Патенти з міткою «tlins2)x(tlinse2)1-x»

Номер патенту: 80203

Опубліковано: 27.05.2013

Автори: Рубіш Василь Михайлович, Гуранич Оксана Григорівна, Риган Михайло Юрійович, Росул Роман Романович, Гуранич Павло Павлович

МПК: C01G 15/00, H01L 41/39

Мітки: сегнетоелектричного, складу, спосіб, одержання, tlins2)x(tlinse2)1-x, матеріалу

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сегнетоелектричного матеріалу складу (TlInS2)x(TlInSe2)1-x, який включає синтез тіоіндату талію та селеноіндату талію, сплавлення їх суміші в герметизованій кварцовій ампулі та подальшу кристалізацію розплаву, який відрізняється тим, що кристалізацію розплаву здійснюють шляхом охолодження із швидкістю 30-60 К/год. до температури 500-520 °C, та проводять витримку при цій температурі протягом 4-8 годин та подальше...