Слободзян Дмитро Петрович
Спосіб отримання контактів на кремнієвій підкладці
Номер патенту: 109648
Опубліковано: 25.08.2016
Автори: Кушлик Маркіян Олегович, Лис Роман Мирославович, Павлик Богдан Васильович, Слободзян Дмитро Петрович, Дідик Роман Іванович, Грипа Андрій Сергійович, Шикоряк Йосип Андрійович
МПК: C23C 14/54, H01L 21/00, C23C 14/50 ...
Мітки: підкладці, отримання, контактів, кремнієвий, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб отримання контактів на кремнієвій підкладці, за яким на кремнієву підкладку напилюють у вакуумі спочатку алюмінієву плівку, а через 5-10 хвилин - шар міді товщиною 500-3000 Å, після чого формують контактний майданчик, до якого термокомпресійно приварюють один кінець золотого мікродроту, який відрізняється тим, що попередньо фіксують другий кінець золотого мікродроту, а місце приварювання покривають епоксидною смолою.
Спосіб радіаційної обробки транзисторних сенсорів температури
Номер патенту: 107956
Опубліковано: 24.06.2016
Автори: Шикоряк Йосип Андрійович, Слободзян Дмитро Петрович, Грипа Андрій Сергійович, Лис Роман Мирославович, Павлик Богдан Васильович, Дідик Роман Іванович, Кушлик Маркіян Олегович
МПК: H01L 21/428, H01L 31/115
Мітки: транзисторних, спосіб, обробки, температури, радіаційної, сенсорів
Формула / Реферат:
Спосіб радіаційної обробки транзисторних сенсорів температури, за яким їх опромінюють, а потім термовідпалюють, який відрізняється тим, що сенсори опромінюють Х-променями дозою 4000÷4250 Гр, а температурний відпал проводять при температурі 130÷135 °C упродовж 120±5 хв.
Спосіб контактного точкового мікрозварення
Номер патенту: 103703
Опубліковано: 25.12.2015
Автори: Слободзян Дмитро Петрович, Дідик Роман Іванович, Лис Роман Мирославович, Грипа Андрій Сергійович, Шикоряк Йосип Андрійович, Кушлик Маркіян Олегович, Павлик Богдан Васильович
МПК: B81C 3/00, B23K 11/30, B23K 11/10 ...
Мітки: мікрозварення, контактного, спосіб, точкового
Формула / Реферат:
Спосіб контактного точкового мікрозварення, за яким деталі, які необхідно зварити, розміщують між електродами, прикладають зусилля притискання та пропускають імпульс струму, який відрізняється тим, що робочі поверхні електродів попередньо покривають матеріалом, який не має гарячої адгезії до матеріалу, з якого виготовлені деталі, які зварюють.
Спосіб обробки напівпровідникових матеріалів
Номер патенту: 102378
Опубліковано: 26.10.2015
Автори: Грипа Андрій Сергійович, Павлик Богдан Васильович, Лис Роман Мирославович, Слободзян Дмитро Петрович, Шикоряк Йосип Андрійович, Кушлик Маркіян Олегович, Дідик Роман Іванович
МПК: H01L 21/02
Мітки: спосіб, матеріалів, напівпровідникових, обробки
Формула / Реферат:
Спосіб обробки напівпровідникових матеріалів, за яким напівпровідники опромінюють електромагнітним полем, який відрізняється тим, що для опромінення використовують Х-промені.
Пристрій для пластичної деформації напівпровідникових матеріалів
Номер патенту: 86829
Опубліковано: 10.01.2014
Автори: Лис Роман Мирославович, Дідик Роман Іванович, Шикоряк Йосип Андрійович, Кушлик Маркіян Олегович, Слободзян Дмитро Петрович, Грипа Андрій Сергійович, Павлик Богдан Васильович
МПК: G01N 3/08, H01L 21/322
Мітки: пристрій, деформації, напівпровідникових, пластичної, матеріалів
Формула / Реферат:
Пристрій для пластичної деформації напівпровідникових матеріалів, що містить несучу трубу, з розміщеними елементами кріплення і фіксації дослідного зразка, та приєднаним навантажувачем, який відрізняється тим, що частина несучої труби з елементами кріплення дослідного зразка розміщена у місці з відсутнім температурним градієнтом трубчатої печі.
Пристрій для створення одновісних деформацій твердих тіл і дослідження їх електрофізичних характеристик
Номер патенту: 86709
Опубліковано: 10.01.2014
Автори: Кушлик Маркіян Олегович, Лис Роман Мирославович, Слободзян Дмитро Петрович, Грипа Андрій Сергійович, Павлик Богдан Васильович, Шикоряк Йосип Андрійович, Дідик Роман Іванович
МПК: H01L 21/322, G01N 3/18, H01L 21/324 ...
