Патенти з міткою «халькогенідів»

Номер патенту: 15651

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Богатирьова Ірина Вікторівна, Катрунов Костянтин Олексійович, Сілін Віталій Іванович, Старжинський Микола Григорович, Гальчинецький Леонід Павлович, Гриньов Борис Вікторович

МПК: C30B 29/48

Мітки: сцинтиляційного, напівпровідникового, матеріалу, одержання, халькогенідів, основі, спосіб, цинку

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтиляційного напівпровідникового матеріалу на основі халькогенідів цинку, що містить активуючу домішку кисню, що включає попередню термообробку сировини, вирощування кристалів з розплаву в атмосфері інертного газу, наступну термообробку отриманих кристалів у парах власних компонентів, який відрізняється тим, що попередньо до шихти додають Аl2О3 у концентрації 10-3-10-1мол. %.

Номер патенту: 16124

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Турецький Олександр Євстафійович, Чебаненко Анатолій Павлович, Чемересюк Георгій Гаврилович

МПК: H01L 21/205, C01G 11/00, C01G 9/00 ...

Мітки: цинку, металів, підкладці, сульфіду, халькогенідів, виготовлення, спосіб, наприклад, плівок

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення плівок халькогенідів металів, наприклад сульфіду цинку на підкладці, який полягає в тому, що всередині проточного реактора розміщують на вході кювету з хелатною металоорганічною сполукою, а на виході - підкладку, потім пропускають через проточний реактор газ-носій, після чого нагрівають кювету до температури випаровування хелатної металоорганічної сполуки, а її пари за допомогою газу-носія транспортують до підкладки,...

Номер патенту: 10479

Опубліковано: 15.11.2005

Автор: Копил Олександр Іванович

МПК: C30B 13/00

Мітки: основі, розчинів, провідності, твердих, р-типу, отримання, матеріалу, термоелектричного, процес, халькогенідів

Формула / Реферат:

Процес отримання термоелектричного матеріалу р-типу провідності на основі твердих розчинів халькогенідів Ві і Sb, який включає етапи синтезу, охолодження, вертикальну зонну перекристалізацію та подальше вимірювання розподілу значень термоелектрорушійної сили (термоЕРС) і електропровідності вздовж злитка, який відрізняється тим, що невідповідні параметрам початкові та кінцеві за напрямком росту частини злитка відрізають і повторно сплавляють...

Номер патенту: 71914

Опубліковано: 17.01.2005

Автори: Матвіїв Мирон Васильович, Луців Роман Васильович, Морозов Леонід Михайлович

МПК: C30B 28/00, C30B 9/00, C30B 30/00 ...

Мітки: кристалів, спосіб, ртуті, напівпровідникових, халькогенідів, отримання, основі

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникових кристалів на основі халькогенідів ртуті методом твердотільної рекристалізації, який містить відпал в кварцевій ампулі полікристалічної матриці, який відрізняється тим, що відпал проводять у присутності порошку матеріалу матриці і активованого вугілля, що заповнює весь вільний простір ампули.

Номер патенту: 50130

Опубліковано: 15.10.2002

Автори: Павлюк Любомир Ростиславович, Фреїк Дмитро Михайлович, Матеїк Галина Дмитрівна, Галущак Мар'ян Олексійович, Довгий Олег Ярославович

МПК: C30B 11/02

Мітки: великим, свинцю, отримання, плівок, рушійної, сили, тонких, значенням, термоелектричної, спосіб, атмосфери, халькогенідів, аргону

Формула / Реферат:

Спосіб отримання тонких плівок халькогенідів свинцю із великим значенням термоелектричної рушійної сили в атмосфері аргону, який полягає в тому, що плівки вирощують методом квазізамкнутого об'єму шляхом використання наперед синтезованої сполуки РbТе у вигляді порошку, випаровуванням цієї сполуки з наступним осадженням на підігріту підкладку із слюди, який відрізняється тим, що вирощування плівок здійснюють в атмосфері аргону при тиску...

Номер патенту: 50128

Опубліковано: 15.10.2002

Автори: Фреїк Андрій Дмитрович, Довгий Олег Ярославович, Межиловська Любов Йосипівна, Калитчук Іван Васильович, Галущак Мар'ян Олексійович

МПК: C30B 11/02

Мітки: кисню, атмосфери, халькогенідів, спосіб, значенням, тонких, термоелектричної, плівок, сили, рушійної, отримання, великим

Формула / Реферат:

Спосіб отримання тонких плівок халькогенідів свинцю із великим значенням термоелектричної рушійної сили в атмосфері кисню, який полягає в тому, що плівки вирощують методом квазізамкнутого об'єму шляхом використання напередсинтезованої сполуки РbТе у вигляді порошку, випаровуванням цієї сполуки з наступним осадженням на підігріту підкладку із слюди, який відрізняється тим, що вирощування плівок здійснюють в атмосфері кисню при тиску...

Номер патенту: 22724

Опубліковано: 07.04.1998

Автор: Зінченко Віктор Федосійович

МПК: C03C 3/32

Мітки: халькогенідів, одержання, спосіб, складних

Формула / Реферат:

Способ получения сложных халькогенидов общей формулы ММI2Х4. где Μ - Ζπ, Cd; ΜI - In, Ga; X-S, Se, включающий смешивание бинарных халькогенидов при их стехиометрическом соотношении и последующую термодинамическую обработку, отличающийся тем, что к смеси бинарных халькогенидов добавляют хлористый калий при массовом соотношении смеси халькогенидов и хлористого калия, равном 1:1, а термическую обработку осуществляют путем,...

Номер патенту: 11188

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Комарь Віталій Корнійович, Іванов Микола Петрович, Кобзар-Зленко Валентин Андрійович, Файнер Михайло Шаєвич

МПК: C30B 11/02, C30B 29/48, C30B 29/50 ...

Мітки: типу, спосіб, одержання, кристалів, халькогенідів

Формула / Реферат:

(57) Способ получения кристаллов халькогенидов типа A||BVI, где A|| - металл, a BVI -халькоген, включающий термообработку исходного соединения в атмосфере дезоксидирующего газа и выращивание кристаллов направленной кристаллизацией, отличающийся тем, что в качестве дезоксидирующего используют газ, получаемый в результате взаимодействия воздуха, технического азота и/или углекислого газа с углеродом при 850 - 950°С, а термообработку ведут при...