Росул Роман Романович
Сегнетоелектричний матеріал
Номер патенту: 106518
Опубліковано: 10.09.2014
Автори: Гомоннай Олександр Васильович, Рубіш Василь Михайлович, Гомоннай Олександр Олександрович, Риган Михайло Юрійович, Соломон Андрій Михайлович, Штець Петро Петрович, Гуранич Оксана Григорівна, Росул Роман Романович
МПК: H01L 41/18
Мітки: сегнетоелектричний, матеріал
Формула / Реферат:
Сегнетоелектричний матеріал, який містить сульфід миш'яку та потрійний сульфід, який відрізняється тим, що як потрійний сульфід він містить тіоіндат талію при такому співвідношенні інгредієнтів, мас. %: тіоіндат талію 10-70, сульфід миш'яку решта.
Спосіб одержання сегнетоелектричного матеріалу складу (tlins2)x(tlinse2)1-x
Номер патенту: 80203
Опубліковано: 27.05.2013
Автори: Риган Михайло Юрійович, Росул Роман Романович, Гуранич Павло Павлович, Гуранич Оксана Григорівна, Рубіш Василь Михайлович
МПК: H01L 41/39, C01G 15/00
Мітки: спосіб, одержання, складу, tlins2)x(tlinse2)1-x, матеріалу, сегнетоелектричного
Формула / Реферат:
Спосіб одержання сегнетоелектричного матеріалу складу (TlInS2)x(TlInSe2)1-x, який включає синтез тіоіндату талію та селеноіндату талію, сплавлення їх суміші в герметизованій кварцовій ампулі та подальшу кристалізацію розплаву, який відрізняється тим, що кристалізацію розплаву здійснюють шляхом охолодження із швидкістю 30-60 К/год. до температури 500-520 °C, та проводять витримку при цій температурі протягом 4-8 годин та подальше...