Шикоряк Йосип Андрійович

Номер патенту: 120592

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Зоренко Тетяна Євгенівна, Архіпов Павло Васильович, Герасимов Ярослав Віталійович, Возняк Тарас Іванович, Федоров Олександр Григорович, Сідлецький Олег Цезаревич, Гриньов Борис Вікторович, Зоренко Юрій Володимирович, Горбенко Віталій Іванович, Шикоряк Йосип Андрійович, Павлик Богдан Васильович, Ткаченко Сергій Анатолійович

МПК: C09K 11/00, G01T 1/20, C30B 29/00 ...

Мітки: реєстрації, іонізуючих, комбінований, сцинтилятор, випромінювань

Формула / Реферат:

Комбінований сцинтилятор для реєстрації іонізуючих випромінювань, що містить монокристалічну підкладку товщиною 4-5 мм, виконану з монокристалу Lu3Al5O12:Sc з концентрацією скандію 1,2 ат.%, та нанесену на неї монокристалічну плівку товщиною 12-20 мкм, який відрізняється тим, що монокристалічна плівка виконана з гранату Lu3Al5O12:Pr з концентрацією празеодиму 0,03-0,05 ат.%.

Номер патенту: 115689

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Шикоряк Йосип Андрійович, Горбенко Віталій Іванович, Зоренко Юрій Володимирович, Зоренко Тетяна Евгенівна

МПК: G01T 1/202, G01T 1/20

Мітки: реєстрації, іонізуючих, комбінований, сцинтилятор, випромінювань

Формула / Реферат:

Комбінований сцинтилятор для реєстрації іонізуючих випромінювань, що містить монокристалічну підкладку з нанесеною монокристалічною плівкою, який відрізняється тим, що монокристалічна підкладка товщиною 4-5 мм виконана з монокристалу Lu3Al5O12:Sc з концентрацією скандію 1,2 ат. %, а монокристалічна плівка товщиною 12-20 мкм виконана з монокристалу Lu3Al5O12:Се з концентрацією церію 0,03-0,05 ат. %.

Номер патенту: 109648

Опубліковано: 25.08.2016

Автори: Дідик Роман Іванович, Слободзян Дмитро Петрович, Павлик Богдан Васильович, Лис Роман Мирославович, Шикоряк Йосип Андрійович, Грипа Андрій Сергійович, Кушлик Маркіян Олегович

МПК: H01L 21/00, C23C 14/50, C23C 14/54 ...

Мітки: отримання, кремнієвий, підкладці, контактів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання контактів на кремнієвій підкладці, за яким на кремнієву підкладку напилюють у вакуумі спочатку алюмінієву плівку, а через 5-10 хвилин - шар міді товщиною 500-3000 Å, після чого формують контактний майданчик, до якого термокомпресійно приварюють один кінець золотого мікродроту, який відрізняється тим, що попередньо фіксують другий кінець золотого мікродроту, а місце приварювання покривають епоксидною смолою.

Номер патенту: 107956

Опубліковано: 24.06.2016

Автори: Грипа Андрій Сергійович, Шикоряк Йосип Андрійович, Кушлик Маркіян Олегович, Павлик Богдан Васильович, Лис Роман Мирославович, Дідик Роман Іванович, Слободзян Дмитро Петрович

МПК: H01L 21/428, H01L 31/115

Мітки: обробки, температури, спосіб, радіаційної, сенсорів, транзисторних

Формула / Реферат:

Спосіб радіаційної обробки транзисторних сенсорів температури, за яким їх опромінюють, а потім термовідпалюють, який відрізняється тим, що сенсори опромінюють Х-променями дозою 4000÷4250 Гр, а температурний відпал проводять при температурі 130÷135 °C упродовж 120±5 хв.

Номер патенту: 103703

Опубліковано: 25.12.2015

Автори: Дідик Роман Іванович, Кушлик Маркіян Олегович, Павлик Богдан Васильович, Грипа Андрій Сергійович, Слободзян Дмитро Петрович, Лис Роман Мирославович, Шикоряк Йосип Андрійович

МПК: B23K 11/10, B81C 3/00, B23K 11/30 ...

