Сілін Віталій Іванович

Номер патенту: 87331

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Трубаєва Ольга Геннадіївна, Сілін Віталій Іванович, Гальчинецький Леонід Павлович, Катрунов Костянтин Олексійович, Старжинський Микола Григорович, Лалаянц Олександр Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Гриньов Борис Вікторович

МПК: C01G 9/00, C30B 29/00, C01B 19/00 ...

Мітки: цинку, кристалів, активованих, спосіб, термообробки, селеніду

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку, що включає відпал кристалів у насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим двостадійним охолодженням спочатку до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв., потім до кімнатної температури зі швидкістю 2-3 °С/хв., який відрізняється тим, що додатково здійснюють попередній відпал кристалів у проточній нейтральній атмосфері при температурі...

Номер патенту: 77896

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Спасов Володимир Григорович, Сілін Віталій Іванович, Старжинський Микола Григорович, Джон Кьон Кім, Зеня Ігор Михайлович, Гриньов Борис Вікторович, Нагора Людмила Лаврентіївна, Рижиков Володимир Діомидович, Йон Кюн Кім

МПК: G01N 23/02, G01N 23/22

Мітки: речовини, ефективного, атомного, виявлення, номера, спосіб, значенням

Формула / Реферат:

Спосіб виявлення речовини за значенням її ефективного атомного номера, що включає просвічування об'єкта дослідження рентгенівським випромінюванням і реєстрацію випромінювання, що пройшло через об'єкт, сцинтиляційними детекторами, які встановлюють у послідовності таким чином, що попередній детектор є енергетичним фільтром для наступних, з подальшим аналого-цифровим перетворенням і обробкою електричних сигналів, отриманих від зазначених...

Номер патенту: 77055

Опубліковано: 16.10.2006

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Гриньов Борис Вікторович, Сілін Віталій Іванович

МПК: H01L 31/0264, C30B 29/48

Мітки: матеріал, спосіб, аiiвvi, напівпровідниковий, сполук, основі, сцинтиляційний, одержання

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі сполук АIIBVI, який містить активуючу домішку одного з компонентів і другу домішку одного з компонентів, що утворює з початковою сполукою твердий розчин заміщення, при цьому як активуюча домішка та заміщувальна домішка вибрані компоненти, що утворюють бінарні сполуки АIIBVI і які мають різницю співвідношень параметрів кристалічної решітки в порівнянні з початковою сполукою...

Номер патенту: 15651

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Старжинський Микола Григорович, Катрунов Костянтин Олексійович, Гальчинецький Леонід Павлович, Богатирьова Ірина Вікторівна, Сілін Віталій Іванович, Гриньов Борис Вікторович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 29/48

Мітки: основі, одержання, напівпровідникового, спосіб, халькогенідів, сцинтиляційного, цинку, матеріалу

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтиляційного напівпровідникового матеріалу на основі халькогенідів цинку, що містить активуючу домішку кисню, що включає попередню термообробку сировини, вирощування кристалів з розплаву в атмосфері інертного газу, наступну термообробку отриманих кристалів у парах власних компонентів, який відрізняється тим, що попередньо до шихти додають Аl2О3 у концентрації 10-3-10-1мол. %.

Номер патенту: 76387

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Воронкін Євгеній Федорович, Рижиков Володимир Діомидович, Катрунов Костянтин Олексійович, Галкін Сергій Миколайович, Гальчинецький Леонід Павлович, Лалаянц Олександр Іванович, Сілін Віталій Іванович, Старжинський Микола Григорович

МПК: C30B 33/02

Мітки: кристала, матеріалу, термообробки, спосіб, цинку, сцинтиляційного, ізовалентною, домішкою, селеніду, легованого, основі

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки сцинтиляційного матеріалу на основі кристала селеніду цинку, легованого ізовалентною домішкою, що включає термообробку в насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим охолодженням до кімнатної температури, який відрізняється тим, що охолодження проводять у два етапи, при цьому на першому етапі охолодження проводять до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв, а на другому етапі...

Номер патенту: 74998

Опубліковано: 15.02.2006

Автори: Старжинський Микола Григорович, Гриньов Борис Вікторович, Сілін Віталій Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Катрунов Костянтин Олексійович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/10

Мітки: напівпровідникового, матеріалу, основі, одержання, активованого, сцинтиляційного, селеніду, цинку, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтиляційного напівпровідникового матеріалу на основі активованого селеніду цинку, який полягає в тому, що попередньо здійснюють термообробку шихти селеніду цинку та активатора, після чого вирощують кристали з розплаву в атмосфері інертного газу, який відрізняється тим, що в шихту як активатор вводять халькогенід кадмію у концентрації 3-10% мас.

