H01L 41/39 — неорганічних матеріалів
Спосіб одержання сегнетоелектричного матеріалу складу (tlins2)x(tlinse2)1-x
Номер патенту: 80203
Опубліковано: 27.05.2013
Автори: Риган Михайло Юрійович, Гуранич Оксана Григорівна, Гуранич Павло Павлович, Росул Роман Романович, Рубіш Василь Михайлович
МПК: H01L 41/39, C01G 15/00
Мітки: складу, спосіб, матеріалу, одержання, сегнетоелектричного, tlins2)x(tlinse2)1-x
Формула / Реферат:
Спосіб одержання сегнетоелектричного матеріалу складу (TlInS2)x(TlInSe2)1-x, який включає синтез тіоіндату талію та селеноіндату талію, сплавлення їх суміші в герметизованій кварцовій ампулі та подальшу кристалізацію розплаву, який відрізняється тим, що кристалізацію розплаву здійснюють шляхом охолодження із швидкістю 30-60 К/год. до температури 500-520 °C, та проводять витримку при цій температурі протягом 4-8 годин та подальше...