Богатирьова Ірина Вікторівна
Спосіб одержання сцинтиляційного напівпровідникового матеріалу на основі халькогенідів цинку
Номер патенту: 15651
Опубліковано: 17.07.2006
Автори: Богатирьова Ірина Вікторівна, Катрунов Костянтин Олексійович, Сілін Віталій Іванович, Гальчинецький Леонід Павлович, Рижиков Володимир Діомидович, Гриньов Борис Вікторович, Старжинський Микола Григорович
МПК: C30B 29/48
Мітки: цинку, напівпровідникового, халькогенідів, одержання, матеріалу, спосіб, сцинтиляційного, основі
Формула / Реферат:
Спосіб одержання сцинтиляційного напівпровідникового матеріалу на основі халькогенідів цинку, що містить активуючу домішку кисню, що включає попередню термообробку сировини, вирощування кристалів з розплаву в атмосфері інертного газу, наступну термообробку отриманих кристалів у парах власних компонентів, який відрізняється тим, що попередньо до шихти додають Аl2О3 у концентрації 10-3-10-1мол. %.