H01L 21/477 — термічна обробка для модифікації властивостей напівпровідникових підкладок, наприклад відпалом, спіканням

Номер патенту: 119883

Опубліковано: 10.10.2017

Автори: Махній Віктор Петрович, Сльотов Олексій Михайлович

МПК: H01L 21/477

Мітки: створення, cd1-xmnxte, підкладинках, поверхневої, спосіб, наноструктури, 0,04<=x<=0,45

Формула / Реферат:

Спосіб створення поверхневої наноструктури на підкладинках Cd1-xMnxTe (0,04≤x≤0,45), що включає механічне і хімічне полірування підкладинок та їх відпал на повітрі, який відрізняється тим, що відпал підкладинок проводять при температурі 650±20 °C протягом часу, який визначають за емпіричним виразом tв=35+1,3·x, хв.

Номер патенту: 115977

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Бодюл Георгій Ілліч, Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 21/477

Мітки: кристалів, цинку, селеніду, поверхні, спосіб, обробки

Формула / Реферат:

Спосіб обробки поверхні кристалів селеніду цинку, що включає механічне полірування, хімічну обробку, відмивання у киплячій дистильованій воді та сушіння підкладинок селеніду цинку, який відрізняється тим, що підкладинку послідовно за 6-8 циклів обробляють в суміші H2SO4:H2O2=3:1 при 60-70 °С і дистильованій воді при 20 °С протягом 30-60 с.

Номер патенту: 65010

Опубліковано: 15.03.2004

Автори: Сльотов Михайло Михайлович, Махній Віктор Петрович, Демич Микола Васильович

МПК: H01L 21/477

Мітки: спосіб, кристалів, поверхні, обробки, cd1-xznxte

Формула / Реферат:

Спосіб обробки поверхні кристалів Cd1-хZnxTe з , що включає механічне та хімічне полірування напівпровідникових підкладинок, який відрізняється тим, що підкладинку додатково відпалюють на повітрі при температурі 520±50°С протягом 10±2хв.

Номер патенту: 9402

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Булах Борис Макарович, Гарягдиєв Гурбанберді, Атдаєв Байрамгилич Сапаргилиджович, Рахлін Михайло Якович, Шейнкман Михайло Ківович

МПК: H01L 21/477, H01L 31/18

Мітки: одержання, тонкоплівкових, гетеропереходів, фоточутлівих, спосіб

Формула / Реферат:

1. Способ получения фоточувствительных тонкопленочных гетеропереходов n-CdS/p-CdTe, включающий нанесение на прозрачную подложку базового слоя CdS:In путем термической деструк­ции дибутилдитиокарбаматов кадмия и индия при температуре в диапазоне 290-300°С, отличаю­щийся тем, что, с целью повышения качества фо­тоэлектрического преобразования гетероперехо­дов путем повышения степени чистоты слоев р-n-переходов и кристаллического совершенства...