Гаршінскі Єжі
Об’ємний монокристал нітриду галію (варіанти) і основа для епітаксії
Номер патенту: 82180
Опубліковано: 25.03.2008
Автори: Гаршінскі Єжі, Дорадзінскі Роман, Двілінскі Роберт, Сешпутовскі Лешек П., Канбара Ясуо
МПК: C30B 29/38, C30B 9/00, C30B 25/18 ...
Мітки: об'ємний, нітриду, епітаксії, основа, монокристал, варіанти, галію
Формула / Реферат:
1. Об'ємний монокристал нітриду галію як основа для епітаксії, який відрізняється тим, що його поперечний переріз у площині, перпендикулярній с-осі гексагональної кристалічної решітки нітриду галію, має площу поверхні більше 100 мм2, його товщина більше 1,0 мкм і його щільність поверхневих дислокацій площини С менше 106 /см2, тоді як його об'єм достатній для одержання щонайменше однієї придатної для подальшої обробки пластини з неполярною...