Катрунов Костянтин Олексійович
Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку
Номер патенту: 89341
Опубліковано: 11.01.2010
Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович, Лалаянц Олександр Іванович, Гриньов Борис Вікторович, Старжинський Микола Григорович, Галкін Сергій Миколайович, Катрунов Костянтин Олексійович
МПК: C01G 9/00, C30B 29/46, C01B 19/00 ...
Мітки: активованих, термообробки, селеніду, цинку, спосіб, кристалів
Формула / Реферат:
Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку, що включає попередній відпал кристалів і подальший відпал кристалів у насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим двостадійним охолодженням спочатку до температури 600±10 °С зі швидкістю 100+10 °С/хв., потім до кімнатної температури зі швидкістю 2-3 °С/хв., який відрізняється тим, що попередній відпал кристалів проводять у водні при...
Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку
Номер патенту: 87331
Опубліковано: 10.07.2009
Автори: Трубаєва Ольга Геннадіївна, Лалаянц Олександр Іванович, Катрунов Костянтин Олексійович, Рижиков Володимир Діомидович, Сілін Віталій Іванович, Старжинський Микола Григорович, Гриньов Борис Вікторович, Гальчинецький Леонід Павлович
МПК: C01G 9/00, C01B 19/00, C30B 29/00 ...
Мітки: спосіб, кристалів, цинку, активованих, термообробки, селеніду
Формула / Реферат:
Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку, що включає відпал кристалів у насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим двостадійним охолодженням спочатку до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв., потім до кімнатної температури зі швидкістю 2-3 °С/хв., який відрізняється тим, що додатково здійснюють попередній відпал кристалів у проточній нейтральній атмосфері при температурі...
Персональний пристрій для вимірювання біологічно активного ультрафіолетового випромінювання
Номер патенту: 35326
Опубліковано: 10.09.2008
Автори: Старжинський Микола Григорович, Катрунов Костянтин Олексійович, Гальчинецький Леонід Павлович, Рижиков Володимир Діомидович, Гриньов Борис Вікторович, Гордієнко Юрій Омелянович, Бендеберя Генадій Миколайович
Мітки: пристрій, вимірювання, випромінювання, активного, ультрафіолетового, біологічно, персональний
Формула / Реферат:
1. Персональний пристрій для вимірювання біологічно активного ультрафіолетового випромінювання, який містить розсіювальний елемент і розміщений за ним приймач ультрафіолетового випромінювання, який складається із світлофільтра, виконаного з набору елементів, кожний з яких виділяє один із діапазонів біологічно активного ультрафіолетового випромінювання, та фотодетектора, у якому використаний твердий розчин складу ZnSe1-хTex, де 0,002
Спосіб одержання сцинтиляційного напівпровідникового матеріалу на основі халькогенідів цинку
Номер патенту: 15651
Опубліковано: 17.07.2006
Автори: Гриньов Борис Вікторович, Старжинський Микола Григорович, Сілін Віталій Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Катрунов Костянтин Олексійович, Богатирьова Ірина Вікторівна, Гальчинецький Леонід Павлович
МПК: C30B 29/48
Мітки: матеріалу, сцинтиляційного, напівпровідникового, основі, одержання, халькогенідів, спосіб, цинку
Формула / Реферат:
Спосіб одержання сцинтиляційного напівпровідникового матеріалу на основі халькогенідів цинку, що містить активуючу домішку кисню, що включає попередню термообробку сировини, вирощування кристалів з розплаву в атмосфері інертного газу, наступну термообробку отриманих кристалів у парах власних компонентів, який відрізняється тим, що попередньо до шихти додають Аl2О3 у концентрації 10-3-10-1мол. %.
Спосіб термообробки сцинтиляційного матеріалу на основі кристала селеніду цинку, легованого ізовалентною домішкою
Номер патенту: 76387
Опубліковано: 17.07.2006
Автори: Гриньов Борис Вікторович, Старжинський Микола Григорович, Галкін Сергій Миколайович, Сілін Віталій Іванович, Катрунов Костянтин Олексійович, Лалаянц Олександр Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович, Воронкін Євгеній Федорович
МПК: C30B 33/02
Мітки: матеріалу, селеніду, легованого, цинку, кристала, термообробки, домішкою, ізовалентною, сцинтиляційного, спосіб, основі
Формула / Реферат:
Спосіб термообробки сцинтиляційного матеріалу на основі кристала селеніду цинку, легованого ізовалентною домішкою, що включає термообробку в насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим охолодженням до кімнатної температури, який відрізняється тим, що охолодження проводять у два етапи, при цьому на першому етапі охолодження проводять до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв, а на другому етапі...
Спосіб термічної обробки монокристалів вольфрамату свинцю
Номер патенту: 76025
Опубліковано: 15.06.2006
Автори: Пирогов Євген Миколайович, Катрунов Костянтин Олексійович, Рижиков Володимир Діомидович, Бондар Валерій Григорійович, Гриньов Борис Вікторович, Кривошеін Вадим Іванович, Нагорна Людмила Лаврентієвна, Бабійчук Інна Петрівна
МПК: C30B 33/02, C30B 29/10
Мітки: термічної, спосіб, монокристалів, вольфрамату, обробки, свинцю
Формула / Реферат:
Спосіб термічної обробки монокристалів вольфрамату свинцю, який полягає в тому, що монокристали нагрівають, витримують при постійній температурі в атмосфері інертного газу та кисневмісній атмосфері і охолоджують до кімнатної температури, який відрізняється тим, що нагрівання здійснюють зі швидкістю 50-200 град./годину до температури 1030-1050°С, у початковій стадії термічну обробку проводять в атмосфері азоту з домішкою 1-5 об.% кисню при...
