Гальчинецький Леонід Павлович

Номер патенту: 89341

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Лалаянц Олександр Іванович, Старжинський Микола Григорович, Галкін Сергій Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович, Гриньов Борис Вікторович, Катрунов Костянтин Олексійович, Гальчинецький Леонід Павлович

МПК: C01B 19/00, C01G 9/00, C30B 29/46 ...

Мітки: кристалів, селеніду, цинку, активованих, спосіб, термообробки

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку, що включає попередній відпал кристалів і подальший відпал кристалів у насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим двостадійним охолодженням спочатку до температури 600±10 °С зі швидкістю 100+10 °С/хв., потім до кімнатної температури зі швидкістю 2-3 °С/хв., який відрізняється тим, що попередній відпал кристалів проводять у водні при...

Номер патенту: 87331

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Катрунов Костянтин Олексійович, Старжинський Микола Григорович, Лалаянц Олександр Іванович, Трубаєва Ольга Геннадіївна, Сілін Віталій Іванович, Гальчинецький Леонід Павлович, Гриньов Борис Вікторович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C01B 19/00, C30B 29/00, C01G 9/00 ...

Мітки: активованих, цинку, селеніду, спосіб, кристалів, термообробки

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку, що включає відпал кристалів у насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим двостадійним охолодженням спочатку до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв., потім до кімнатної температури зі швидкістю 2-3 °С/хв., який відрізняється тим, що додатково здійснюють попередній відпал кристалів у проточній нейтральній атмосфері при температурі...

Номер патенту: 35326

Опубліковано: 10.09.2008

Автори: Бендеберя Генадій Миколайович, Катрунов Костянтин Олексійович, Рижиков Володимир Діомидович, Гордієнко Юрій Омелянович, Гриньов Борис Вікторович, Гальчинецький Леонід Павлович, Старжинський Микола Григорович

МПК: G02B 5/02, G01J 1/42

Мітки: біологічно, пристрій, випромінювання, персональний, ультрафіолетового, активного, вимірювання

Формула / Реферат:

1. Персональний пристрій для вимірювання біологічно активного ультрафіолетового випромінювання, який містить розсіювальний елемент і розміщений за ним приймач ультрафіолетового випромінювання, який складається із світлофільтра, виконаного з набору елементів, кожний з яких виділяє один із діапазонів біологічно активного ультрафіолетового випромінювання, та фотодетектора, у якому використаний твердий розчин складу ZnSe1-хTex, де 0,002

Номер патенту: 15651

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Богатирьова Ірина Вікторівна, Рижиков Володимир Діомидович, Катрунов Костянтин Олексійович, Старжинський Микола Григорович, Сілін Віталій Іванович, Гальчинецький Леонід Павлович

МПК: C30B 29/48

Мітки: сцинтиляційного, напівпровідникового, цинку, одержання, халькогенідів, матеріалу, спосіб, основі

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтиляційного напівпровідникового матеріалу на основі халькогенідів цинку, що містить активуючу домішку кисню, що включає попередню термообробку сировини, вирощування кристалів з розплаву в атмосфері інертного газу, наступну термообробку отриманих кристалів у парах власних компонентів, який відрізняється тим, що попередньо до шихти додають Аl2О3 у концентрації 10-3-10-1мол. %.

Номер патенту: 76387

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Старжинський Микола Григорович, Гальчинецький Леонід Павлович, Воронкін Євгеній Федорович, Лалаянц Олександр Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Сілін Віталій Іванович, Галкін Сергій Миколайович, Катрунов Костянтин Олексійович, Гриньов Борис Вікторович

МПК: C30B 33/02

Мітки: спосіб, домішкою, легованого, цинку, селеніду, матеріалу, основі, ізовалентною, кристала, термообробки, сцинтиляційного

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки сцинтиляційного матеріалу на основі кристала селеніду цинку, легованого ізовалентною домішкою, що включає термообробку в насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим охолодженням до кімнатної температури, який відрізняється тим, що охолодження проводять у два етапи, при цьому на першому етапі охолодження проводять до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв, а на другому етапі...

Номер патенту: 5630

Опубліковано: 15.03.2005

Автори: Гальчинецький Леонід Павлович, Рижиков Володимир Діомидович, Гриньов Борис Вікторович

МПК: G02B 5/02, G01J 1/42

Мітки: активного, персональний, випромінювання, пристрій, біологічно, вимірювання, ультрафіолетового

Формула / Реферат:

1. Персональний пристрій для вимірювання біологічно активного ультрафіолетового випромінювання, який містить приймач ультрафіолетового випромінювання, що складається зі світлофільтра, який виділяє кожний з діапазону біологічно активного ультрафіолетового випромінювання, та фотодетектора, у якому використаний твердий розчин складу ZnSe1-xTex, де , а також...

