосування, міді, йодид-пентатіогерманату, аморфної, твердоелектролітичного, плівки, матеріалу, джерела, cu7ges5i

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.