Патенти з міткою «tlgаsе2)x(tlgаs2)1-x»

Номер патенту: 106139

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Гуранич Оксана Григорівна, Рубіш Василь Михайлович, Риган Михайло Юрійович, Пісак Роман Петрович, Гуранич Павло Павлович

МПК: C01B 19/00, C30B 11/02, C01G 15/00 ...

Мітки: tlgаsе2)x(tlgаs2)1-x, сегнетоелектричного, матеріалу, спосіб, синтезу, складу

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу сегнетоелектричного матеріалу складу (TlGaSe2)x(TlGaS2)1-x, який включає синтез тіогалату та селеногалату талію, сплавлення їх суміші в герметизованій кварцовій ампулі та наступну кристалізацію розплаву, який відрізняється тим, що кристалізацію розплаву здійснюють шляхом охолодження з швидкістю 40-50 К/год. до температури 400-420 °С, витримки при цій температурі протягом 3-5 годин та подальшого охолодження в режимі виключеної...