Номер патенту: 3606

Опубліковано: 15.12.2004

Автори: Воронкін Євгеній Федорович, Сілін Віталій Іванович, Галкін Сергій Миколайович, Лалаянц Олександр Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович

МПК: C30B 35/00

Мітки: напівпровідникових, термообробки, кристалів, контейнер

Формула / Реферат:

Контейнер для термообробки напівпровідникових кристалів, виконаний з матеріалу, що містить вуглець, у вигляді трубчастого елементу з днищем та пробкою, коефіцієнт термічного розширення матеріалу якої відмінний від коефіцієнта термічного розширення матеріалу трубчастого елементу з днищем, який відрізняється тим, що в ньому додатково встановлена газопроникна графітова перегородка на відстані від дна, на якій температура на перегородці на...

Номер патенту: 2267

Опубліковано: 15.01.2004

Автори: Галкін Сергій Миколайович, Сілін Віталій Іванович, Лалаянц Олександр Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: тигель, аiibvi, вирощування, кристалів

Формула / Реферат:

Тигель для вирощування кристалів АIIBVI, виконаний у вигляді графітового циліндричного стакана, до верхньої частини якого прилаштована загвинчена графітова пробка, а нижня частина внутрішньої поверхні циліндричного стакана виконана у вигляді конусоподібного затравочного носика, який відрізняється тим, що він  складений з двох однакових тиглів із затравочними носиками, розташованих один над іншим, при цьому кришкою нижнього тигля є дно...

Номер патенту: 55388

Опубліковано: 15.04.2003

Автори: Гальчинецький Леонід Павлович, Поповський Юрій Віталійович, Авдеєнко Анатолій Антонович, Верін Віталій Євгенович, Рижиков Володимир Діомидович, Даншин Євген Олександрович, Махній Віктор Петрович

МПК: G01J 1/00, G01J 1/42

Мітки: випромінювання, ультрафіолетового, активного, персональний, вимірювання, біологічно, пристрій

Формула / Реферат:

Персональний пристрій для вимірювання біологічно активного ультрафіолетового випромінювання, який містить приймач ультрафіолетового випромінювання, що складається із світлофільтра та фотодетектора, у якому використаний селенід металу, та вимірювально-індикаторний блок, який відрізняється тим, що світлофільтр виконаний у вигляді набору елементів, кожний з яких виділяє один з діапазонів біологічно активного ультрафіолетового випромінювання, а...

Номер патенту: 51767

Опубліковано: 16.12.2002

Автори: Сілін Віталій Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Старжинський Микола Григорович, Гальчинецький Леонід Павлович

МПК: C30B 29/46, C30B 29/48

Мітки: цинку, матеріалу, n-типу, напівпровідникового, спосіб, селеніду, одержання, основі

Формула / Реферат:

Спосіб одержання напівпровідникового матеріалу n - типу на основі селеніду цинку, що включає вирощування кристалів із розплаву під тиском інертного газу з наступною термообробкою зразків у насичених парах цинку, який відрізняється тим, що за сировину для вирощування використовують частки розміром 0,1 - 2,0 мм, механоактивовані шляхом роздрібнення в середовищі, що вміщує кисень, попередньо вирощених кристалів селеніду цинку.

Номер патенту: 51766

Опубліковано: 16.12.2002

Автори: Гальчинецький Леонід Павлович, Сілін Віталій Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Старжинський Микола Григорович

МПК: C30B 29/46, C30B 29/48

Мітки: активованого, основі, сцинтилятора, селеніду, цинку, телуром, спосіб, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтилятора на основі селеніду цинку, активованого телуром, що включає попереднє підготування сировини, вирощування кристала з розплаву під тиском інертного газу і термообробку в насичених парах цинку, який відрізняється тим, що за сировину використовують частки розміром 0,1-2 мм, механоактивовані шляхом роздрібнення в середовищі, що вміщує кисень, попередньо вирощеного кристала селеніду цинку, активованого телуром із...

