Патенти з міткою «сегнетоелектричного»
Спосіб синтезу сегнетоелектричного матеріалу складу (tlgаsе2)x(tlgаs2)1-x
Номер патенту: 106139
Опубліковано: 25.04.2016
Автори: Гуранич Павло Павлович, Пісак Роман Петрович, Гуранич Оксана Григорівна, Риган Михайло Юрійович, Рубіш Василь Михайлович
МПК: C30B 11/02, C01B 19/00, C01G 15/00 ...
Мітки: tlgаsе2)x(tlgаs2)1-x, спосіб, сегнетоелектричного, синтезу, складу, матеріалу
Формула / Реферат:
Спосіб синтезу сегнетоелектричного матеріалу складу (TlGaSe2)x(TlGaS2)1-x, який включає синтез тіогалату та селеногалату талію, сплавлення їх суміші в герметизованій кварцовій ампулі та наступну кристалізацію розплаву, який відрізняється тим, що кристалізацію розплаву здійснюють шляхом охолодження з швидкістю 40-50 К/год. до температури 400-420 °С, витримки при цій температурі протягом 3-5 годин та подальшого охолодження в режимі виключеної...
Спосіб одержання сегнетоелектричного матеріалу складу (tlins2)x(tlinse2)1-x
Номер патенту: 80203
Опубліковано: 27.05.2013
Автори: Рубіш Василь Михайлович, Риган Михайло Юрійович, Гуранич Павло Павлович, Росул Роман Романович, Гуранич Оксана Григорівна
МПК: C01G 15/00, H01L 41/39
Мітки: складу, tlins2)x(tlinse2)1-x, спосіб, сегнетоелектричного, матеріалу, одержання
Формула / Реферат:
Спосіб одержання сегнетоелектричного матеріалу складу (TlInS2)x(TlInSe2)1-x, який включає синтез тіоіндату талію та селеноіндату талію, сплавлення їх суміші в герметизованій кварцовій ампулі та подальшу кристалізацію розплаву, який відрізняється тим, що кристалізацію розплаву здійснюють шляхом охолодження із швидкістю 30-60 К/год. до температури 500-520 °C, та проводять витримку при цій температурі протягом 4-8 годин та подальше...
Спосіб отримання сегнетоелектричного фосфату ніобію rb2/3li1/3nb2.0po8
Номер патенту: 64596
Опубліковано: 16.02.2004
Автори: Смірнова Тамара Іванівна, Стусь Наталія Вікторівна, Стратійчук Денис Анатолійович, Лісняк Владислав Владиславович
МПК: H01L 41/16, C01G 33/00
Мітки: сегнетоелектричного, ніобію, фосфату, отримання, спосіб
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання сегнетоелектричного фосфату ніобію Rb2/3Li1/3Nb2.0PO8, який передбачає змішування гідрооксиду рубідію та літієвмісного, фосфоровмісного та ніобієвмісного компонентів і нагрівання до температур 150-1000oС, який відрізняється тим, що при змішуванні використовують компоненти у розчиненому стані, при цьому гідрооксид рубідію використовують в кристалічному стані, як літієвмісний компонент використовують кристалічний гідрооксид...