Павлик Богдан Васильович

Номер патенту: 120592

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Герасимов Ярослав Віталійович, Павлик Богдан Васильович, Гриньов Борис Вікторович, Зоренко Юрій Володимирович, Горбенко Віталій Іванович, Архіпов Павло Васильович, Шикоряк Йосип Андрійович, Федоров Олександр Григорович, Зоренко Тетяна Євгенівна, Ткаченко Сергій Анатолійович, Возняк Тарас Іванович, Сідлецький Олег Цезаревич

МПК: C30B 29/00, G01T 1/20, C09K 11/00 ...

Мітки: випромінювань, сцинтилятор, реєстрації, комбінований, іонізуючих

Формула / Реферат:

Комбінований сцинтилятор для реєстрації іонізуючих випромінювань, що містить монокристалічну підкладку товщиною 4-5 мм, виконану з монокристалу Lu3Al5O12:Sc з концентрацією скандію 1,2 ат.%, та нанесену на неї монокристалічну плівку товщиною 12-20 мкм, який відрізняється тим, що монокристалічна плівка виконана з гранату Lu3Al5O12:Pr з концентрацією празеодиму 0,03-0,05 ат.%.

Номер патенту: 109648

Опубліковано: 25.08.2016

Автори: Грипа Андрій Сергійович, Кушлик Маркіян Олегович, Шикоряк Йосип Андрійович, Лис Роман Мирославович, Слободзян Дмитро Петрович, Дідик Роман Іванович, Павлик Богдан Васильович

МПК: C23C 14/50, H01L 21/00, C23C 14/54 ...

Мітки: підкладці, спосіб, отримання, контактів, кремнієвий

Формула / Реферат:

Спосіб отримання контактів на кремнієвій підкладці, за яким на кремнієву підкладку напилюють у вакуумі спочатку алюмінієву плівку, а через 5-10 хвилин - шар міді товщиною 500-3000 Å, після чого формують контактний майданчик, до якого термокомпресійно приварюють один кінець золотого мікродроту, який відрізняється тим, що попередньо фіксують другий кінець золотого мікродроту, а місце приварювання покривають епоксидною смолою.

Номер патенту: 107956

Опубліковано: 24.06.2016

Автори: Лис Роман Мирославович, Шикоряк Йосип Андрійович, Дідик Роман Іванович, Грипа Андрій Сергійович, Павлик Богдан Васильович, Кушлик Маркіян Олегович, Слободзян Дмитро Петрович

МПК: H01L 21/428, H01L 31/115

Мітки: сенсорів, радіаційної, обробки, спосіб, транзисторних, температури

Формула / Реферат:

Спосіб радіаційної обробки транзисторних сенсорів температури, за яким їх опромінюють, а потім термовідпалюють, який відрізняється тим, що сенсори опромінюють Х-променями дозою 4000÷4250 Гр, а температурний відпал проводять при температурі 130÷135 °C упродовж 120±5 хв.

Номер патенту: 103703

Опубліковано: 25.12.2015

Автори: Лис Роман Мирославович, Дідик Роман Іванович, Грипа Андрій Сергійович, Шикоряк Йосип Андрійович, Павлик Богдан Васильович, Кушлик Маркіян Олегович, Слободзян Дмитро Петрович

МПК: B81C 3/00, B23K 11/10, B23K 11/30 ...

Мітки: точкового, мікрозварення, контактного, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб контактного точкового мікрозварення, за яким деталі, які необхідно зварити, розміщують між електродами, прикладають зусилля притискання та пропускають імпульс струму, який відрізняється тим, що робочі поверхні електродів попередньо покривають матеріалом, який не має гарячої адгезії до матеріалу, з якого виготовлені деталі, які зварюють.

Номер патенту: 102378

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Лис Роман Мирославович, Слободзян Дмитро Петрович, Дідик Роман Іванович, Грипа Андрій Сергійович, Шикоряк Йосип Андрійович, Кушлик Маркіян Олегович, Павлик Богдан Васильович

МПК: H01L 21/02

Мітки: обробки, матеріалів, напівпровідникових, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб обробки напівпровідникових матеріалів, за яким напівпровідники опромінюють електромагнітним полем, який відрізняється тим, що для опромінення використовують Х-промені.