Мітки: спосіб, мікрозварення, контактного, точкового

Формула / Реферат:

Спосіб контактного точкового мікрозварення, за яким деталі, які необхідно зварити, розміщують між електродами, прикладають зусилля притискання та пропускають імпульс струму, який відрізняється тим, що робочі поверхні електродів попередньо покривають матеріалом, який не має гарячої адгезії до матеріалу, з якого виготовлені деталі, які зварюють.

Номер патенту: 102378

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Дідик Роман Іванович, Кушлик Маркіян Олегович, Лис Роман Мирославович, Павлик Богдан Васильович, Грипа Андрій Сергійович, Слободзян Дмитро Петрович, Шикоряк Йосип Андрійович

МПК: H01L 21/02

Мітки: обробки, матеріалів, спосіб, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Спосіб обробки напівпровідникових матеріалів, за яким напівпровідники опромінюють електромагнітним полем, який відрізняється тим, що для опромінення використовують Х-промені.

Номер патенту: 94662

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Павлик Богдан Васильович, Гривняк Василь Степанович, Дідик Роман Іванович, Шикоряк Йосип Андрійович, Сухоребрий Сергій Петрович

МПК: F26B 5/06, F26B 25/18

Мітки: сушарки, сублімаційної, лоток

Формула / Реферат:

Лоток сублімаційної сушарки з вертикальними ребрами з матеріалу з хорошою теплопровідністю, який відрізняється тим, що додатково містить каркас по формі лотка, з розміщеними вертикальними ребрами, виготовленими з плетеної сітки з комірками 0,3¸0,5 розміру гранул матеріалу, що піддають сублімації.

Номер патенту: 86829

Опубліковано: 10.01.2014

Автори: Грипа Андрій Сергійович, Шикоряк Йосип Андрійович, Павлик Богдан Васильович, Слободзян Дмитро Петрович, Кушлик Маркіян Олегович, Дідик Роман Іванович, Лис Роман Мирославович

МПК: G01N 3/08, H01L 21/322

Мітки: матеріалів, напівпровідникових, пристрій, пластичної, деформації

Формула / Реферат:

Пристрій для пластичної деформації напівпровідникових матеріалів, що містить несучу трубу, з розміщеними елементами кріплення і фіксації дослідного зразка, та приєднаним навантажувачем, який відрізняється тим, що частина несучої труби з елементами кріплення дослідного зразка розміщена у місці з відсутнім температурним градієнтом трубчатої печі.

Номер патенту: 86709

Опубліковано: 10.01.2014

Автори: Лис Роман Мирославович, Грипа Андрій Сергійович, Слободзян Дмитро Петрович, Кушлик Маркіян Олегович, Павлик Богдан Васильович, Дідик Роман Іванович, Шикоряк Йосип Андрійович

МПК: G01N 3/18, H01L 21/324, H01L 21/322 ...

Мітки: характеристик, пристрій, створення, електрофізичних, твердих, тіл, деформацій, одновісних, дослідження

Формула / Реферат:

Пристрій для створення одновісних деформацій твердих тіл і дослідження їх електрофізичних характеристик, що містить кріостат, робочий об'єм якого підключений до повітряної помпи для створення вакууму, розміщені в ньому засоби кріплення і засоби дослідження електрофізичних властивостей дослідного зразка, навантажувач, опорну трубу з динамометром, який відрізняється тим, що навантажувач розміщений під кутом 90° до осі навантаження на...

