Цвєткова Ольга Валентинівна
Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур
Номер патенту: 68570
Опубліковано: 26.03.2012
Автори: Шикоряк Йосип Андрійович, Лис Роман Мирославович, Павлик Богдан Васильович, Дідик Роман Іванович, Грипа Андрій Сергійович, Цвєткова Ольга Валентинівна, Слободзян Дмитро Петрович
МПК: G01R 1/00, H01L 21/02
Мітки: електрофізичних, структур, пристрій, характеристик, зондовий, вимірювання, напівпровідникових
Формула / Реферат:
Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур, що містить підпружинені зонди для підведення випробувальних сигналів, який відрізняється тим, що введено додаткові зонди, вставлені у напрямні отвори фторопластової пластини, виконані по шаблону на місцях, відповідних до нанесених контактів на дослідному зразку, причому контактні торці зондів виготовлені у формі півкулі, а протилежні - з виїмкою для...