Хрипунов Геннадій Семенович

Номер патенту: 111320

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Хрипунов Геннадій Семенович, Зайцева Лілія Василівна, Горкунов Борис Митрофанович, Зайцев Роман Валентинович

МПК: G01N 29/34

Мітки: ємнісний, тонкоплівковий, перетворювач

Формула / Реферат:

Тонкоплівковий ємнісний перетворювач на основі гетероструктури діелектрик/провідник, який містить діелектричний шар та провідний електрод, який відрізняється тим, що діелектричний шар ємнісного перетворювача виконано на основі двошарової структури поліімід/Аl2О3, а провідний електрод виконано на основі двошарової прозорої структури ІТО/гребінчастий Аl.

Номер патенту: 108516

Опубліковано: 25.07.2016

Автори: Любов Віктор Миколаєвич, Клочко Наталя Петрівна, Зайцев Роман Валентинович, Хрипунов Геннадій Семенович, Кіріченко Михайло Валерійович, Клєпікова Катерина Сергіївна, Копач Володимир Романович

МПК: C25B 1/00, B82Y 40/00

Мітки: виготовлення, ультрафіолетового, спосіб, детектора, випромінювання

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення детектора ультрафіолетового випромінювання на основі наноструктурованих масивів цинк оксиду із конфігурацією шарів "провідна підкладка|наноZnO|тильний контакт", який відрізняється тим, що формування наноструктурованих масивів ZnO здійснюють технологією електроосадження в імпульсному режимі із подальшим відпалом на повітрі при температурі 240-260 °C протягом 3-6 хв., тильні контакти виконані у вигляді плівки...

Номер патенту: 99210

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Момотенко Олександра Віталіївна, Копач Володимир Романович, Хрипунов Геннадій Семенович, Кіріченко Михайло Валерійович, Любов Віктор Миколаєвич, Клочко Наталя Петрівна

МПК: C25D 3/00, H01L 31/00

Мітки: реакторі, плівкових, кестеритів, спосіб, шарів, cu2znsns4, однофазних, розбірному, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання однофазних плівкових шарів кестеритів Cu2ZnSnS4 в розбірному реакторі шляхом пошарового електроосадження міді, олова та цинку з водних електролітів і наступним вакуумним відпалом в реакторі в парах сірки (сульфуризацією), який відрізняється тим, що електроосаджені металеві шари збагачують цинком і збіднюють міддю, а процес сульфуризації проводять протягом 50-80 хвилин при температурі 590-610 °C в розбірному реакторі...

Номер патенту: 97781

Опубліковано: 10.04.2015

Автори: Нікітін Віктор Олексійович, Хрипунов Геннадій Семенович, Сокол Євген Іванович, Кіріченко Михайло Валерійович, Зайцев Роман Валентинович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: випромінювання, сегментний, концентратор

Формула / Реферат:

Сегментний концентратор випромінювання, який включає основу концентратора та світловідбиваючі сегменти, який відрізняється тим, що основу концентратора виконано у вигляді кругового масиву профільованих ребер, котрі задають профіль вигину світловідбиваючих сегментів за параболо-циліндричною формою, та світловідбиваючі сегменти виконано у вигляді трапецієподібних сегментів параболічного циліндра з довгою фокусною відстанню та багатошаровим...

Номер патенту: 94622

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Зайцев Роман Валентинович, Хрипунов Геннадій Семенович, Копач Володимир Романович, Кіріченко Михайло Валерійович, Лук'янов Євген Олександрович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: світлодіодно-галогеновий, освітлювач

Формула / Реферат:

Світлодіодно-галогеновий освітлювач, що має у своєму складі випромінюючий елемент у формі сегмента сфери, на внутрішній поверхні якого розміщено світлодіоди різного кольору та галогенові лампи, блок роздільного автоматичного керування потужністю випромінення світлодіодів кожного кольору та стабілізоване джерело постійного струму, який відрізняється тим, що надяскраві світлодіоди кількістю до 100 одиниць згруповано у світловипромінюючі...

Номер патенту: 77670

Опубліковано: 25.02.2013

Автори: Хрипунов Геннадій Семенович, Зайцев Роман Валентинович, Копач Володимир Романович, Кіріченко Михайло Валерійович, Стребков Дмитро Семенович, Поляков Володимир Іванович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: ккд, діодними, комірками, фотоелектричного, перетворювача, спосіб, вертикальними, кремнієвого, підвищення

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення ККД багатоперехідного кремнієвого фотоелектричного перетворювача з послідовно з'єднаними вертикальними діодними комірками i сонячного модуля з таких приладів, котрий включає їх обробку у стаціонарному магнітному полі з індукцією більше 0,1 Тл, який відрізняється тим, що працюючий багатоперехідний кремнієвий фотоелектричний перетворювач з послідовно з'єднаними вертикальними діодними комірками і сонячний модуль з таких...

Номер патенту: 77613

Опубліковано: 25.02.2013

Автори: Хрипунов Геннадій Семенович, Зайцев Роман Валентинович, Кіріченко Михайло Валерійович, Копач Володимир Романович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: світловипромінююча, комірка

Формула / Реферат:

Світловипромінююча комірка, яка складається зі світлодіодів з безперервним спектром випромінювання в діапазоні довжин хвиль 0,38-1,10 мкм, розміщених по концентричній окружності на рівних відстанях один від одного у порядку чергування, яка відрізняється тим, що матричні світлодіоди розміщено на компактній системі охолодження, інтегровану систему керування спектральним складом їх випромінювання розміщено безпосередньо у світловипромінюючій...

