Спосіб легування кристалів телуриду кадмію

Спосіб легування кристалів телуриду кадмію, що включає їх відпал у парі домішки, який відрізняється тим, що відпал проводять у парі легуючої домішки Mg при температурі 820-900 °С. (19) (21) u201100088 (22) 04.01.2011 (24) 12.09.2011 (46) 12.09.2011, Бюл.№ 17, 2011 р. (72) СЛЬОТОВ МИХАЙЛО МИХАЙЛОВИЧ, МАХНІЙ ВІКТОР ПЕТРОВИЧ, КОСОЛОВСЬКИЙ ВАСИЛЬ ВАСИЛЬОВИЧ 3 62626 -4 поміщались у відкачаній до 10 Торр кварцовій ампулі, у протилежному кінці якої знаходилась також наважка металічного Mg. Для запобігання ерозії поверхні підкладинок разом з дифузантом в ампулі розташовували також подрібнену шихту CdTe. Ампули витримувалися протягом 15 хв. в ізотермічних умовах при температурі 820-900 °C. У подальшому вони різко охолоджувались до кімнатної температури і з них вилучались відпалені зразки CdTe, для подальших досліджень без проведення з ними будь-яких додаткових обробок. Найбільш характерною особливістю відпалених зразків є наявність інтенсивної фотолюмінесценції в крайовій області з максимумом на 1,48 еВ її ефективність при 300 К збільшується до 5-10 % порівняно з вихідними нелегованими спеціально зразками (до 0,2 %). Інтенсивність B( h  ) випромінювання суттєвим чином залежить від температури відпалу ТВ, яка досягає найбільшого значення при 860 °C. Зменшення температури менше 820 °C обумовлює зменшення інтенсивності фотолюмінесценції в крайовій області. Таблиця Тв 820 840 860 880 900 В, в.о. 0,2 0,7 1,00 0,8 0,35 4 центрації Mg у ньому. Аналогічний ефект спостерігається при зменшенні часу відпалу tB, оскільки d ~ tB . при ТB=const величина Однак, при T900 °C спостерігалася ерозія поверхні внаслідок випаровування одної з компонентів сполуки. Відповідно, істотно зменшувалася інтенсивність випромінювання. При цьому експериментально було встановлено, що інтенсивність та форма спектрів для кожної ТВ практично не залежить від часу відпалу tВ, коли tВ15 хв. Саме тому час відпалу вибрано 15 хв. Зауважимо, що можливість отримання інших сполук на поверхні CdTe при легуванні магнієм при даних умовах повністю виключається. Про це свідчать результати ретельного аналізу спектрів  модульованого відбивання R  всіх нелегованих і легованих зразків. Для них значення ширини забороненої зони не змінювалося і становить Eg ~ 1,5 еВ при 300 К, що є характерним для CdTe. Джерела інформації: 1. Арсенид галлия. Получения, свойства и применение. / Под. ред. Ф.П. Кесаманлы и Д.Н. Наследова. - М.: Наука, 1973.-471 с. 2. Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника. Справочник. - К.: Наукова думка, 1975.-704 с. 3. Иванчук Р.Д., Никонюк Е.С., Савицкий А.В., Скицко И.Ф. Магнитные свойства кристаллов CdTe-Ge // Физика и техника полупроводников.1977.-11, №10. -С. 2046-2048. Це може бути пояснено на основі того, що при нижчих ТB різко спадає коефіцієнт дифузії магнію, що приводить до зменшення товщини шару і кон Комп’ютерна верстка Л. Купенко Підписне Тираж 23 прим. Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601