Патенти з міткою «електрофізичних»

Номер патенту: 112992

Опубліковано: 25.11.2016

Автори: Сафронов Віталій Вікторович, Пилипчук Олександр Сергійович, Жарков Іван Павлович, Порошин Володимир Миколайович, Ходунов Володимир Олександрович

МПК: B01L 7/00, F25D 3/10, F17C 3/00 ...

Мітки: досліджень, терморегульована, кріостатна, магнітофізичних, система, електрофізичних

Формула / Реферат:

1. Терморегульована кріостатна система для магнітофізичних та електрофізичних досліджень, яка містить кріостат, усередині знімного зовнішнього корпусу якого розташовані послідовно по вертикальній осі перша посудина для кріогенної рідини і друга рознімна посудина для кріогенної рідини, в якій розташований надпровідний соленоїд і яка охоплена радіаційним екраном, що з'єднаний із першою посудиною, притому, що посудини мають зовнішні і внутрішні...

Номер патенту: 110584

Опубліковано: 12.01.2016

Автори: Курилюк Алла Миколаївна, Ященко Лариса Миколаївна, Калініченко Дмитро Володимирович, Воронцова Любов Олексіївна, Коротченков Олег Олександрович, Науменко Світлана Миколаївна, Кобзар Юлія Леонідівна, Тодосійчук Тамара Тимофіївна, Подолян Артем Олександрович, Стебленко Людмила Петрівна, Кріт Олексій Миколайович

МПК: H01L 31/049, H01L 21/00

Мітки: спосіб, характеристик, елементів, сонячних, електрофізичних, покращення

Формула / Реферат:

Спосіб покращення електрофізичних характеристик сонячних елементів, який полягає в нанесенні на поверхню кремнію сонячної якості полімерної епоксиуретанової плівки та витримці сформованої структури в стаціонарному магнітному полі при кімнатній температурі, який відрізняється тим, що до складу полімерної епоксиуретанової плівки включають кремнієвмісний наповнювач з концентрацією С=0,001-1 мас. % і час витримки в стаціонарному магнітному...

Номер патенту: 100080

Опубліковано: 10.07.2015

Автор: Тюменцев Володимир Антонович

МПК: G01N 13/00, G01Q 10/00, G01N 27/406 ...

Мітки: вимірів, матеріалу, пристрій, напівпровідникового, параметрів, електрофізичних

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вимірювання електрофізичних параметрів напівпровідникового матеріалу, що містить вимірювальні зонди, вимірювальну головку, важіль, пружину, механізми підйому і опускання зондів, переміщення вимірюваного зразка, переміщення вимірювальної головки щодо зразка, блоків управління і вимірювання, який відрізняється тим, що зонди жорстко кріпляться на вимірювальної головці, виконаній у вигляді плоскої металевої пластини, яка...

Номер патенту: 93890

Опубліковано: 27.10.2014

Автори: Новіков Євген Іванович, Ларкін Сергій Юрійович

МПК: G01R 27/00, G01R 17/00

Мітки: пристрій, параметрів, нвч-контролю, електрофізичних, твердотільних, структур

Формула / Реферат:

1. Пристрій для НВЧ-контролю електрофізичних параметрів твердотільних структур, що містить НВЧ-генератор, резонаторний зонд, керований за допомогою комп'ютера предметний столик, генератор модульованої частоти F, з'єднаний з пов'язаними зі спрямованим відгалужувачем двома синхронними детекторами, вихід першого з яких, що працює на частоті F, пов'язано з комп'ютером та НВЧ-генератором, а вихід другого, що працює на частоті 2F, з'єднано з...

Номер патенту: 86709

Опубліковано: 10.01.2014

Автори: Грипа Андрій Сергійович, Шикоряк Йосип Андрійович, Кушлик Маркіян Олегович, Павлик Богдан Васильович, Лис Роман Мирославович, Дідик Роман Іванович, Слободзян Дмитро Петрович

МПК: H01L 21/322, H01L 21/324, G01N 3/18 ...

