Шепетюк Володимир Андрійович

Номер патенту: 39072

Опубліковано: 15.05.2001

Автори: Шепетюк Володимир Андрійович, Запухляк Руслан Ігорович, Варшава Славомир Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 23/02, C30B 29/46

Мітки: спосіб, отримання, pb(1-x)sn(x)se, твердого, розчину, тонкоплівкового, матеріалу

Формула / Реферат:

Спосіб отримання тонкоплівкового матеріалу твердого розчину Pb1-xSnxSe різного типу провідності методом гарячої стінки шляхом нагрівання підкладки до температури Тп, випаровування вихідної речовини при Тв, нагріванні стінок камери до Тс, додаткового джерела халькогену до Тд, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують твердий розчин Pb1-xSnxSe складу х= 0-0,15, для отримання плівок n-типу підкладку нагрівають до Тп= 423-560...

Номер патенту: 25786

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Белей Мирон Іванович, Байцар Роман Іванович, Варшава Славомир Степанович, Шепетюк Володимир Андрійович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 29/46

Мітки: отримання, епітаксійних, snте)х, плівок, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання епітаксійних плівок (SnTe)x(PbSe)1-x шляхом нагріву підкладки до температури Tп, випаровування вихідної речовини при Tв, нагріву стінок реактора до Tс, додаткового джерела халькогену до Tд, який відрізняється тим, що як матеріал підкладки використовують BaF2, а як вихідну речовину - суміш компонентів SnTe i PbSe при х = 0,7, причому підкладку нагрівають до Tп = 570 - 630К, суміш компонентів випаровують при Tв = 820К, стінки...

Номер патенту: 25785

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Шепетюк Володимир Андрійович, Буджак Ярослав Степанович, Варшава Славомир Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 29/46

Мітки: шарів, епітаксійних, вирощування, snте)х, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування епітаксійних шарів (SnTe)x(PbSe)1-x, що включає нагрів вихідної речовини до температури Tв, стінок реактора до Tс, підкладки до Tп, який відрізняється тим, що як матеріал підкладки використовують BaF2, а вихідною речовиною служить синтезований полікристалічний твердий розчин (SnTe)x(PbSe)1-x, для одержання шарів n-типу провідності його склад вибирають при x до 0,2, для одержання шарів p-типу провідності x = 0,2 - 1,0,...