Патенти з міткою «шоткі»
Спосіб визначення концентрації незаповнених глибоких центрів в польових транзисторах з бар’єром шоткі
Номер патенту: 27246
Опубліковано: 15.08.2000
Автори: Коджеспірова Іна Федорівна, Макарова Тетяна Викторівна, Прохоров Євген Федорович, Уколов Олексій Тихонович, Еппель Володимир Ілліч, Горев Микола Борисович
МПК: H01L 21/66
Мітки: транзисторах, незаповнених, польових, глибоких, визначення, бар'єром, центрів, концентрації, спосіб, шоткі
Текст:
...dy V2 = \Eydy; kT nm(0) _ A '\Eydy+\Eydy 'J nm(0) -С(у) N. NtsNot{y) 2Nls-t(y) я = \n m L In A D = B +C где ЛГС - эффективная плотность состояний в зоне проводимости полупроводника, для арсенида галлия =4,3-10 1 7 см 3 , /- длина затвора, h - толщина пленки, к - постоянная Больцмана, q - заряд электрона, є - диэлектрическая проницаемость арсенида галлия. ЕО - электрическая постоянная, п, - параметр Шокли-Рида,...
Багатоелементний фотоприймач з бар’єром шотки
Номер патенту: 16376
Опубліковано: 29.08.1997
Автори: Бабак Олександр Костянтинович, Конопальцева Людмила Іванівна, Стріха Віталій Іларіонович, Раренко Іларій Михайлович
МПК: H01L 31/10
Мітки: шоткі, фотоприймач, бар'єром, багатоелементний
Формула / Реферат:
1. Многоэлементный фотоприемник с барьером Шоттки, содержащий полупроводниковый слой, на одной поверхности которого расположены две группы металлических или квазиметаллических электродов, снабженных электрическими выводами, причем по крайней мере часть электродов образует с полупроводниковым слоем барьер Шоттки, отличающийся тем, что, с целью обеспечения многоканальной регистрации оптического излучения, один из электродов выполнен общим и не...
Спосіб виготовлення структур польових транзисторів з бар’єром шоткі
Номер патенту: 16878
Опубліковано: 29.08.1997
Автори: Іващук Анатолій Васильович, Кохан Валентин Петрович, Данилов Миколай Григорович
МПК: H01L 21/70, H01L 21/28
Мітки: шоткі, структур, спосіб, виготовлення, транзисторів, польових, бар'єром
Формула / Реферат:
Способ изготовления структур полевых транзисторов с барьером Шотки, включающий формирование на полупроводниковой подложке активного и контактного слоев, вытравливание меза-структур, формирование областей истока и стока, вытравливание в области затвора контактного и части активного слоев, формирование барьерной части затворного электрода, формирование контактной части затворного электрода, отличающийся тем, что, с целью уменьшения коэффициента...