Катрунов Костянтин Олексійович

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 89341

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович, Лалаянц Олександр Іванович, Гриньов Борис Вікторович, Старжинський Микола Григорович, Галкін Сергій Миколайович, Катрунов Костянтин Олексійович

МПК: C01G 9/00, C30B 29/46, C01B 19/00 ...

Мітки: активованих, термообробки, селеніду, цинку, спосіб, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку, що включає попередній відпал кристалів і подальший відпал кристалів у насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим двостадійним охолодженням спочатку до температури 600±10 °С зі швидкістю 100+10 °С/хв., потім до кімнатної температури зі швидкістю 2-3 °С/хв., який відрізняється тим, що попередній відпал кристалів проводять у водні при...

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 87331

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Трубаєва Ольга Геннадіївна, Лалаянц Олександр Іванович, Катрунов Костянтин Олексійович, Рижиков Володимир Діомидович, Сілін Віталій Іванович, Старжинський Микола Григорович, Гриньов Борис Вікторович, Гальчинецький Леонід Павлович

МПК: C01G 9/00, C01B 19/00, C30B 29/00 ...

Мітки: спосіб, кристалів, цинку, активованих, термообробки, селеніду

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку, що включає відпал кристалів у насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим двостадійним охолодженням спочатку до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв., потім до кімнатної температури зі швидкістю 2-3 °С/хв., який відрізняється тим, що додатково здійснюють попередній відпал кристалів у проточній нейтральній атмосфері при температурі...

Персональний пристрій для вимірювання біологічно активного ультрафіолетового випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 35326

Опубліковано: 10.09.2008

Автори: Старжинський Микола Григорович, Катрунов Костянтин Олексійович, Гальчинецький Леонід Павлович, Рижиков Володимир Діомидович, Гриньов Борис Вікторович, Гордієнко Юрій Омелянович, Бендеберя Генадій Миколайович

МПК: G01J 1/42, G02B 5/02

Мітки: пристрій, вимірювання, випромінювання, активного, ультрафіолетового, біологічно, персональний

Формула / Реферат:

1. Персональний пристрій для вимірювання біологічно активного ультрафіолетового випромінювання, який містить розсіювальний елемент і розміщений за ним приймач ультрафіолетового випромінювання, який складається із світлофільтра, виконаного з набору елементів, кожний з яких виділяє один із діапазонів біологічно активного ультрафіолетового випромінювання, та фотодетектора, у якому використаний твердий розчин складу ZnSe1-хTex, де 0,002

Спосіб одержання сцинтиляційного напівпровідникового матеріалу на основі халькогенідів цинку

Завантаження...

Номер патенту: 15651

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Старжинський Микола Григорович, Сілін Віталій Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Катрунов Костянтин Олексійович, Богатирьова Ірина Вікторівна, Гальчинецький Леонід Павлович

МПК: C30B 29/48

Мітки: матеріалу, сцинтиляційного, напівпровідникового, основі, одержання, халькогенідів, спосіб, цинку

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтиляційного напівпровідникового матеріалу на основі халькогенідів цинку, що містить активуючу домішку кисню, що включає попередню термообробку сировини, вирощування кристалів з розплаву в атмосфері інертного газу, наступну термообробку отриманих кристалів у парах власних компонентів, який відрізняється тим, що попередньо до шихти додають Аl2О3 у концентрації 10-3-10-1мол. %.

Спосіб термообробки сцинтиляційного матеріалу на основі кристала селеніду цинку, легованого ізовалентною домішкою

Завантаження...

Номер патенту: 76387

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Старжинський Микола Григорович, Галкін Сергій Миколайович, Сілін Віталій Іванович, Катрунов Костянтин Олексійович, Лалаянц Олександр Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович, Воронкін Євгеній Федорович

МПК: C30B 33/02

Мітки: матеріалу, селеніду, легованого, цинку, кристала, термообробки, домішкою, ізовалентною, сцинтиляційного, спосіб, основі

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки сцинтиляційного матеріалу на основі кристала селеніду цинку, легованого ізовалентною домішкою, що включає термообробку в насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим охолодженням до кімнатної температури, який відрізняється тим, що охолодження проводять у два етапи, при цьому на першому етапі охолодження проводять до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв, а на другому етапі...

Спосіб термічної обробки монокристалів вольфрамату свинцю

Завантаження...

Номер патенту: 76025

Опубліковано: 15.06.2006

Автори: Пирогов Євген Миколайович, Катрунов Костянтин Олексійович, Рижиков Володимир Діомидович, Бондар Валерій Григорійович, Гриньов Борис Вікторович, Кривошеін Вадим Іванович, Нагорна Людмила Лаврентієвна, Бабійчук Інна Петрівна

МПК: C30B 33/02, C30B 29/10

Мітки: термічної, спосіб, монокристалів, вольфрамату, обробки, свинцю

Формула / Реферат:

Спосіб термічної обробки монокристалів вольфрамату свинцю, який полягає в тому, що монокристали нагрівають, витримують при постійній температурі в атмосфері інертного газу та кисневмісній атмосфері і охолоджують до кімнатної температури, який відрізняється тим, що нагрівання здійснюють зі швидкістю 50-200 град./годину до температури 1030-1050°С, у початковій стадії термічну обробку проводять в атмосфері азоту з домішкою 1-5 об.% кисню при...

