Грипа Андрій Сергійович
Спосіб отримання контактів на кремнієвій підкладці
Номер патенту: 109648
Опубліковано: 25.08.2016
Автори: Павлик Богдан Васильович, Дідик Роман Іванович, Шикоряк Йосип Андрійович, Кушлик Маркіян Олегович, Грипа Андрій Сергійович, Лис Роман Мирославович, Слободзян Дмитро Петрович
МПК: C23C 14/50, C23C 14/54, H01L 21/00 ...
Мітки: отримання, підкладці, кремнієвий, контактів, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб отримання контактів на кремнієвій підкладці, за яким на кремнієву підкладку напилюють у вакуумі спочатку алюмінієву плівку, а через 5-10 хвилин - шар міді товщиною 500-3000 Å, після чого формують контактний майданчик, до якого термокомпресійно приварюють один кінець золотого мікродроту, який відрізняється тим, що попередньо фіксують другий кінець золотого мікродроту, а місце приварювання покривають епоксидною смолою.
Спосіб радіаційної обробки транзисторних сенсорів температури
Номер патенту: 107956
Опубліковано: 24.06.2016
Автори: Шикоряк Йосип Андрійович, Дідик Роман Іванович, Грипа Андрій Сергійович, Лис Роман Мирославович, Слободзян Дмитро Петрович, Павлик Богдан Васильович, Кушлик Маркіян Олегович
МПК: H01L 31/115, H01L 21/428
Мітки: сенсорів, обробки, спосіб, температури, радіаційної, транзисторних
Формула / Реферат:
Спосіб радіаційної обробки транзисторних сенсорів температури, за яким їх опромінюють, а потім термовідпалюють, який відрізняється тим, що сенсори опромінюють Х-променями дозою 4000÷4250 Гр, а температурний відпал проводять при температурі 130÷135 °C упродовж 120±5 хв.
Спосіб контактного точкового мікрозварення
Номер патенту: 103703
Опубліковано: 25.12.2015
Автори: Грипа Андрій Сергійович, Павлик Богдан Васильович, Дідик Роман Іванович, Шикоряк Йосип Андрійович, Кушлик Маркіян Олегович, Лис Роман Мирославович, Слободзян Дмитро Петрович
МПК: B23K 11/30, B23K 11/10, B81C 3/00 ...
Мітки: точкового, мікрозварення, спосіб, контактного
Формула / Реферат:
Спосіб контактного точкового мікрозварення, за яким деталі, які необхідно зварити, розміщують між електродами, прикладають зусилля притискання та пропускають імпульс струму, який відрізняється тим, що робочі поверхні електродів попередньо покривають матеріалом, який не має гарячої адгезії до матеріалу, з якого виготовлені деталі, які зварюють.
Спосіб обробки напівпровідникових матеріалів
Номер патенту: 102378
Опубліковано: 26.10.2015
Автори: Слободзян Дмитро Петрович, Кушлик Маркіян Олегович, Лис Роман Мирославович, Шикоряк Йосип Андрійович, Павлик Богдан Васильович, Грипа Андрій Сергійович, Дідик Роман Іванович
МПК: H01L 21/02
Мітки: спосіб, обробки, напівпровідникових, матеріалів
Формула / Реферат:
Спосіб обробки напівпровідникових матеріалів, за яким напівпровідники опромінюють електромагнітним полем, який відрізняється тим, що для опромінення використовують Х-промені.
Пристрій для пластичної деформації напівпровідникових матеріалів
Номер патенту: 86829
Опубліковано: 10.01.2014
Автори: Шикоряк Йосип Андрійович, Грипа Андрій Сергійович, Лис Роман Мирославович, Слободзян Дмитро Петрович, Кушлик Маркіян Олегович, Дідик Роман Іванович, Павлик Богдан Васильович
МПК: H01L 21/322, G01N 3/08
Мітки: напівпровідникових, пластичної, пристрій, матеріалів, деформації
Формула / Реферат:
Пристрій для пластичної деформації напівпровідникових матеріалів, що містить несучу трубу, з розміщеними елементами кріплення і фіксації дослідного зразка, та приєднаним навантажувачем, який відрізняється тим, що частина несучої труби з елементами кріплення дослідного зразка розміщена у місці з відсутнім температурним градієнтом трубчатої печі.
Пристрій для створення одновісних деформацій твердих тіл і дослідження їх електрофізичних характеристик
Номер патенту: 86709
Опубліковано: 10.01.2014
Автори: Павлик Богдан Васильович, Дідик Роман Іванович, Шикоряк Йосип Андрійович, Лис Роман Мирославович, Грипа Андрій Сергійович, Кушлик Маркіян Олегович, Слободзян Дмитро Петрович
МПК: H01L 21/324, G01N 3/18, H01L 21/322 ...