Номер патенту: 94662

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Дідик Роман Іванович, Шикоряк Йосип Андрійович, Павлик Богдан Васильович, Гривняк Василь Степанович, Сухоребрий Сергій Петрович

МПК: F26B 25/18, F26B 5/06

Мітки: лоток, сушарки, сублімаційної

Формула / Реферат:

Лоток сублімаційної сушарки з вертикальними ребрами з матеріалу з хорошою теплопровідністю, який відрізняється тим, що додатково містить каркас по формі лотка, з розміщеними вертикальними ребрами, виготовленими з плетеної сітки з комірками 0,3¸0,5 розміру гранул матеріалу, що піддають сублімації.

Номер патенту: 86829

Опубліковано: 10.01.2014

Автори: Кушлик Маркіян Олегович, Шикоряк Йосип Андрійович, Грипа Андрій Сергійович, Павлик Богдан Васильович, Лис Роман Мирославович, Дідик Роман Іванович, Слободзян Дмитро Петрович

МПК: H01L 21/322, G01N 3/08

Мітки: матеріалів, пластичної, пристрій, напівпровідникових, деформації

Формула / Реферат:

Пристрій для пластичної деформації напівпровідникових матеріалів, що містить несучу трубу, з розміщеними елементами кріплення і фіксації дослідного зразка, та приєднаним навантажувачем, який відрізняється тим, що частина несучої труби з елементами кріплення дослідного зразка розміщена у місці з відсутнім температурним градієнтом трубчатої печі.

Номер патенту: 86709

Опубліковано: 10.01.2014

Автори: Грипа Андрій Сергійович, Шикоряк Йосип Андрійович, Слободзян Дмитро Петрович, Лис Роман Мирославович, Кушлик Маркіян Олегович, Дідик Роман Іванович, Павлик Богдан Васильович

МПК: H01L 21/324, H01L 21/322, G01N 3/18 ...

Мітки: створення, дослідження, електрофізичних, пристрій, характеристик, одновісних, твердих, деформацій, тіл

Формула / Реферат:

Пристрій для створення одновісних деформацій твердих тіл і дослідження їх електрофізичних характеристик, що містить кріостат, робочий об'єм якого підключений до повітряної помпи для створення вакууму, розміщені в ньому засоби кріплення і засоби дослідження електрофізичних властивостей дослідного зразка, навантажувач, опорну трубу з динамометром, який відрізняється тим, що навантажувач розміщений під кутом 90° до осі навантаження на...

Номер патенту: 84570

Опубліковано: 25.10.2013

Автори: Шикоряк Йосип Андрійович, Лис Роман Мирославович, Дідик Роман Іванович, Кушлик Маркіян Олегович, Павлик Богдан Васильович, Грипа Андрій Сергійович, Слободзян Дмитро Петрович

МПК: G01R 1/00

Мітки: напівпровідникових, характеристик, вимірювання, структур, електрофізичних, температурах, пристрій, зондовий, різних

Формула / Реферат:

Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур при різних температурах, що містить підпружинені зонди для підведення до дослідного зразка випробувальних сигналів, вставлені у направляючі отвори фторопластової пластини, виконані по шаблону на місцях, відповідних до нанесених контактів на дослідному зразку, фторопластова пластина, встановлена у направляючі штифти Г-подібної мідної пластини і...

Номер патенту: 78467

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Кушлик Маркіян Олегович, Лис Роман Мирославович, Грипа Андрій Сергійович, Павлик Богдан Васильович, Слободзян Дмитро Петрович, Шикоряк Йосип Андрійович, Дідик Роман Іванович

МПК: H01L 21/02, G01R 1/00

Мітки: вимірювання, характеристик, пристрій, електрофізичних, структур, зондовий, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур, що містить підпружинені зонди для підведення випробувальних сигналів, вставлені у направляючі отвори фторопластової пластини, виконані по шаблону на місцях, відповідних до нанесених контактів на дослідному зразку, причому контактні торці зондів виготовлені у формі півкулі, а протилежні - з виїмкою для встановлення притискної пружини, один кінець якої...