Мітки: тіл, характеристик, одновісних, пристрій, твердих, дослідження, деформацій, створення, електрофізичних

Формула / Реферат:

Пристрій для створення одновісних деформацій твердих тіл і дослідження їх електрофізичних характеристик, що містить кріостат, робочий об'єм якого підключений до повітряної помпи для створення вакууму, розміщені в ньому засоби кріплення і засоби дослідження електрофізичних властивостей дослідного зразка, навантажувач, опорну трубу з динамометром, який відрізняється тим, що навантажувач розміщений під кутом 90° до осі навантаження на...

Номер патенту: 84570

Опубліковано: 25.10.2013

Автори: Кушлик Маркіян Олегович, Шикоряк Йосип Андрійович, Лис Роман Мирославович, Павлик Богдан Васильович, Грипа Андрій Сергійович, Слободзян Дмитро Петрович, Дідик Роман Іванович

МПК: G01R 1/00

Мітки: температурах, структур, напівпровідникових, різних, вимірювання, пристрій, зондовий, електрофізичних, характеристик

Формула / Реферат:

Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур при різних температурах, що містить підпружинені зонди для підведення до дослідного зразка випробувальних сигналів, вставлені у направляючі отвори фторопластової пластини, виконані по шаблону на місцях, відповідних до нанесених контактів на дослідному зразку, фторопластова пластина, встановлена у направляючі штифти Г-подібної мідної пластини і...

Номер патенту: 103404

Опубліковано: 10.10.2013

Автори: Ласлов Гейза Елемірович, Пилипко Михайло Михайлович, Качер Ігор Емануілович

МПК: G01N 27/02

Мітки: спосіб, електрофізичних, плівок, товщини, параметрів, визначення

Формула / Реферат:

Спосіб in situ визначення електрофізичних параметрів та товщини плівок, який включає вимірювання попередньо нанесеними на підкладку рівновіддаленими чотирма зондами питомого опору плівки і визначення питомого опору для першого шару як r1=AU/I, де A - константа, U - спад напруги між внутрішніми електродами, I - струм протікання, який відрізняється тим, що додатково наносять ще один зонд і вимірювання питомого опору і товщини шарів плівок...

Номер патенту: 83012

Опубліковано: 27.08.2013

Автори: Новіков Євген Іванович, Ларкін Сергій Юрійович

МПК: H04N 5/257

Мітки: мікрохвильовий, мікроскоп, контролю, структур, напівпровідникових, скануючий, параметрів, електрофізичних

Формула / Реферат:

Скануючий мікрохвильовий мікроскоп для контролю електрофізичних параметрів напівпровідникових структур, що містить НВЧ генератор, коаксіальний резонатор із загостреним на кінці центральним провідником, детектор, керований столик для напівпровідникових зразків, блок керування та обробки інформативних сигналів, який відрізняється тим, що центральний провідник резонатора розташовано всередині діелектричного трубчатого світловоду, з торцем якого...

Номер патенту: 78467

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Слободзян Дмитро Петрович, Кушлик Маркіян Олегович, Лис Роман Мирославович, Павлик Богдан Васильович, Шикоряк Йосип Андрійович, Дідик Роман Іванович, Грипа Андрій Сергійович

МПК: G01R 1/00, H01L 21/02

Мітки: пристрій, характеристик, електрофізичних, напівпровідникових, структур, вимірювання, зондовий

Формула / Реферат:

Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур, що містить підпружинені зонди для підведення випробувальних сигналів, вставлені у направляючі отвори фторопластової пластини, виконані по шаблону на місцях, відповідних до нанесених контактів на дослідному зразку, причому контактні торці зондів виготовлені у формі півкулі, а протилежні - з виїмкою для встановлення притискної пружини, один кінець якої...