Спосіб одержання сцинтиляційного напівпровідникового матеріалу на основі активованого селеніду цинку
Номер патенту: 74998
Опубліковано: 15.02.2006
Автори: Сілін Віталій Іванович, Гриньов Борис Вікторович, Рижиков Володимир Діомидович, Катрунов Костянтин Олексійович, Старжинський Микола Григорович
МПК: C30B 11/00, C30B 29/10
Мітки: одержання, сцинтиляційного, основі, цинку, активованого, напівпровідникового, матеріалу, спосіб, селеніду
Формула / Реферат:
Спосіб одержання сцинтиляційного напівпровідникового матеріалу на основі активованого селеніду цинку, який полягає в тому, що попередньо здійснюють термообробку шихти селеніду цинку та активатора, після чого вирощують кристали з розплаву в атмосфері інертного газу, який відрізняється тим, що в шихту як активатор вводять халькогенід кадмію у концентрації 3-10% мас.
Детектор іонізуючого випромінювання
Номер патенту: 46134
Опубліковано: 15.05.2002
Автори: Волков Володимир Генадієвич, Рижиков Володимир Діомидович, Гаврилюк Володимир Петрович, Даншин Євгеній Олександрович, Катрунов Костянтин Олексійович, Гальчинецький Леонід Павлович, Гриньов Борис Вікторович, Квітницька Валентина Захарівна
МПК: G01T 1/202
Мітки: детектор, іонізуючого, випромінювання
Формула / Реферат:
1. Детектор іонізуючого випромінювання, виконаний у вигляді моношару кристалічних частинок, нанесеного на оптичний елемент, який відрізняється тим, що оптичний елемент по формі являє собою п'ятигранник із квадратною основою, двома більшими трапецієподібними гранями і двома меншими трикутними гранями із співвідношенням сторін:< ...
Спосіб відновлення робочих характеристик сцинтиляторів на основі вольфрамату свинцю
Номер патенту: 29131
Опубліковано: 16.10.2000
Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Півень Леонід Олексійович, Мартинов Валерій Павлович, Бондар Валерій Григорович, Бурачас Станіслав Феліксович, Катрунов Костянтин Олексійович, Манько Владіслав Івановіч
МПК: C30B 33/00
Мітки: характеристик, спосіб, свинцю, робочих, вольфрамату, основі, сцинтиляторів, відновлення
Формула / Реферат:
Спосіб відновлення робочих характеристик сцинтиляторів на основі вольфрамату свинцю, що включає опромінювання їх видимим світлом, який відрізняється тим, що опромінювання проводять на довжині хвилі 530-580 нм з енергетичною освітленістю 0,15-0,2 мВт/см2 на протязі 25-30 хвилин.
Спосіб виготовлення сцинтиляторів із монокристалів вольфрамату кадмію
Номер патенту: 10565
Опубліковано: 25.12.1996
Автори: Бурачас Станіслав Феліксович, Катрунов Костянтин Олексійович, Мартинов Валерій Павлович, Пирогов Євген Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович, Бондар Валерій Григорович, Бороденко Юрій Афанасійович
МПК: C30B 33/00
Мітки: спосіб, монокристалів, кадмію, вольфрамату, виготовлення, сцинтиляторів
Формула / Реферат:
Способ изготовления сцинтилляторов из монокристаллов вольфрамата кадмия, включающий ориентирование, резку, шлифовку и полировку монокристаллов, отличающийся тем, что грань сцинтиллятора, обращенную к фотоприемнику, изготавливают ориентированной по кристаллографической плоскости (Т01), или (010), или (001) при разориентации не более 5 градусов.
Спосіб вирощування сцинтиляційних монокристалів вольфрамату кадмію
Номер патенту: 10603
Опубліковано: 25.12.1996
Автори: Катрунов Костянтин Олексійович, Мартинов Валерій Павлович, Бондар Валерій Григорович, Бурачас Станіслав Феліксович, Рижиков Володимир Діомидович, Бороденко Юрій Афанасійович, Пирогов Євген Миколайович
МПК: C30B 33/00
Мітки: кадмію, вирощування, монокристалів, сцинтиляційних, спосіб, вольфрамату
Формула / Реферат:
Способ выращивания сцинтилляционных монокристаллов вольфрамата кадмия, вклгочающий затравленно на ориентированный затравочный кристалл, разращивание верхнего конуса, выращивание при постоянном диаметре, отрыв кристалла от расплава, отличающийся тем, что выращивание ведут вдоль кристаллографического направления [101] с отклонением не более 5°, перед разращиванием кристалл уменьшают в диаметре на 10-30%, а угол разращивания устанавливают в...
Спосіб термообробки кристалів вольфрамату кадмію
Номер патенту: 10831
Опубліковано: 25.12.1996
Автори: Катрунов Костянтин Олексійович, Бондар Валерій Григорович, Бурачас Станіслав Феліксович, Рижиков Володимир Діомидович, Мартинов Валерій Павлович, Бороденко Юрій Афанасійович, Пирогов Євген Миколайович
МПК: C30B 33/00
Мітки: спосіб, термообробки, кадмію, вольфрамату, кристалів
Формула / Реферат:
Способ термообработки кристаллов вольфрамата кадмия, включающий нагрев, выдержку и охлаждение, отличающийся тем, что нагрев проводят в кислородсодержащей атмосфере до температуры 950-1230°С при выдержке 25-75 часов.