Номер патенту: 3606

Опубліковано: 15.12.2004

Автори: Воронкін Євгеній Федорович, Галкін Сергій Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович, Сілін Віталій Іванович, Лалаянц Олександр Іванович, Гальчинецький Леонід Павлович

МПК: C30B 35/00

Мітки: напівпровідникових, контейнер, кристалів, термообробки

Формула / Реферат:

Контейнер для термообробки напівпровідникових кристалів, виконаний з матеріалу, що містить вуглець, у вигляді трубчастого елементу з днищем та пробкою, коефіцієнт термічного розширення матеріалу якої відмінний від коефіцієнта термічного розширення матеріалу трубчастого елементу з днищем, який відрізняється тим, що в ньому додатково встановлена газопроникна графітова перегородка на відстані від дна, на якій температура на перегородці на...

Номер патенту: 2267

Опубліковано: 15.01.2004

Автори: Сілін Віталій Іванович, Лалаянц Олександр Іванович, Галкін Сергій Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: кристалів, аiibvi, вирощування, тигель

Формула / Реферат:

Тигель для вирощування кристалів АIIBVI, виконаний у вигляді графітового циліндричного стакана, до верхньої частини якого прилаштована загвинчена графітова пробка, а нижня частина внутрішньої поверхні циліндричного стакана виконана у вигляді конусоподібного затравочного носика, який відрізняється тим, що він  складений з двох однакових тиглів із затравочними носиками, розташованих один над іншим, при цьому кришкою нижнього тигля є дно...

Номер патенту: 51767

Опубліковано: 16.12.2002

Автори: Гальчинецький Леонід Павлович, Рижиков Володимир Діомидович, Сілін Віталій Іванович, Старжинський Микола Григорович

МПК: C30B 29/48, C30B 29/46

Мітки: n-типу, матеріалу, спосіб, цинку, селеніду, одержання, напівпровідникового, основі

Формула / Реферат:

Спосіб одержання напівпровідникового матеріалу n - типу на основі селеніду цинку, що включає вирощування кристалів із розплаву під тиском інертного газу з наступною термообробкою зразків у насичених парах цинку, який відрізняється тим, що за сировину для вирощування використовують частки розміром 0,1 - 2,0 мм, механоактивовані шляхом роздрібнення в середовищі, що вміщує кисень, попередньо вирощених кристалів селеніду цинку.

Номер патенту: 51766

Опубліковано: 16.12.2002

Автори: Старжинський Микола Григорович, Гальчинецький Леонід Павлович, Рижиков Володимир Діомидович, Сілін Віталій Іванович

МПК: C30B 29/46, C30B 29/48

Мітки: спосіб, одержання, активованого, телуром, основі, цинку, селеніду, сцинтилятора

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтилятора на основі селеніду цинку, активованого телуром, що включає попереднє підготування сировини, вирощування кристала з розплаву під тиском інертного газу і термообробку в насичених парах цинку, який відрізняється тим, що за сировину використовують частки розміром 0,1-2 мм, механоактивовані шляхом роздрібнення в середовищі, що вміщує кисень, попередньо вирощеного кристала селеніду цинку, активованого телуром із...

Номер патенту: 25162

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Март'янов Генадій Сергійович, Галкін Сергій Миколайович, Гальчинецький Леонід Павлович, Рижиков Володимир Діомидович, Гурін Вячеслав Анатолійович, Сілін Віталій Іванович

МПК: C30B 35/00

Мітки: термообробки, летких, кристалів, контейнер, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Контейнер для термообработки летучих полупроводниковых кристаллов, выполненный в виде трубчатого элемента с днищем, отличающийся тем, что трубчатый элемент снабжен пробкой из углеграфитового материала с плотностью не менее 1,8г/см3 и коэффициентом термического расширения, рапным (7 - 8) × 10-6град-1, а трубчатый элемент выполнен из композиционного материала, состоящего из углеграфитового порошка, с размером частиц не более 630мкм, и...

Номер патенту: 16681

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Сілін Віталій Іванович, Селегенев Євген Михайлович, Рижиков Володимир Діомидович, Вербицький Олег Петрович

МПК: G01T 1/24, G01T 1/20, H01L 31/04 ...

Мітки: іонізуючих, детектор, спосіб, інтегральній, напівпровідниковий, випромінювань, одержання

Формула / Реферат:

1. Интегральный полупроводниковый детектор ионизирующих излучений, содержащий выполненные из соединений АIIВVI сцинтиллятор и интегрально нанесенный на него фотоприемник, образующий р-n-переход с материалом сцинтиллятора, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности детектора и ее стабильности во времени, р-n-переход состоит из твердого раствора соединений АIIВVI, покрывающего поверхность сцинтиллятора.2. Детектор по п. 1,...

Номер патенту: 16689

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Гуляєв Фелікс Євгенійович, Сілін Віталій Іванович, Вербицький Олег Петрович

МПК: G01N 23/02, G01T 1/202

Мітки: обчислювальної, комбінований, томографії, рентгенівської, детектор

Формула / Реферат:

1. Комбинированный детектор для рентге­новской вычислительной томографии, содержа­щий чувствительный элемент, сцинтиллятор с отражающим покрытием, оптически связанный с фотодиодом, отличающийся тем, что, с целью улучшения разрешения изображения по контрасту за счет уменьшения зависимости амплитуды сиг­нала детектора от спектрального состава излуче­ния при сохранении высокой эффективности рентгенопреобразования и малого послесвечения, в...