Мітки: твердих, пристрій, деформацій, одновісних, створення, дослідження, тіл, електрофізичних, характеристик
Формула / Реферат:
Пристрій для створення одновісних деформацій твердих тіл і дослідження їх електрофізичних характеристик, що містить кріостат, робочий об'єм якого підключений до повітряної помпи для створення вакууму, розміщені в ньому засоби кріплення і засоби дослідження електрофізичних властивостей дослідного зразка, навантажувач, опорну трубу з динамометром, який відрізняється тим, що навантажувач розміщений під кутом 90° до осі навантаження на...
Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур при різних температурах
Номер патенту: 84570
Опубліковано: 25.10.2013
Автори: Кушлик Маркіян Олегович, Дідик Роман Іванович, Грипа Андрій Сергійович, Шикоряк Йосип Андрійович, Лис Роман Мирославович, Слободзян Дмитро Петрович, Павлик Богдан Васильович
МПК: G01R 1/00
Мітки: температурах, характеристик, пристрій, структур, напівпровідникових, зондовий, вимірювання, електрофізичних, різних
Формула / Реферат:
Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур при різних температурах, що містить підпружинені зонди для підведення до дослідного зразка випробувальних сигналів, вставлені у направляючі отвори фторопластової пластини, виконані по шаблону на місцях, відповідних до нанесених контактів на дослідному зразку, фторопластова пластина, встановлена у направляючі штифти Г-подібної мідної пластини і...
Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур
Номер патенту: 78467
Опубліковано: 25.03.2013
Автори: Павлик Богдан Васильович, Шикоряк Йосип Андрійович, Грипа Андрій Сергійович, Дідик Роман Іванович, Лис Роман Мирославович, Кушлик Маркіян Олегович, Слободзян Дмитро Петрович
МПК: H01L 21/02, G01R 1/00
Мітки: пристрій, електрофізичних, вимірювання, характеристик, структур, зондовий, напівпровідникових
Формула / Реферат:
Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур, що містить підпружинені зонди для підведення випробувальних сигналів, вставлені у направляючі отвори фторопластової пластини, виконані по шаблону на місцях, відповідних до нанесених контактів на дослідному зразку, причому контактні торці зондів виготовлені у формі півкулі, а протилежні - з виїмкою для встановлення притискної пружини, один кінець якої...
Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур
Номер патенту: 68570
Опубліковано: 26.03.2012
Автори: Дідик Роман Іванович, Лис Роман Мирославович, Шикоряк Йосип Андрійович, Цвєткова Ольга Валентинівна, Грипа Андрій Сергійович, Павлик Богдан Васильович, Слободзян Дмитро Петрович
МПК: G01R 1/00, H01L 21/02
Мітки: напівпровідникових, пристрій, характеристик, зондовий, вимірювання, електрофізичних, структур
Формула / Реферат:
Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур, що містить підпружинені зонди для підведення випробувальних сигналів, який відрізняється тим, що введено додаткові зонди, вставлені у напрямні отвори фторопластової пластини, виконані по шаблону на місцях, відповідних до нанесених контактів на дослідному зразку, причому контактні торці зондів виготовлені у формі півкулі, а протилежні - з виїмкою для...
Пристрій для нанесення покриттів у вакуумі
Номер патенту: 58771
Опубліковано: 26.04.2011
Автори: Лис Роман Мирославович, Грипа Андрій Сергійович, Павлик Богдан Васильович, Слободзян Дмитро Петрович, Шикоряк Йосип Андрійович, Дідик Роман Іванович
МПК: C23C 14/50, H01L 21/02, C23C 14/54 ...
Мітки: покриттів, пристрій, вакуумі, нанесення
Формула / Реферат:
1. Пристрій для нанесення покриттів у вакуумі, що містить корпус, два випарники, кожний з яких жорстко закріплений до двох штанг, одна з яких з'єднана з корпусом, а друга - з індивідуальним джерелом напруги, рухомі захисні заслони, розміщені між випарниками та нагрівником прямокутної Г-подібної форми, прикріпленим до штанги, з'єднаної з корпусом через керамічну пластину, виконаним з нержавіючої сталі з вифрезерованою з одного боку площиною,...
Пристрій для двостороннього нанесення покриттів у вакуумі
Номер патенту: 47597
Опубліковано: 10.02.2010
Автори: Слободзян Дмитро Петрович, Павлик Богдан Васильович, Грипа Андрій Сергійович, Дідик Роман Іванович, Лис Роман Мирославович, Шикоряк Йосип Андрійович
МПК: C23C 14/50, H01L 21/02, C23C 14/54 ...
Мітки: пристрій, вакуумі, двостороннього, покриттів, нанесення
Формула / Реферат:
Пристрій для двостороннього нанесення покриттів у вакуумі, що містить випарник, закріплений жорстко до двох штанг, одна з яких з'єднана з корпусом, а друга - з джерелом напруги, нагрівник зразка з нагрівним елементом та термопарою, жорстко закріплений до штанги, з'єднаної з корпусом, рухому захисну заслінку, розміщену між випарником та нагрівником, який відрізняється тим, що додатково введені випарник та заслінка, розміщені з протилежної...