Номер патенту: 65024

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Кудій Дмитро Анатолійович, Хрипунов Геннадій Семенович, Лісачук Георгій Вікторович

МПК: H01L 21/66, G01J 3/50

Мітки: обробки, проведення, основі, контролю, плівкових, хлоридної, перетворювачах, фотоелектричних, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб контролю проведення "хлоридної" обробки в плівкових фотоелектричних перетворювачах на основі CdS/CdTe, що являє собою спосіб ідентифікації варизонних прошарків твердих розчинів CdSxTe1-х на міжфазній границі досліджуваної гетеросистеми CdS/CdTe, шляхом аналізу її оптичних властивостей, який відрізняється тим, що аналізують товщину та склад варизонних прошарків твердих розчинів CdSxTe1-х, шляхом розділення досліджуваного...

Номер патенту: 61927

Опубліковано: 10.08.2011

Автори: Кіріченко Михайло Валерійович, Лісачук Георгій Вікторович, Копач Володимир Романович, Хрипунов Геннадій Семенович, Зайцев Роман Валентинович, Дейнеко Наталя Вікторівна

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: плівкових, деградації, елементів, зазнали, відновлювання, спосіб, сонячних

Формула / Реферат:

Спосіб відновлювання плівкових СЕ, що зазнали деградацію, та виготовлені на основі сульфіду і телуриду кадмію, заснований на інтенсифікації процесів транспорту атомів міді, перебудові комплексів точкових дефектів, що містять мідь, фазовому перетворенні частки СuТе у Сu1,4Tе, зменшенні опору шару CdS та електродифузії у абсорбер аніонів сірки і міжвузловинних катіонів CuCd-, який відрізняється тим, що затемнений СЕ витримують протягом не...

Номер патенту: 60406

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Кіріченко Михайло Валерійович, Хрипунов Геннадій Семенович, Зайцев Роман Валентинович, Лісачук Георгій Вікторович, Копач Володимир Романович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: спосіб, перетворювача, кремнієвого, фотоелектричного, монокристалічного, ккд, підвищення

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення ККД монокристалічного кремнієвого фотоелектричного перетворювача, який включає обробку фотоелектричного перетворювача у стаціонарному магнітному полі індукцією більше 0,1 Тл, який відрізняється тим, що після обробки у стаціонарному магнітному полі на тильну поверхню монокристалічного кремнієвого фотоелектричного перетворювача наносять магнітний вініл.

Номер патенту: 94649

Опубліковано: 25.05.2011

Автори: Харченко Микола Михайлович, Станкевич Анатолій Іванович, Товажнянська Олена Леонідівна, Кравець Андрій Валерійович, Хрипунов Геннадій Семенович, Росс Джон Бітті

МПК: H01L 31/18

Мітки: спосіб, пристрій, шарів, елементів, сонячних, реалізації, формування, базових, гнучких

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування базових шарів CdTe для плівкових сонячних елементів, що включає створення підкладки з оптично-прозорого матеріалу з нанесеними на неї шарами прозорого провідного оксиду (ТСО) і CdS, розміщення підкладки та джерела CdTe в частково закритому об'ємі на віддаленні один від одного, вакуумування цього об'єму до тиску не менше ніж до 10-3 Па, нагрівання підкладки до першої температури - температури підкладки, нагрівання частини...

Номер патенту: 45374

Опубліковано: 10.11.2009

Автори: Хрипунов Геннадій Семенович, Крикун Костянтин Юрійович, Борщов В'ячеслав Миколайович, Лісачук Георгій Вікторович, Лістратенко Олександр Михайлович, Тимчук Ігор Трохимович, Антонова Валентина Антонівна

МПК: H01L 31/00, H05K 3/46

Мітки: виготовлення, тандемних, гнучких, фотоелектричних, перетворювачів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення гнучких тандемних фотоелектричних перетворювачів, що включає отримання електропровідного та прозорого електродного тильного шару на гнучкій прозорій підкладці, пошарове осадження необхідних для формування приладової структури тонкоплівкового фотоелектричного перетворювача шарів, отримання фронтального електрода, який відрізняється тим, що як підкладку використовують фольгований прозорий гнучкий діелектрик, у котрому перед...

Номер патенту: 33676

Опубліковано: 10.07.2008

Автори: Лісачук Георгій Вікторович, Копач Володимир Романович, Хрипунов Геннадій Семенович, Зайцев Роман Валентинович, Кіріченко Михайло Валерійович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: світлодіодний, освітлювач

Формула / Реферат:

Світлодіодний освітлювач, що має у своєму складі випромінюючий елемент у формі сегмента сфери, на внутрішній поверхні якого розміщені кольорові напівпровідникові світлодіоди, блок роздільного автоматичного керування потужністю випромінення світлодіодів кожного кольору та стабілізоване джерело постійного струму, який відрізняється тим, що світлодіоди у кількості 250-300 одиниць розміщені у випромінюючому елементі по спіралі Архімеда, котра...

Номер патенту: 79800

Опубліковано: 25.07.2007

Автори: Лісачук Георгій Вікторович, Хрипунов Геннадій Семенович, Бойко Борис Тимофійович

МПК: H01L 31/0264, H01L 31/04

Мітки: перетворювачів, гнучких, спосіб, виготовлення, основі, фотоелектричних

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення гнучких фотоелектричних перетворювачів на основі CdTe, що включає  осадження методом магнетронного розпилення електродного шару оксидів індію й олова (ІТО)  на гнучку підкладку з прозорої поліімідної плівки,  пошарове осадження шляхом  термічного випаровування  шарів CdS та CdTe,  з наступним відпалом приладової структури із сформованими  зовнішніми електродами, який відрізняється тим, що додатково здійснюють відпал шару...