Ткачик Оксана Володимирівна

Номер патенту: 27517

Опубліковано: 12.11.2007

Автори: Ткачик Оксана Володимирівна, Межиловська Любов Йосипівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Туровська Лілія Вадимівна

МПК: C30B 1/00

Мітки: свинцю, отримання, спосіб, телуриду, матеріалу, термоелектричного, основі

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричного матеріалу на основі телуриду свинцю, який включає розташування вихідної речовини у кварцовій вакуумній ампулі, поміщення у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних елементів, ампулу з вихідними елементами витримують при цій температурі, після чого охолоджують до кімнатної температури, отриману синтезовану речовину піддають гомогенізаційному відпалу, який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 27131

Опубліковано: 25.10.2007

Автори: Ткачик Оксана Володимирівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Дикун Наталія Іванівна, Запухляк Руслан Ігорович

МПК: C30B 11/02

Мітки: спосіб, сплаву, халькогенідного, термоелектричного, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричного халькогенідного сплаву, який полягає в тому, що наперед синтезований сплав подрібнюють в ударно-вихровому млині з наступним просіюванням крізь сито, потім порошок брикетують під тиском, отримані брикети спікають під тиском протягом певного часу і здійснюють екструзію при температурі із заданими ступенем і швидкістю витягування, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують сплав

Номер патенту: 24133

Опубліковано: 25.06.2007

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Ткачик Оксана Володимирівна, Борик Віктор Васильович

МПК: C30B 11/02

Мітки: pbte:bi, p-типу, спосіб, легованих, отримання, кристалів, провідності

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованих кристалів РbТе:Ві n- і р-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину із окремих компонентів, розташовану в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні і переміщують у другу...

Номер патенту: 19990

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Борик Віктор Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович, Ткачик Оксана Володимирівна

МПК: C30B 11/02

Мітки: рbse, отримання, легованого, кристалічного, вісмутом, спосіб, типу

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованого вісмутом кристалічного PbSe n-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини Рb і Se розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують у першій зоні до отримання розплаву і переміщують у другу...

Номер патенту: 18230

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Лисюк Юрій Васильович, Никируй Любомир Іванович, Фреїк Дмитро Михайлович, Ткачик Оксана Володимирівна

МПК: C30B 11/02

Мітки: n-типу, провідності, отримання, монокристалів, спосіб, телуриду, меркурію

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів меркурію телуриду n-типу провідності, в якому як вихідні речовини використовують чистий меркурій і чистий телур, синтезують у трисекційній печі, одну секцію печі використовують для випаровування меркурію, другу - для випаровування телуру, середня секція печі являє собою реакційний простір, де пари змішуються, реагують і конденсуються, утворюючи кристали сполуки, які піддають двотемпературному відпалу у парах...