Патенти з міткою «snте)х»

Номер патенту: 25786

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Байцар Роман Іванович, Варшава Славомир Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Шепетюк Володимир Андрійович, Белей Мирон Іванович

МПК: C30B 29/46

Мітки: snте)х, отримання, плівок, спосіб, епітаксійних

Формула / Реферат:

Спосіб отримання епітаксійних плівок (SnTe)x(PbSe)1-x шляхом нагріву підкладки до температури Tп, випаровування вихідної речовини при Tв, нагріву стінок реактора до Tс, додаткового джерела халькогену до Tд, який відрізняється тим, що як матеріал підкладки використовують BaF2, а як вихідну речовину - суміш компонентів SnTe i PbSe при х = 0,7, причому підкладку нагрівають до Tп = 570 - 630К, суміш компонентів випаровують при Tв = 820К, стінки...

Номер патенту: 25785

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Шепетюк Володимир Андрійович, Фреїк Дмитро Михайлович, Буджак Ярослав Степанович, Варшава Славомир Степанович

МПК: C30B 29/46

Мітки: snте)х, епітаксійних, вирощування, шарів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування епітаксійних шарів (SnTe)x(PbSe)1-x, що включає нагрів вихідної речовини до температури Tв, стінок реактора до Tс, підкладки до Tп, який відрізняється тим, що як матеріал підкладки використовують BaF2, а вихідною речовиною служить синтезований полікристалічний твердий розчин (SnTe)x(PbSe)1-x, для одержання шарів n-типу провідності його склад вибирають при x до 0,2, для одержання шарів p-типу провідності x = 0,2 - 1,0,...