Номер патенту: 68570

Опубліковано: 26.03.2012

Автори: Лис Роман Мирославович, Павлик Богдан Васильович, Дідик Роман Іванович, Грипа Андрій Сергійович, Шикоряк Йосип Андрійович, Слободзян Дмитро Петрович, Цвєткова Ольга Валентинівна

МПК: G01R 1/00, H01L 21/02

Мітки: напівпровідникових, структур, пристрій, характеристик, зондовий, електрофізичних, вимірювання

Формула / Реферат:

Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур, що містить підпружинені зонди для підведення випробувальних сигналів, який відрізняється тим, що введено додаткові зонди, вставлені у напрямні отвори фторопластової пластини, виконані по шаблону на місцях, відповідних до нанесених контактів на дослідному зразку, причому контактні торці зондів виготовлені у формі півкулі, а протилежні - з виїмкою для...

Номер патенту: 65755

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Павлик Богдан Васильович, Ковальчук Надія Орестівна, Іванова Катерина Петрівна, Григоренко Вадим Валентинович, Леновенко Анатолій Михайлович

МПК: G05D 23/275, G05D 23/32

Мітки: частоти, галію, еталона, реперної, відтворення, автоматизований, малогабаритний, точки, температурної, ядерно-квадрупольного, топлення, пристрій

Формула / Реферат:

1. Автоматизований малогабаритний пристрій для відтворення реперної температурної точки топлення галію для ядерно-квадрупольного еталона частоти, що складається із зовнішнього термостата, в камері якого розміщена ампула реперної температурної точки, що містить тигель з реперним металом, вмонтований термометричний канал із схемою вимірювання температури і терморезистивний елемент на поверхні тигля, який відрізняється тим, що додатково містить...

Номер патенту: 96877

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Паракуда Василь Васильович, Леновенко Анатолій Михайлович, Іванова Катерина Петрівна, Кузій Андрій Іванович, Ковальчук Надія Орестівна, Григоренко Вадим Валентинович, Павлик Богдан Васильович

МПК: H01S 1/00, G04F 5/00

Мітки: реалізації, відтворення, частоти, еталонної, спосіб, пристрій

Формула / Реферат:

1. Спосіб відтворення еталонної частоти, який включає детектування сигналу резонансної частоти при термостабілізації чутливого елемента, обробку частотних сигналів та відтворення еталонної частоти, який відрізняється тим, що шляхом частотної модуляції детектують сигнал від чутливого елемента, в якому має місце ядерний квадрупольний резонанс, резонансна частота якого є функцією температури, синхронізують його шляхом фазової автопідстройки з...

Номер патенту: 58771

Опубліковано: 26.04.2011

Автори: Дідик Роман Іванович, Грипа Андрій Сергійович, Лис Роман Мирославович, Павлик Богдан Васильович, Слободзян Дмитро Петрович, Шикоряк Йосип Андрійович

МПК: H01L 21/02, C23C 14/50, C23C 14/54 ...

Мітки: покриттів, пристрій, нанесення, вакуумі

Формула / Реферат:

1. Пристрій для нанесення покриттів у вакуумі, що містить корпус, два випарники, кожний з яких жорстко закріплений до двох штанг, одна з яких з'єднана з корпусом, а друга - з індивідуальним джерелом напруги, рухомі захисні заслони, розміщені між випарниками та нагрівником прямокутної Г-подібної форми, прикріпленим до штанги, з'єднаної з корпусом через керамічну пластину, виконаним з нержавіючої сталі з вифрезерованою з одного боку площиною,...

Номер патенту: 47597

Опубліковано: 10.02.2010

Автори: Слободзян Дмитро Петрович, Дідик Роман Іванович, Лис Роман Мирославович, Шикоряк Йосип Андрійович, Павлик Богдан Васильович, Грипа Андрій Сергійович

МПК: C23C 14/50, H01L 21/02, C23C 14/54 ...

Мітки: пристрій, нанесення, двостороннього, вакуумі, покриттів

Формула / Реферат:

Пристрій для двостороннього нанесення покриттів у вакуумі, що містить випарник, закріплений жорстко до двох штанг, одна з яких з'єднана з корпусом, а друга - з джерелом напруги, нагрівник зразка з нагрівним елементом та термопарою, жорстко закріплений до штанги, з'єднаної з корпусом, рухому захисну заслінку, розміщену між випарником та нагрівником, який відрізняється тим, що додатково введені випарник та заслінка, розміщені з протилежної...