Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (ga 0,1 in 0,9)2se3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію - індію (Ga0.1In 0.9) 2Se3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки. (19) (21) u200705590 (22) 21.05.2007 (24) 10.09.2007 (46) 10.09.2007, Бюл. № 14, 2007 р. (72) Студеняк Ігор Петрович, Краньчец Младен , HR, Сусліков Леонід Михайлович 3 26301 дуляторів та дефлекторів оптичного випромінювання, принцип дії яких ґрунтується на явищі повороту площини поляризації падаючого світла. Перевагою монокристала (Ga0.1In0.9) 2Se3 є температурна незмінність величини питомого повороту площини поляризації при певній довжині хвилі в широкому інтервалі температур при наявності низького оптичного поглинання, високої прозорості у широкому спектральному інтервалі та значної радіаційної стійкості. Приклад. Для одержання 10г речовини (Ga0.1In0.9) 2Se3 брали 1.9519г Ga, 3.6579г In та 5.3902г Se і загружали у вакуумовану кварцеву ампулу довжиною 160мм та діаметром 20мм, в якій потім проводили синтез з використанням таких температурних режимів: а) протягом 1 год проводили нагрівання до температури 823 К і витримували при цій температурі протягом 1 дня з метою уникнення розтріскування ампули; б) швидко нагрівали (з швидкістю 50К/год) до температури 1270 К, витримували протягом 1 год при цій температурі та охолоджували до кімнатної температури при виключеній печі. Отриманий полікристалічний матеріал розтирався у грубий порошок і проводилося вирощування монокристалів даної сполуки методом Бріджмена. Із одержаних монокристалів виготовляють орієнтовані плоскопаралельні пластинки товщиною 1.5мм вздовж кристалографічного напрямку [001], які потім шліфують та полірують з усіх сторін на пасті ГОІ. Якщо довести товщину до значення 1.22мм, то виготовлена таким чином плоскопаралельна пластинка може бути використана у ролі активного елемента функціонального пристрою оптоелектроніки, здатного повертати площину поляризації на 90° на довжині хвилі l = (0. 6980 ± 0.0005)мкм , причому кут повороту не змінюється в широкому інтервалі температур Т=77-300 К. Комп’ютерна в ерстка І.Скворцов а 4 Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину (Ga0.1 In0.9)2Se3 у ролі активного елемента функціональних пристроїв оптоелектроніки для передачі та перетворення інформації в оптичних системах різноманітного призначення дозволяє значно покращити їх температурну стабільність за рахунок сталого значення питомого повороту площини поляризації оптичного випромінювання з довжиною хвилі (0.6980±0.0005)мкм в широкому інтервалі температур 77-300 К. Використання монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію - індію (Ga0.1In 0.9) 2Se3 у ролі активного елемента функціональних пристроїв оптоелектроніки дає можливість застосовувати його в різних промислових виробництвах, де має місце використання оптичних затворів, модуляторів та дефлекторів оптичного випромінювання з метою регулювання промислових процесів, особливо у вибухо во -, вогне - та радіаційно - небезпечних середовищах. Планується використання монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0.1In0.9)2Se3 в лабораторіях УжНУ при виконанні фундаментальних досліджень нових напівпровідникових матеріалів. Джерела інформації: 1. Popovic S., Celustka В., Ruzic-Toros Z., Broz D. X-ra y diffraction study and semiconducting properties of the system Ga 2Se3-In2Se3. // Phys. Stat. Sol. (a). - 1977. - Vol.41. - P.255-262. 2. Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0.3In 0.7) 2Se3 як матеріалу для акустооптичного модулятора лазерного випромінювання: Патент України №77305, МПК (2006) G02F 1/01, H01S 3/10 / Студеняк І. П., Краньчец М., Феделеш В. І. №20041210331; Заявлено 15.12.2004; Опубл. 15.11.2006, Бюл. №11. - 3с – прототип Підписне Тираж 26 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601