Пісак Роман Петрович

Спосіб очистки кадмію від цинку

Завантаження...

Номер патенту: 107955

Опубліковано: 24.06.2016

Автори: Шпирко Григорій Миколайович, Пісак Роман Петрович, Рубіш Василь Михайлович, Ясінко Тамара Іванівна, Риган Михайло Юрійович

МПК: C22B 17/06, C22B 9/16, C30B 13/02 ...

Мітки: очистки, цинку, кадмію, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб очистки кадмію від домішок цинку, який включає зонну плавку, який відрізняється тим, що в зразок, який очищають, попередньо вводять залізо в кількості, яка становить від 1,3 до 1,4 маси домішку цинку.

Спосіб синтезу сегнетоелектричного матеріалу складу (tlgаsе2)x(tlgаs2)1-x

Завантаження...

Номер патенту: 106139

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Пісак Роман Петрович, Гуранич Оксана Григорівна, Риган Михайло Юрійович, Рубіш Василь Михайлович, Гуранич Павло Павлович

МПК: C01B 19/00, C30B 11/02, C01G 15/00 ...

Мітки: сегнетоелектричного, tlgаsе2)x(tlgаs2)1-x, складу, спосіб, синтезу, матеріалу

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу сегнетоелектричного матеріалу складу (TlGaSe2)x(TlGaS2)1-x, який включає синтез тіогалату та селеногалату талію, сплавлення їх суміші в герметизованій кварцовій ампулі та наступну кристалізацію розплаву, який відрізняється тим, що кристалізацію розплаву здійснюють шляхом охолодження з швидкістю 40-50 К/год. до температури 400-420 °С, витримки при цій температурі протягом 3-5 годин та подальшого охолодження в режимі виключеної...

Спосіб кристалізації селену

Завантаження...

Номер патенту: 103080

Опубліковано: 10.12.2015

Автори: Горіна Ольга Володимирівна, Пісак Роман Петрович, Риган Михайло Юрійович, Шпирко Григорій Миколайович

МПК: C30B 13/00

Мітки: селену, кристалізації, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб кристалізації селену, який включає формування зливку вихідного матеріалу в герметичному контейнері продовгуватої форми, створення на одному із кінців зливку зони розплаву з підвищеною температурою та переміщення цієї зони вздовж зливка, який відрізняється тим, що на краю зливку створюють зону розплаву з температурою 250-280 °C, переміщують зону розплаву вздовж зливка зі швидкістю 30-80 мм/год., повертають зону розплаву у вихідне...

Спосіб синтезу селеногалату талію

Завантаження...

Номер патенту: 81513

Опубліковано: 10.07.2013

Автори: Риган Михайло Юрійович, Рубіш Василь Михайлович, Пісак Роман Петрович

МПК: C01B 19/00, C01G 15/00

Мітки: талію, спосіб, селеногалату, синтезу

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу селеногалату талію, який включає розміщення елементарних компонентів в ампулу із кварцового скла, вакуумування та заварювання ампули, нагрівання компонентів та охолодження, який відрізняється тим, що компоненти розміщують в одному кінці горизонтально встановленої ампули, який розміщують в робочу зону печі, інший кінець ампули при цьому перебуває поза робочою зоною печі, вміст ампули нагрівають до температури 270-290 °C,...

Пристірй для нанесення покриття

Завантаження...

Номер патенту: 20037

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Богданова Олександра Василівна, Петров В'ячеслав Васильович, Таранчук Альвіан Віталієвич, Гусинка Іван Йосифович, Дуркот Мирон Олексійович, Пісак Роман Петрович, Тарнай Андрій Амбросієвич

МПК: C23C 14/26

Мітки: покриття, нанесення, пристірй

Формула / Реферат:

Пристрій для нанесення покриття, який включає   в   себе   вакуумну   камеру   з розміщеним в її порожнині резистивним випаровувачем, систему подачі речовини, що випаровується, який відрізняється тим, що резистивний випаровувач виконаний у вигляді принаймні двох екранів циліндричної форми, розміщених коаксіально один відносно одного, а кожен з екранів має отвори, причому будь-який Із отворів одного екрану зміщений відносно отвору другого...