Номер патенту: 71861

Опубліковано: 25.07.2012

Автори: Пилипко Михайло Михайлович, Качер Ігор Емануілович, Ласлов Гейза Елемірович

МПК: G01N 9/00

Мітки: визначення, спосіб, плівок, товщини, електрофізичних, параметрів

Формула / Реферат:

Спосіб in situ визначення електрофізичних параметрів та товщини плівок, який включає вимірювання попередньо нанесеними на підкладку рівновіддаленими чотирма зондами питомого опору плівки і визначення питомого опору для першого шару як , де  - константа,

Номер патенту: 98974

Опубліковано: 10.07.2012

Автори: Ходунов Володимир Олександрович, Чмуль Анатолій Григорович, Сафронов Віталій Вікторович, Жарков Іван Павлович

МПК: B01L 7/00, F25D 3/10, F25B 19/00 ...

Мітки: магнітооптичних, електрофізичних, система, досліджень, кріостатна, терморегульована

Формула / Реферат:

1. Кріостат для магнітооптичних досліджень і фізико-технічних випробувань, усередині знімного зовнішнього корпусу якого розташовано послідовно, зверху по вертикальній осі, першу посудину для кріогенної рідини і другу рознімну посудину для кріогенної рідини, в якій розташований надпровідний соленоїд, і яка охоплена радіаційним екраном, що з'єднаний із першою посудиною для рідини, притому, що посудини мають зовнішні і внутрішні стінки і трубки...

Номер патенту: 68570

Опубліковано: 26.03.2012

Автори: Павлик Богдан Васильович, Лис Роман Мирославович, Грипа Андрій Сергійович, Цвєткова Ольга Валентинівна, Слободзян Дмитро Петрович, Дідик Роман Іванович, Шикоряк Йосип Андрійович

МПК: H01L 21/02, G01R 1/00

Мітки: електрофізичних, пристрій, структур, вимірювання, напівпровідникових, характеристик, зондовий

Формула / Реферат:

Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур, що містить підпружинені зонди для підведення випробувальних сигналів, який відрізняється тим, що введено додаткові зонди, вставлені у напрямні отвори фторопластової пластини, виконані по шаблону на місцях, відповідних до нанесених контактів на дослідному зразку, причому контактні торці зондів виготовлені у формі півкулі, а протилежні - з виїмкою для...

Номер патенту: 92595

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Пузіков В'ячеслав Михайлович, Абашин Сергій Леонідович, Сулима Сергій Віталійович, Олійник Сергій Володимирович, Чугай Олег Миколайович, Комарь Віталій Корнійович

МПК: G01N 27/22, G01J 5/50

Мітки: матеріалах, неоднорідностей, спосіб, визначення, кристалічних, електрофізичних, розподілу

Формула / Реферат:

Спосіб визначення розподілу електрофізичних неоднорідностей в кристалічних матеріалах шляхом переміщення електродів відносно поверхні зразка з одночасним вимірюванням в змінному електричному полі їх електрофізичних параметрів, який відрізняється тим, що на плоскому електроді розміщують еталонний зразок товщиною  з pівномірним розподілом діелектричної проникності

Номер патенту: 88044

Опубліковано: 10.09.2009

Автори: Шугуров Олег Олегович, Кулік Алла Федорівна

МПК: G01N 27/00, G01N 33/24

Мітки: шарів, електрофізичних, здійснення, спосіб, пристрій, грунтових, параметрів, аналізу

Формула / Реферат:

1. Спосіб аналізу електрофізичних параметрів грунтових шарів, який полягає в тому, що вимірювальні електроди розміщують у матеріалі грунту, екранованому корпусом від змін вологості, впливу температури, електростатичного і магнітного зовнішніх полів, після чого реєструють електрофізичні параметри грунту в кожному з горизонтальних шарів грунту, який відрізняється тим, що в грунт вводять два рівнобіжних ряди з n електродів у кожному ряді,...

Номер патенту: 31812

Опубліковано: 25.04.2008

Автори: Ваганов Олексій Анатолійович, Скрипник Юрій Олексійович

МПК: G01N 22/00

Мітки: нелінійності, характеристик, електрофізичних, пристрій, визначення, матеріалів

Формула / Реферат:

1. Пристрій для визначення нелінійності електрофізичних характеристик матеріалів, що містить НВЧ-генератор, НВЧ-гетеродин, передавальну і приймальну антени, послідовно з'єднані НВЧ-підсилювач, балансний змішувач, вхід якого підключений до виходу НВЧ-гетеродина, і підсилювач проміжної частоти, комутаційний генератор, перший фільтр нижніх частот, та послідовно з'єднані синхронний детектор, другий фільтр нижніх частот і вольтметр, який...