Номер патенту: 84570

Опубліковано: 25.10.2013

Автори: Шикоряк Йосип Андрійович, Слободзян Дмитро Петрович, Дідик Роман Іванович, Грипа Андрій Сергійович, Павлик Богдан Васильович, Кушлик Маркіян Олегович, Лис Роман Мирославович

МПК: G01R 1/00

Мітки: електрофізичних, напівпровідникових, вимірювання, різних, характеристик, пристрій, структур, температурах, зондовий

Формула / Реферат:

Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур при різних температурах, що містить підпружинені зонди для підведення до дослідного зразка випробувальних сигналів, вставлені у направляючі отвори фторопластової пластини, виконані по шаблону на місцях, відповідних до нанесених контактів на дослідному зразку, фторопластова пластина, встановлена у направляючі штифти Г-подібної мідної пластини і...

Номер патенту: 78467

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Павлик Богдан Васильович, Грипа Андрій Сергійович, Слободзян Дмитро Петрович, Дідик Роман Іванович, Кушлик Маркіян Олегович, Лис Роман Мирославович, Шикоряк Йосип Андрійович

МПК: G01R 1/00, H01L 21/02

Мітки: зондовий, напівпровідникових, характеристик, структур, електрофізичних, вимірювання, пристрій

Формула / Реферат:

Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур, що містить підпружинені зонди для підведення випробувальних сигналів, вставлені у направляючі отвори фторопластової пластини, виконані по шаблону на місцях, відповідних до нанесених контактів на дослідному зразку, причому контактні торці зондів виготовлені у формі півкулі, а протилежні - з виїмкою для встановлення притискної пружини, один кінець якої...

Номер патенту: 68570

Опубліковано: 26.03.2012

Автори: Слободзян Дмитро Петрович, Шикоряк Йосип Андрійович, Грипа Андрій Сергійович, Лис Роман Мирославович, Цвєткова Ольга Валентинівна, Павлик Богдан Васильович, Дідик Роман Іванович

МПК: H01L 21/02, G01R 1/00

Мітки: характеристик, пристрій, електрофізичних, структур, зондовий, напівпровідникових, вимірювання

Формула / Реферат:

Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур, що містить підпружинені зонди для підведення випробувальних сигналів, який відрізняється тим, що введено додаткові зонди, вставлені у напрямні отвори фторопластової пластини, виконані по шаблону на місцях, відповідних до нанесених контактів на дослідному зразку, причому контактні торці зондів виготовлені у формі півкулі, а протилежні - з виїмкою для...

Номер патенту: 58771

Опубліковано: 26.04.2011

Автори: Павлик Богдан Васильович, Лис Роман Мирославович, Шикоряк Йосип Андрійович, Слободзян Дмитро Петрович, Грипа Андрій Сергійович, Дідик Роман Іванович

МПК: H01L 21/02, C23C 14/50, C23C 14/54 ...

Мітки: покриттів, пристрій, нанесення, вакуумі

Формула / Реферат:

1. Пристрій для нанесення покриттів у вакуумі, що містить корпус, два випарники, кожний з яких жорстко закріплений до двох штанг, одна з яких з'єднана з корпусом, а друга - з індивідуальним джерелом напруги, рухомі захисні заслони, розміщені між випарниками та нагрівником прямокутної Г-подібної форми, прикріпленим до штанги, з'єднаної з корпусом через керамічну пластину, виконаним з нержавіючої сталі з вифрезерованою з одного боку площиною,...

Номер патенту: 47597

Опубліковано: 10.02.2010

Автори: Павлик Богдан Васильович, Лис Роман Мирославович, Дідик Роман Іванович, Грипа Андрій Сергійович, Шикоряк Йосип Андрійович, Слободзян Дмитро Петрович

МПК: C23C 14/50, H01L 21/02, C23C 14/54 ...

Мітки: вакуумі, покриттів, нанесення, пристрій, двостороннього

Формула / Реферат:

Пристрій для двостороннього нанесення покриттів у вакуумі, що містить випарник, закріплений жорстко до двох штанг, одна з яких з'єднана з корпусом, а друга - з джерелом напруги, нагрівник зразка з нагрівним елементом та термопарою, жорстко закріплений до штанги, з'єднаної з корпусом, рухому захисну заслінку, розміщену між випарником та нагрівником, який відрізняється тим, що додатково введені випарник та заслінка, розміщені з протилежної...