Горев Микола Борисович
Спосіб визначення концентрації незаповнених глибоких центрів в польових транзисторах з бар’єром шоткі
Номер патенту: 27246
Опубліковано: 15.08.2000
Автори: Еппель Володимир Ілліч, Макарова Тетяна Викторівна, Горев Микола Борисович, Прохоров Євген Федорович, Коджеспірова Іна Федорівна, Уколов Олексій Тихонович
МПК: H01L 21/66
Мітки: шоткі, концентрації, транзисторах, визначення, незаповнених, спосіб, глибоких, польових, бар'єром, центрів
Текст:
...dy V2 = \Eydy; kT nm(0) _ A '\Eydy+\Eydy 'J nm(0) -С(у) N. NtsNot{y) 2Nls-t(y) я = \n m L In A D = B +C где ЛГС - эффективная плотность состояний в зоне проводимости полупроводника, для арсенида галлия =4,3-10 1 7 см 3 , /- длина затвора, h - толщина пленки, к - постоянная Больцмана, q - заряд электрона, є - диэлектрическая проницаемость арсенида галлия. ЕО - электрическая постоянная, п, - параметр Шокли-Рида,...
Засіб визначення концентрації незаповнених глибоких центрів у структурі низькоомна плівка-високоомна підложка
Номер патенту: 1621
Опубліковано: 25.10.1994
Автори: Горев Микола Борисович, Прохоров Євген Федорович, Уколов Олексій Тихонович, Макарова Тетяна Вікторовна
МПК: H01L 21/66
Мітки: низькоомна, плівка-високоомна, незаповнених, центрів, підложка, структури, глибоких, засіб, визначення, концентрації
Формула / Реферат:
Способ определения концентрации незаполненных глубоких центров в структурах низкоомная пленка—высокоомная подложка, включающий создание контактов к пленке, измерение зависимости тока от напряжения между контактами и вычисление искомой величины, отличающийся тем, что, с целью упрощения и повышения информативности способа по крайней мере один из контактов выполняют в виде прижимного зонда, создающего барьер Шоттки, прикладывают к нему...