Номер патенту: 19435

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Лисюк Ігор Олександрович, Андрєєва Катерина Вікторівна, Сизов Федір Федорович, Гузенко Генадій Олексійович

МПК: G01R 1/00

Мітки: електрофізичних, установка, вимірювання, характеристик, структур, напівпровідникових, зондова

Формула / Реферат:

Зондова установка для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур, що складається з станини, П-подібного кронштейна з закріпленим на ньому мікроскопом, координатного столика, розташованого під мікроскопом, двох приводів горизонтального переміщення і приводу вертикального переміщення координатного столика і зондів, що забезпечують електричні контакти з елементами, що тестуються, яка відрізняється тим, що установка...

Номер патенту: 40420

Опубліковано: 16.07.2001

Автори: Маліков Віталій Якович, Лисецький Лонгин Миколайович, Стаднік Петро Омел'янович, Галунов Микола Захарович, Сідлецький Олег Цезаревич

МПК: G01N 29/00

Мітки: вимірювання, електрофізичних, властивостей, пристрій, матеріалів, рідкокристалічних

Формула / Реферат:

Пристрій для вимірювання електрофізичних властивостей рідкокристалічних матеріалів, що містить корпус, нагрівник, вимірювальний та високовольтний електроди, ізолюючу прокладку і рідкокристалічний матеріал між електродами, який відрізняється тим, що до пристрою введено перфоровану прокладку, діаметри перфорацій в якій перевищують товщину прокладки.

Номер патенту: 34598

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Каламєєць Тетяна Петрівна, Скрипник Юрій Олексійович

МПК: G01N 27/72, G01N 27/06

Мітки: вимірювач, матеріалів, електрофізичних, параметрів, автогенераторний

Формула / Реферат:

Автогенераторний вимірювач електрофізичних параметрів матеріалів, що містить у собі ємнісний або індуктивний робочий давач з матеріалом, що досліджується, автоматичний перемикач, два автогенератори, балансний змішувач, входами з'єднаний з виходами автогенераторів, виходом з'єднаний з послідовно включеними фільтром нижніх частот, формувачем коротких імпульсів, реверсивним лічильником імпульсів та цифровим відліковим пристроєм, генератор...

Номер патенту: 11658

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Любченко Олексій Вікторович, Лукинський Юрій Леонідович, Ергаков Валерій Костянтинович, Сальков Євген Андрійович, Рябіков Віктор Михайлович, Карачевцева Людмила Анатольєвна

МПК: H01L 21/66

Мітки: електрофізичних, параметрів, напівпровідників, контролю, спосіб

Формула / Реферат:

Способ контроля электрофизических пара­метров полупроводников, основанный на измере­нии электропроводимости, коэффициента Холла в слабом магнитном поле и зависимости коэффици­ента Холла от величины магнитного поля, отлича­ющийся тем, что, с целью повышения точности раздельного определения концентрации и подвиж­ности электронов и дырок в CdxHg1-xTe и InSb р-типа проводимости, дополнительно производят измерение коэффициента Холла при значении...

Номер патенту: 11383

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Леваднюк Едуард Нікодимович, Терентьєв Борис Михайлович, Вікулін Олександр Олександрович, Школьний Арнольд Костянтинович, Бідник Дмитро Ілліч, Ірінархов Сергій Михайлович

МПК: G21H 5/00

Мітки: електрофізичних, регулювання, параметрів, структур, альфа-установка, радіаційного, напівпровідникових

Формула / Реферат:

I. Альфа-установка для радиационного регу­лирования электрофизических параметров полу­проводниковых структур, состоящая из камеры облучения с облучателсм на основе радионуклидных источников альфа-излучения, держателя объ­ектов облучения, расположенного над облучателем, и системы перемещения объектов об­лучения, отличающаяся тем, что, с целью повы­шения эффективности радиационного воздействия на объекты облучения и радиационной безопасно­сти...