Прохоров Євген Федорович
Спосіб визначення концентрації незаповнених глибоких центрів в польових транзисторах з бар’єром шоткі
Номер патенту: 27246
Опубліковано: 15.08.2000
Автори: Коджеспірова Іна Федорівна, Горев Микола Борисович, Макарова Тетяна Викторівна, Еппель Володимир Ілліч, Прохоров Євген Федорович, Уколов Олексій Тихонович
МПК: H01L 21/66
Мітки: визначення, спосіб, центрів, шоткі, транзисторах, незаповнених, польових, концентрації, глибоких, бар'єром
Текст:
...dy V2 = \Eydy; kT nm(0) _ A '\Eydy+\Eydy 'J nm(0) -С(у) N. NtsNot{y) 2Nls-t(y) я = \n m L In A D = B +C где ЛГС - эффективная плотность состояний в зоне проводимости полупроводника, для арсенида галлия =4,3-10 1 7 см 3 , /- длина затвора, h - толщина пленки, к - постоянная Больцмана, q - заряд электрона, є - диэлектрическая проницаемость арсенида галлия. ЕО - электрическая постоянная, п, - параметр Шокли-Рида,...
Спосіб визначення концентрації глибоких центрів у широкозонному напівпровіднику польового транзистора на прямій gaas – gaalas гетероструктурі з селективним легуванням
Номер патенту: 26626
Опубліковано: 11.10.1999
Автори: Уколов Олексій Тихонович, Горєв Микола Борисович, Коджеспірова Іна Федорівна, Макарова Тетяна Викторівна, Еппель Володимир Ілліч, Прохоров Євген Федорович
МПК: H01L 21/66, G01R 31/26
Мітки: гетероструктурі, легуванням, gaalas, селективним, транзистора, концентрації, напівпровіднику, польового, широкозонному, центрів, визначення, спосіб, прямій, глибоких
Формула / Реферат:
Способ определения концентрации глубоких центров в широкозонном полупроводнике полевого транзистора на прямой GaAs-GaAlAs гетероструктуре с селективным легированием, включающий приложение к барьеру Шотки обратного смещения V и импульса прямого смещения Vим, измерение тока и вычисление искомой величины, отличающийся тем, что к омическим контактам (истоковому и стоковому) прикладывают постоянное напряжение Uси, соответствующее линейному...
Засіб визначення концентрації незаповнених глибоких центрів у структурі низькоомна плівка-високоомна підложка
Номер патенту: 1621
Опубліковано: 25.10.1994
Автори: Макарова Тетяна Вікторовна, Прохоров Євген Федорович, Уколов Олексій Тихонович, Горев Микола Борисович
МПК: H01L 21/66
Мітки: центрів, визначення, глибоких, низькоомна, незаповнених, підложка, концентрації, плівка-високоомна, засіб, структури
Формула / Реферат:
Способ определения концентрации незаполненных глубоких центров в структурах низкоомная пленка—высокоомная подложка, включающий создание контактов к пленке, измерение зависимости тока от напряжения между контактами и вычисление искомой величины, отличающийся тем, что, с целью упрощения и повышения информативности способа по крайней мере один из контактов выполняют в виде прижимного зонда, создающего барьер Шоттки, прикладывают к нему...