Патенти з міткою «pbte:bi»
Спосіб отримання легованого сплаву pbte:bi n-типу
Номер патенту: 63536
Опубліковано: 10.10.2011
Автори: Матеїк Галина Дмитрівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Галущак Мар'ян Олексійович, Карпаш Максим Олегович, Борик Віктор Васильович
МПК: C30B 11/02
Мітки: спосіб, n-типу, легованого, pbte:bi, отримання, сплаву
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання легованого сплаву РbТе:Ві n-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, ампулу з вихідними речовинами попередньо нагрівають до певної температури, витримують при ній, потім здійснюють синтез сплаву при вищій температурі, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та здійснюють пресування, який відрізняється тим, що як...
Спосіб отримання легованих кристалів pbte:bi n-і p-типу провідності
Номер патенту: 24133
Опубліковано: 25.06.2007
Автори: Ткачик Оксана Володимирівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович
МПК: C30B 11/02
Мітки: отримання, провідності, кристалів, легованих, pbte:bi, p-типу, спосіб
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання легованих кристалів РbТе:Ві n- і р-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину із окремих компонентів, розташовану в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні і переміщують у другу...