Еппель Володимир Ілліч
Спосіб визначення концентрації незаповнених глибоких центрів в польових транзисторах з бар’єром шоткі
Номер патенту: 27246
Опубліковано: 15.08.2000
Автори: Коджеспірова Іна Федорівна, Макарова Тетяна Викторівна, Еппель Володимир Ілліч, Горев Микола Борисович, Уколов Олексій Тихонович, Прохоров Євген Федорович
МПК: H01L 21/66
Мітки: шоткі, бар'єром, центрів, польових, глибоких, визначення, транзисторах, концентрації, незаповнених, спосіб
Текст:
...dy V2 = \Eydy; kT nm(0) _ A '\Eydy+\Eydy 'J nm(0) -С(у) N. NtsNot{y) 2Nls-t(y) я = \n m L In A D = B +C где ЛГС - эффективная плотность состояний в зоне проводимости полупроводника, для арсенида галлия =4,3-10 1 7 см 3 , /- длина затвора, h - толщина пленки, к - постоянная Больцмана, q - заряд электрона, є - диэлектрическая проницаемость арсенида галлия. ЕО - электрическая постоянная, п, - параметр Шокли-Рида,...
Спосіб визначення концентрації глибоких центрів у широкозонному напівпровіднику польового транзистора на прямій gaas – gaalas гетероструктурі з селективним легуванням
Номер патенту: 26626
Опубліковано: 11.10.1999
Автори: Коджеспірова Іна Федорівна, Прохоров Євген Федорович, Еппель Володимир Ілліч, Макарова Тетяна Викторівна, Уколов Олексій Тихонович, Горєв Микола Борисович
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Мітки: широкозонному, визначення, напівпровіднику, спосіб, польового, прямій, селективним, центрів, легуванням, концентрації, gaalas, транзистора, глибоких, гетероструктурі
Формула / Реферат:
Способ определения концентрации глубоких центров в широкозонном полупроводнике полевого транзистора на прямой GaAs-GaAlAs гетероструктуре с селективным легированием, включающий приложение к барьеру Шотки обратного смещения V и импульса прямого смещения Vим, измерение тока и вычисление искомой величины, отличающийся тем, что к омическим контактам (истоковому и стоковому) прикладывают постоянное напряжение Uси, соответствующее линейному...