Мітки: дослідження, тіл, одновісних, твердих, пристрій, створення, електрофізичних, деформацій, характеристик
Формула / Реферат:
Пристрій для створення одновісних деформацій твердих тіл і дослідження їх електрофізичних характеристик, що містить кріостат, робочий об'єм якого підключений до повітряної помпи для створення вакууму, розміщені в ньому засоби кріплення і засоби дослідження електрофізичних властивостей дослідного зразка, навантажувач, опорну трубу з динамометром, який відрізняється тим, що навантажувач розміщений під кутом 90° до осі навантаження на...
Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур при різних температурах
Номер патенту: 84570
Опубліковано: 25.10.2013
Автори: Кушлик Маркіян Олегович, Павлик Богдан Васильович, Грипа Андрій Сергійович, Лис Роман Мирославович, Дідик Роман Іванович, Шикоряк Йосип Андрійович, Слободзян Дмитро Петрович
МПК: G01R 1/00
Мітки: температурах, різних, структур, вимірювання, пристрій, характеристик, електрофізичних, зондовий, напівпровідникових
Формула / Реферат:
Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур при різних температурах, що містить підпружинені зонди для підведення до дослідного зразка випробувальних сигналів, вставлені у направляючі отвори фторопластової пластини, виконані по шаблону на місцях, відповідних до нанесених контактів на дослідному зразку, фторопластова пластина, встановлена у направляючі штифти Г-подібної мідної пластини і...
Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур
Номер патенту: 78467
Опубліковано: 25.03.2013
Автори: Шикоряк Йосип Андрійович, Слободзян Дмитро Петрович, Дідик Роман Іванович, Грипа Андрій Сергійович, Павлик Богдан Васильович, Кушлик Маркіян Олегович, Лис Роман Мирославович
МПК: H01L 21/02, G01R 1/00
Мітки: вимірювання, структур, електрофізичних, зондовий, характеристик, напівпровідникових, пристрій
Формула / Реферат:
Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур, що містить підпружинені зонди для підведення випробувальних сигналів, вставлені у направляючі отвори фторопластової пластини, виконані по шаблону на місцях, відповідних до нанесених контактів на дослідному зразку, причому контактні торці зондів виготовлені у формі півкулі, а протилежні - з виїмкою для встановлення притискної пружини, один кінець якої...
Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур
Номер патенту: 68570
Опубліковано: 26.03.2012
Автори: Слободзян Дмитро Петрович, Дідик Роман Іванович, Цвєткова Ольга Валентинівна, Павлик Богдан Васильович, Грипа Андрій Сергійович, Шикоряк Йосип Андрійович, Лис Роман Мирославович
МПК: H01L 21/02, G01R 1/00
Мітки: пристрій, напівпровідникових, структур, електрофізичних, зондовий, характеристик, вимірювання
Формула / Реферат:
Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур, що містить підпружинені зонди для підведення випробувальних сигналів, який відрізняється тим, що введено додаткові зонди, вставлені у напрямні отвори фторопластової пластини, виконані по шаблону на місцях, відповідних до нанесених контактів на дослідному зразку, причому контактні торці зондів виготовлені у формі півкулі, а протилежні - з виїмкою для...
Пристрій для нанесення покриттів у вакуумі
Номер патенту: 58771
Опубліковано: 26.04.2011
Автори: Павлик Богдан Васильович, Шикоряк Йосип Андрійович, Слободзян Дмитро Петрович, Грипа Андрій Сергійович, Лис Роман Мирославович, Дідик Роман Іванович
МПК: C23C 14/50, C23C 14/54, H01L 21/02 ...
Мітки: вакуумі, покриттів, нанесення, пристрій
Формула / Реферат:
1. Пристрій для нанесення покриттів у вакуумі, що містить корпус, два випарники, кожний з яких жорстко закріплений до двох штанг, одна з яких з'єднана з корпусом, а друга - з індивідуальним джерелом напруги, рухомі захисні заслони, розміщені між випарниками та нагрівником прямокутної Г-подібної форми, прикріпленим до штанги, з'єднаної з корпусом через керамічну пластину, виконаним з нержавіючої сталі з вифрезерованою з одного боку площиною,...
Пристрій для двостороннього нанесення покриттів у вакуумі
Номер патенту: 47597
Опубліковано: 10.02.2010
Автори: Грипа Андрій Сергійович, Шикоряк Йосип Андрійович, Дідик Роман Іванович, Павлик Богдан Васильович, Лис Роман Мирославович, Слободзян Дмитро Петрович
МПК: H01L 21/02, C23C 14/50, C23C 14/54 ...
Мітки: нанесення, пристрій, двостороннього, покриттів, вакуумі
Формула / Реферат:
Пристрій для двостороннього нанесення покриттів у вакуумі, що містить випарник, закріплений жорстко до двох штанг, одна з яких з'єднана з корпусом, а друга - з джерелом напруги, нагрівник зразка з нагрівним елементом та термопарою, жорстко закріплений до штанги, з'єднаної з корпусом, рухому захисну заслінку, розміщену між випарником та нагрівником, який відрізняється тим, що додатково введені випарник та заслінка, розміщені з протилежної...