Спосіб одержання сцинтиляційного напівпровідникового матеріалу на основі активованого селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 74998

Опубліковано: 15.02.2006

Автори: Сілін Віталій Іванович, Гриньов Борис Вікторович, Рижиков Володимир Діомидович, Катрунов Костянтин Олексійович, Старжинський Микола Григорович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/10

Мітки: одержання, сцинтиляційного, основі, цинку, активованого, напівпровідникового, матеріалу, спосіб, селеніду

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтиляційного напівпровідникового матеріалу на основі активованого селеніду цинку, який полягає в тому, що попередньо здійснюють термообробку шихти селеніду цинку та активатора, після чого вирощують кристали з розплаву в атмосфері інертного газу, який відрізняється тим, що в шихту як активатор вводять халькогенід кадмію у концентрації 3-10% мас.

Детектор іонізуючого випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 46134

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Волков Володимир Генадієвич, Рижиков Володимир Діомидович, Гаврилюк Володимир Петрович, Даншин Євгеній Олександрович, Катрунов Костянтин Олексійович, Гальчинецький Леонід Павлович, Гриньов Борис Вікторович, Квітницька Валентина Захарівна

МПК: G01T 1/202

Мітки: детектор, іонізуючого, випромінювання

Формула / Реферат:

1.       Детектор іонізуючого випромінювання, виконаний у вигляді моношару кристалічних частинок, нанесеного на оптичний елемент, який відрізняється тим, що оптичний елемент по формі являє собою п'ятигранник із квадратною основою, двома більшими трапецієподібними гранями і двома меншими трикутними гранями із співвідношенням сторін:<  ...

Спосіб відновлення робочих характеристик сцинтиляторів на основі вольфрамату свинцю

Завантаження...

Номер патенту: 29131

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Півень Леонід Олексійович, Мартинов Валерій Павлович, Бондар Валерій Григорович, Бурачас Станіслав Феліксович, Катрунов Костянтин Олексійович, Манько Владіслав Івановіч

МПК: C30B 33/00

Мітки: характеристик, спосіб, свинцю, робочих, вольфрамату, основі, сцинтиляторів, відновлення

Формула / Реферат:

Спосіб відновлення робочих характеристик сцинтиляторів на основі вольфрамату свинцю, що включає опромінювання їх видимим світлом, який відрізняється тим, що опромінювання проводять на довжині хвилі 530-580 нм з енергетичною освітленістю 0,15-0,2 мВт/см2 на протязі 25-30 хвилин.

Спосіб виготовлення сцинтиляторів із монокристалів вольфрамату кадмію

Завантаження...

Номер патенту: 10565

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Бурачас Станіслав Феліксович, Катрунов Костянтин Олексійович, Мартинов Валерій Павлович, Пирогов Євген Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович, Бондар Валерій Григорович, Бороденко Юрій Афанасійович

МПК: C30B 33/00

Мітки: спосіб, монокристалів, кадмію, вольфрамату, виготовлення, сцинтиляторів

Формула / Реферат:

Способ изготовления сцинтилляторов из мо­нокристаллов вольфрамата кадмия, включающий ориентирование, резку, шлифовку и полировку монокристаллов, отличающийся тем, что грань сцинтиллятора, обращенную к фотоприемнику, изготавливают ориентированной по кристаллогра­фической плоскости (Т01), или (010), или (001) при разориентации не более 5 градусов.

Спосіб вирощування сцинтиляційних монокристалів вольфрамату кадмію

Завантаження...

Номер патенту: 10603

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Катрунов Костянтин Олексійович, Мартинов Валерій Павлович, Бондар Валерій Григорович, Бурачас Станіслав Феліксович, Рижиков Володимир Діомидович, Бороденко Юрій Афанасійович, Пирогов Євген Миколайович

МПК: C30B 33/00

Мітки: кадмію, вирощування, монокристалів, сцинтиляційних, спосіб, вольфрамату

Формула / Реферат:

Способ выращивания сцинтилляционных монокристаллов вольфрамата кадмия, вклгочающий затравленно на ориентированный затравочный кристалл, разращивание верхнего конуса, вы­ращивание при постоянном диаметре, отрыв кристалла от расплава, отличающийся тем, что вы­ращивание ведут вдоль кристаллографического на­правления [101] с отклонением не более 5°, перед разращиванием кристалл уменьшают в диаметре на 10-30%, а угол разращивания устанавливают в...

Спосіб термообробки кристалів вольфрамату кадмію

Завантаження...

Номер патенту: 10831

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Катрунов Костянтин Олексійович, Бондар Валерій Григорович, Бурачас Станіслав Феліксович, Рижиков Володимир Діомидович, Мартинов Валерій Павлович, Бороденко Юрій Афанасійович, Пирогов Євген Миколайович

МПК: C30B 33/00

Мітки: спосіб, термообробки, кадмію, вольфрамату, кристалів

Формула / Реферат:

Способ термообработки кристаллов вольфра­мата кадмия, включающий нагрев, выдержку и ох­лаждение, отличающийся тем, что нагрев проводят в кислородсодержащей атмосфере до тем­пературы 950-1230°С при выдержке 25-75 часов.