Уколов Олексій Тихонович
Спосіб визначення концентрації незаповнених глибоких центрів в польових транзисторах з бар’єром шоткі
Номер патенту: 27246
Опубліковано: 15.08.2000
Автори: Горев Микола Борисович, Макарова Тетяна Викторівна, Коджеспірова Іна Федорівна, Еппель Володимир Ілліч, Уколов Олексій Тихонович, Прохоров Євген Федорович
МПК: H01L 21/66
Мітки: бар'єром, глибоких, спосіб, незаповнених, шоткі, визначення, транзисторах, концентрації, польових, центрів
Текст:
...dy V2 = \Eydy; kT nm(0) _ A '\Eydy+\Eydy 'J nm(0) -С(у) N. NtsNot{y) 2Nls-t(y) я = \n m L In A D = B +C где ЛГС - эффективная плотность состояний в зоне проводимости полупроводника, для арсенида галлия =4,3-10 1 7 см 3 , /- длина затвора, h - толщина пленки, к - постоянная Больцмана, q - заряд электрона, є - диэлектрическая проницаемость арсенида галлия. ЕО - электрическая постоянная, п, - параметр Шокли-Рида,...
Спосіб визначення концентрації глибоких центрів у широкозонному напівпровіднику польового транзистора на прямій gaas – gaalas гетероструктурі з селективним легуванням
Номер патенту: 26626
Опубліковано: 11.10.1999
Автори: Горєв Микола Борисович, Прохоров Євген Федорович, Макарова Тетяна Викторівна, Уколов Олексій Тихонович, Коджеспірова Іна Федорівна, Еппель Володимир Ілліч
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Мітки: глибоких, напівпровіднику, центрів, концентрації, транзистора, спосіб, прямій, визначення, широкозонному, gaalas, гетероструктурі, легуванням, селективним, польового
Формула / Реферат:
Способ определения концентрации глубоких центров в широкозонном полупроводнике полевого транзистора на прямой GaAs-GaAlAs гетероструктуре с селективным легированием, включающий приложение к барьеру Шотки обратного смещения V и импульса прямого смещения Vим, измерение тока и вычисление искомой величины, отличающийся тем, что к омическим контактам (истоковому и стоковому) прикладывают постоянное напряжение Uси, соответствующее линейному...
Засіб визначення концентрації незаповнених глибоких центрів у структурі низькоомна плівка-високоомна підложка
Номер патенту: 1621
Опубліковано: 25.10.1994
Автори: Уколов Олексій Тихонович, Макарова Тетяна Вікторовна, Прохоров Євген Федорович, Горев Микола Борисович
МПК: H01L 21/66
Мітки: незаповнених, концентрації, структури, центрів, підложка, визначення, глибоких, засіб, низькоомна, плівка-високоомна
Формула / Реферат:
Способ определения концентрации незаполненных глубоких центров в структурах низкоомная пленка—высокоомная подложка, включающий создание контактов к пленке, измерение зависимости тока от напряжения между контактами и вычисление искомой величины, отличающийся тем, что, с целью упрощения и повышения информативности способа по крайней мере один из контактов выполняют в виде прижимного зонда, создающего барьер Шоттки, прикладывают к нему...