Номер патенту: 46134

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Гальчинецький Леонід Павлович, Квітницька Валентина Захарівна, Рижиков Володимир Діомидович, Волков Володимир Генадієвич, Катрунов Костянтин Олексійович, Гаврилюк Володимир Петрович, Даншин Євгеній Олександрович

МПК: G01T 1/202

Мітки: детектор, випромінювання, іонізуючого

Формула / Реферат:

1.       Детектор іонізуючого випромінювання, виконаний у вигляді моношару кристалічних частинок, нанесеного на оптичний елемент, який відрізняється тим, що оптичний елемент по формі являє собою п'ятигранник із квадратною основою, двома більшими трапецієподібними гранями і двома меншими трикутними гранями із співвідношенням сторін:<  ...

Номер патенту: 44547

Опубліковано: 15.02.2002

Автори: Старжинський Микола Григорович, Гальчинецький Леонід Павлович, Козин Дмитро Миколайович, Свищ Володимир Митрофанович, Рижиков Володимир Діомидович, Байбіков Вадим Володимирович

МПК: G01T 1/202

Мітки: інтроскопії, рентгенівської, детектувальна, система

Формула / Реферат:

Детектувальна система для рентгенівської інтроскопії, що містить послідовно розташовані низькоенергетичний та високоенергетичний сцинтиляційні детектори, а також фільтр, яка відрізняється тим, що сцинтилятор низькоенергетичного детектора та фільтр з'єднані у єдиний елемент, виконаний з кристала ZnSe(Te).

Номер патенту: 862

Опубліковано: 16.07.2001

Автори: Воронкін Євген Федорович, Рижиков Володимир Діомидович, Галкін Сергій Миколайович, Гальчинецький Леонід Павлович

МПК: C30B 35/00

Мітки: очищення, кристалізації, матеріалів, установка, синтезу

Формула / Реферат:

Установка для очищення, синтезу та кристалізації матеріалів, яка містить основу зі стійкою, вузол кріплення контейнера, який з'єднаний зі стійкою та складається   з передньої та задньої підпор, що з'єднані напрямними, контейнер, закріплений між підпорами з можливістю обер­тання у вертикальній площині, власна вісь обертання якого спрямована уздовж напрямних, та який з'єднаний з електрорушієм обертання навколо згаданої осі і огорнутий...

Номер патенту: 26697

Опубліковано: 12.11.1999

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Галкін Сергій Миколайович, Гальчинецький Леонід Павлович, Носачов Борис Григорович, Лисецька Олена Костянтинівна

МПК: C30B 29/48, C30B 33/00

Мітки: телуром, сировини, термообробки, активованій, одержання, спосіб, селеніду, кристалів, цинку

Текст:

...селен в количестве 1-4 мас.%. Согласно исследованиям, при нагреве шихты основным устойчивым продуктом в широком интервале температур (до 1000°С и выше) является оксид цинка. Пленка ZnO, не являясь принципиальным препятствием, вследствие рыхлости своей структуры, однако, сильно тормозит процесс образования твердого раствора ZnSe1x(Tex). Добавление элементарного металлического селена в смесь порошков ZnSe и ZnTe существенно влияет на...

Номер патенту: 25162

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Сілін Віталій Іванович, Март'янов Генадій Сергійович, Рижиков Володимир Діомидович, Галкін Сергій Миколайович, Гальчинецький Леонід Павлович, Гурін Вячеслав Анатолійович

МПК: C30B 35/00

Мітки: кристалів, напівпровідникових, контейнер, термообробки, летких

Формула / Реферат:

Контейнер для термообработки летучих полупроводниковых кристаллов, выполненный в виде трубчатого элемента с днищем, отличающийся тем, что трубчатый элемент снабжен пробкой из углеграфитового материала с плотностью не менее 1,8г/см3 и коэффициентом термического расширения, рапным (7 - 8) × 10-6град-1, а трубчатый элемент выполнен из композиционного материала, состоящего из углеграфитового порошка, с размером частиц не более 630мкм, и...

Номер патенту: 16710

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Старжинський Микола Григорович, Гальчинецький Леонід Павлович, Файнер Михайло Шайович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 29/46, C30B 33/02

Мітки: цинку, термообробки, оптичних, спосіб, селеніду, елементів

Формула / Реферат:

Способ термообработки оптических элемен­тов из селенида цинка, включающий выдержку при их нагреве, отличающийся тем, что, с целью уменьшения коэффициента оптического поглоще­ния в инфракрасной области, термообработку про­водят в атмосфере насыщенного пара теллура при нагреве до 1000-1050°С в течение 40-44 ч.