Буджак Ярослав Степанович

Номер патенту: 40269

Опубліковано: 16.07.2001

Автори: Варшава Славомир Степанович, Буджак Ярослав Степанович, Островський Ігор Петрович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: G01N 25/18

Мітки: термоелектричних, ниткоподібних, кристалів, визначення, спосіб, параметрів

Формула / Реферат:

 Спосіб визначення термоелектричних параметрів ниткоподібних кристалів, що включає створення точкових контактів до ниткоподібного кристала, пропускання стабілізованого струму розігріву, вимірювання різниці потенціалів між контактами і визначення коефіцієнта термо-е.р.с., який відрізняється тим, що ниткоподібному кристалу надають форму хрестоподібного зростка з двох кристалів, до кінців якого і до середини зростка створюють контакти, а струм...

Номер патенту: 25785

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Шепетюк Володимир Андрійович, Буджак Ярослав Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Варшава Славомир Степанович

МПК: C30B 29/46

Мітки: snте)х, шарів, епітаксійних, спосіб, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування епітаксійних шарів (SnTe)x(PbSe)1-x, що включає нагрів вихідної речовини до температури Tв, стінок реактора до Tс, підкладки до Tп, який відрізняється тим, що як матеріал підкладки використовують BaF2, а вихідною речовиною служить синтезований полікристалічний твердий розчин (SnTe)x(PbSe)1-x, для одержання шарів n-типу провідності його склад вибирають при x до 0,2, для одержання шарів p-типу провідності x = 0,2 - 1,0,...